1. 物料型号：
- 型号为2SJ327和2SJ327-Z。
2. 器件简介：
- 2SJ327是一款P沟道MOS场效应晶体管，设计用于电磁阀、电机和灯具驱动。
3. 引脚分配：
- 1. 漏极（Drain）
- 2. 源极（Source）
- 3. 栅极（Gate）
4. 参数特性：
- 最大漏源电压（VDSS）：-60V
- 栅源电压（VGSS）：-20V至+10V
- 漏极电流（ID）：连续4.0A，脉冲16A
- 总功率耗散（PT1）：20W（Tc = 25°C）
- 通道温度（Tch）：150°C
- 存储温度（Tstg）：-55至+150°C
5. 功能详解：
- 低导通电阻（RDS(on)）：在VGS=-10V，ID=-2A时为0.13Ω；在VGS=-4V，ID=-1.6A时为0.21Ω。
- 内置G-S栅保护二极管。
- 输入电容（Ciss）：750pF（VGS=0，f=1MHz）。
6. 应用信息：
- 标准：计算机、办公设备、通信设备、测试和测量设备、机床、工业机器人、音视频设备等。
- 特殊：汽车和交通设备、交通控制系统、防灾系统、防犯罪系统等。
7. 封装信息：
- 具体的封装尺寸图在文档中以图形形式给出，但在此文本回复中无法展示。封装型号为2SJ327。
