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UPD28C04C-20

UPD28C04C-20

  • 厂商:

    NEC(日电电子)

  • 封装:

  • 描述:

    UPD28C04C-20 - CMOS EEPROM - NEC

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
UPD28C04C-20 数据手册
UPD28C04C-20
### 物料型号 - PD28C04C-20:200ns,24-pin塑料DIP封装 - C-25:250ns - PD28C04G-20:200ns,24-pin塑料miniflat封装 - G-25:250ns

### 器件简介 uPD28C04是一款4096位的电可擦除可编程只读存储器(EEPROM),以512x8位组织,并采用先进的CMOS工艺制造,具有高性能和低功耗特点。该器件由单个+5伏电源供电,并提供数据轮询功能以指示写周期的精确结束。其他特性包括芯片擦除、自动擦除和编程周期。uPD28C04提供标准24脚塑料DIP或miniflat封装。

### 引脚分配 - A0-A8:地址输入 - D0-D7:数据输入/输出 - CE:芯片使能 - OE:输出使能 - WE:写使能 - GND:地 - Vcc:+5伏电源 - NC:无连接

### 参数特性 - 快速访问时间:最大200ns和250ns - 单+5伏电源供电 - 芯片擦除功能 - 最大10ms自动擦除和编程 - 数据轮询验证 - 低功耗:最大50mA(活跃)和100pA(待机) - 耐久性:每个字节100,000次擦写周期 - TTL兼容输入输出 - 三态输出 - 先进的CMOS技术 - 24脚塑料DIP或miniflat封装

### 功能详解 - 读周期:CE和OE都必须是低电平(VIL),以读取存储的数据。在读周期执行期间,将任一输入置为高电平(VIH)会使输出进入高阻态。 - 字节写周期:CE和WE为低电平,OE为高电平时,uPD28C04进入写操作。写地址输入由CE或WE的下降沿锁存,数据输入由CE或WE的上升沿锁存。 - 芯片擦除周期:通过在OE变为高电平(VIHH,15±0.5V)后将CE和WE置为低电平,可以同时擦除uPD28C04的所有字节。 - 数据轮询功能:该功能通过指示字节写周期的精确结束来支持系统软件,减少uPD28C04的编程时间。 - 写保护特性:uPD28C04提供三项功能以防止无效的写周期:噪声免疫、供电电压级检测和写保护逻辑。

### 应用信息 uPD28C04适用于需要非易失性存储解决方案的应用,如系统参数存储、校准数据存储等。

### 封装信息 uPD28C04提供24脚塑料DIP或miniflat封装。
UPD28C04C-20 价格&库存

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