物料型号：
- 型号：2SJ324, 2SJ324-Z
器件简介：
- 2SJ324是一款P沟道MOS场效应晶体管，设计用于电磁阀、电机和灯具驱动。内置G-S栅保护二极管。
引脚分配：
- 1. 漏极（Drain）
- 2. 源极（Source）
- 3. 栅极（Gate）
参数特性：
- 漏源电压（VDSS）：-30V
- 栅源电压（VGSS）：交流+20V，直流-20V至+10V
- 漏极电流（ID）：直流+2.0A，脉冲干8.0A
- 总功率耗散（PT1）：20W（Tc = 25°C）
- 总功率耗散（PT2）：1.0W（Ta = 25°C）
- 通道温度（Tch）：150°C
- 存储温度（Tstg）：-55至+150°C
功能详解：
- 低导通电阻：RDS(on)在VGS=-10V, ID=-1A时为0.18Ω，VGS=-4V, ID=-0.8A时为0.36Ω。
- 低输入电容：Ciss为330pF。
应用信息：
- 标准应用包括计算机、办公设备、通信设备等。
- 特殊应用包括汽车和交通设备、交通控制系统等。
封装信息：
- 封装尺寸以毫米为单位，具体尺寸图示在文档中有提供。
