NCE80H12D

厂商：
NCEPOWER(新洁能)
封装：
TO-263(D²Pak)
描述：
MOSFETs N-Channel Vdss：80V Id：120A Pd：220W

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Pb Free Product NCE80H12D http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE80H12D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =80V,ID =120A RDS(ON)

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NCE80H12D

1. 物料型号：NCE80H12D 2. 器件简介：使用先进的沟槽技术和设计，提供低栅极电荷的优越RDS(ON)。适用于多种应用场景。 3. 引脚分配：文档中提供了TO-263-2L封装的顶视图标记和引脚分配。 4. 参数特性： - 最大漏源电压(Vos)：80V - 栅源电压(VGs)：+20V - 连续漏电流(ID)：120A - 脉冲漏电流(IOM)：450A - 最大功耗(Po)：220W - 单个脉冲雪崩能量(EAS)：1400mJ 5. 功能详解：包括热特性、电气特性、开关特性、体二极管特性等详细参数和曲线图。 6. 应用信息：适用于汽车应用、硬开关和高频电路、不间断电源等。 7. 封装信息：提供了TO-263-2L封装的详细信息和尺寸。

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