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NCE60P25K

NCE60P25K

厂商：
NCEPOWER(无锡新功率)
封装：
TO252
描述：
P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：90W

数据手册：

下载NCE60P25K.pdf

数据手册
价格&库存

NCE60P25K 数据手册

Pb Free Product NCE60P25K http://www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE60P25K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is well suited for high current load applications. General Features ● VDS =-60V,ID =-25A RDS(ON)

NCE60P25K 价格&库存

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NCE60P25K

国内价格
5+2.15298
50+1.78049
150+1.62087
500+1.42172
2500+1.33305
5000+1.27980

库存：1719

NCE60P25K

型号：NCE60P25K
品牌：新洁能(NCE)
封装：TO-252-2(DPAK)
描述：MOS场效应管 NCE60P25K TO-252 P沟道,-60V,-25A,45mΩ@-10V

国内价格
10+2.25860
100+1.95060
200+1.64260
300+1.43730
500+1.42780
2500+1.02660

库存：7435

NCE60P25K

型号：NCE60P25K
品牌：NCE/新洁能
封装：TO-252-2(DPAK)
描述：

国内价格
10+1.04160

库存：20000

NCE60P25K

型号：NCE60P25K
品牌：NCE（新洁能）
封装：TO-252-2(DPAK)
描述：场效应管(MOSFET) 90W 60V 25A 1个P沟道 TO-252-2(DPAK)

国内价格
1+1.68300
100+1.29800
1250+1.09010
2500+0.92400

库存：7435

NCE60P25K

型号：NCE60P25K
品牌：NCE
封装：TO-252-2(DPAK)
描述：P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：90W

国内价格
5+1.34260
50+1.22560
500+1.06960
1000+0.95260
2500+0.89800

库存：3011

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