1. 物料型号：
- 型号为uPD41416，是NEC公司生产的一款16.384-word x 4-bit动态NMOS RAM。
2. 器件简介：
- uPD41416设计为单+5V电源供电，内部生成负电压衬底偏置，操作自动透明。使用双层多晶、N沟道硅门工艺，提供高存储单元密度、高性能和高可靠性。采用单个晶体管动态存储单元和先进的动态电路，确保最低功耗。刷新通过执行RAS-only刷新周期、隐藏刷新周期或正常读写周期完成。
3. 引脚分配：
- 1号引脚：OE（输出使能）
- 2-3, 15-17号引脚：I/O1-I/O4（数据输入/输出）
- 4号引脚：WE（写使能）
- 5号引脚：RAS（行地址选通）
- 6-8, 10-14号引脚：A0-A7（地址输入：A0-A7 = 列地址输入，A0-A6 = 刷新地址，A0-A7 = 行地址输入）
- 9号引脚：Vcc（+5V电源）
- 16号引脚：CAS（列地址选通）
- 18号引脚：GND（地）
4. 参数特性：
- 组织：16.384-word x 4-bit
- 电源：单+5V
- 封装：标准18脚双列直插式封装
- 功耗：活动模式（tRC最小）303mW，待机模式28mW
- 刷新周期：128个刷新周期在2ms周期内
5. 功能详解：
- 支持读、写、读-写、读-修改-写操作。
- 支持RAS-only刷新、隐藏刷新和页面模式。
6. 应用信息：
- 适用于需要高系统位密度的场景，由于其低功耗和高性能特性，适合多种电子系统。
7. 封装信息：
- 使用标准18脚塑料双列直插式封装。
