NCEP30T21GU

物料型号: NCEP30T21GU

器件简介: - 采用超级沟槽技术，优化高频开关性能。 - 极低的RDS(ON)和Qg组合，减少导通和开关损耗。 - 适用于高频开关和同步整流。

引脚分配: - D: 漏极 - G: 栅极 - S: 源极

参数特性: - 漏源电压(Vos): 30V - 栅源电压(VGs): +20V - 连续漏电流(ID): 210A (硅限制)，100°C时为160A - 脉冲漏电流(IOM): 450A (封装限制) - 最大功率耗散(Po): 180W

功能详解: - 具有优秀的栅极电荷与导通电阻乘积(FOM)。 - 工作温度可达150°C。 - 100% UIS和ΔVds测试。

应用信息: - 适用于DC/DC转换器，特别是高频开关和同步整流。

封装信息: - 封装类型: DFN5X6-8L - 封装标记、订购信息、卷带尺寸、胶带宽度、数量等详细数据。

热特性: - 结到外壳的热阻(RaJc): 0.69°C/W

电气特性: - 包括关断特性、导通特性、动态特性和开关特性等详细参数。

典型电气和热特性图表: - 输出特性、转移特性、导通电阻与结温的关系、栅极电荷、电容与Vds的关系、功率耗散与结温的关系、安全工作区、电流耗散等图表。

注意事项: - 产品不适用于需要极高可靠性的应用，如生命支持系统、飞机控制系统等。 - 不对超出规格的产品使用导致的设备故障负责。 - 规格不保证产品在客户产品中的性能。 - 遵守出口控制法律和规定。 - 信息可能因产品/技术改进而变更。