### 物料型号
- 型号：2SJ325, 2SJ325-Z
### 器件简介
- 2SJ325是一款P沟道MOS场效应晶体管，设计用于螺线管、电机和灯驱动器。
### 引脚分配
- 引脚1：漏极(Drain)
- 引脚2：漏极(Drain)
- 引脚3：源极(Source)
- 引脚4：漏极体二极管
### 参数特性
- 绝对最大额定值：
- 漏极-源极电压：-30V
- 栅极-源极电压(AC)：+20V
- 栅极-源极电压(DC)：-20V至+10V
- 漏极电流(DC)：4.0A
- 漏极电流(脉冲)：+16A
- 总功率耗散(Tc = 25°C)：20W
- 总功率耗散(Ta = 25°C)：1.0W
- 通道温度：150°C
- 存储温度：-55至+150°C
### 功能详解
- 低导通电阻：RDS(on)=83 mΩ（VGS=-10V, ID=-2A），RDS(on)=0.15Ω（VGS=-4V, ID=-1.6A）
- 低Ciss：Ciss=800 pF
- 内置G-S栅极保护二极管
### 应用信息
- 标准：计算机、办公设备、通信设备、测试和测量设备、机床、工业机器人、音视频设备等。
- 特殊：汽车和交通设备、交通控制系统、防灾系统、防盗系统等。
### 封装信息
- 封装尺寸：2SJ325
