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NCE60P04R

NCE60P04R

厂商：
NCEPOWER(新洁能)
封装：
SOT-223
描述：
MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=4.3A RDS(ON)=170mΩ@4.5V SOT223

数据手册：

下载NCE60P04R.pdf

数据手册
价格&库存

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NCE60P04R

型号：NCE60P04R
品牌：NCE POWER
封装：SOT-223
描述：

国内价格
1+0.59730

库存：24

NCE60P04R

国内价格
10+2.11340
200+1.26060
800+0.88240
2500+0.63030
5000+0.59890
25000+0.55460

库存：4707

NCE60P04R

型号：NCE60P04R
品牌：NCEPOWER/无锡新洁能
封装：SOT-223
描述：3.1W 20V 2.2V 25nC@ 10V 1个P沟道 60V 120mΩ(mΩ) @VGS=10V,25℃,170(mΩ) @VGS=4.5V,25℃, 4A 930pF@30V SOT-223 贴片安装

库存：11910

NCE60P04R

型号：NCE60P04R
品牌：NCE(无锡新洁能)
封装：SOT-223
描述：NCE60P04R采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用作负载开关或用于PWM应用。

国内价格
5+1.09696
50+0.84813
150+0.72371
500+0.63040
2500+0.55577

库存：3304

NCE60P04R

型号：NCE60P04R
品牌：NCE
封装：SOT-223
描述：场效应管(MOSFET) 类型：P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：4.3A 功率(Pd)：3.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：106mΩ@10V,4A

国内价格
2500+0.39820

库存：1806

NCE60P04R

国内价格
1+0.78840
100+0.52488
1250+0.47736
2500+0.43848

库存：4707

NCE60P04R

型号：NCE60P04R
品牌：NCEPOWER/无锡新洁能
封装：SOT-223
描述：3.1W 20V 2.2V 25nC@ 10V 1个P沟道 60V 120mΩ(mΩ) @VGS=10V,25℃,170(mΩ) @VGS=4.5V,25℃, 4A 930pF@30V SOT-223 贴片安装

国内价格
5+1.09350
50+0.84150
150+0.71790
500+0.62450
2500+0.55030

库存：11910

NCE60P04R

型号：NCE60P04R
品牌：NCE/新洁能
封装：SOT-223
描述：

国内价格
10+0.56000

库存：7500

NCE60P04R

型号：NCE60P04R
品牌：NCE
封装：SOT-223
描述：MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=4.3A RDS(ON)=170mΩ@4.5V SOT223

国内价格
5+0.90000
50+0.75000
150+0.65000
500+0.58000
2500+0.50000
5000+0.48000

库存：2438

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