1. 物料型号：
- PD4216805G5-50：50ns，28-pin Plastic TSOP封装。
- PD4216805G5-60：60ns。
- PD4216805G5-70：70ns。
- PDZ105G5.50-7KD：50ns，28-pin Plastic TSOP封装。
- PD4216805G5-60-7KD：60ns。
- PD4216805G5-70-7KD：70ns。
- PD4216805LE-50：50ns，28-pin Plastic SOJ封装。
- PD4216805LE-60：60ns。
- PD4216805LE-70：70ns。
2. 器件简介：
- PD4216805是一款2,097,152字（word）x 8位的动态CMOS RAM，具有可选的超页模式（Hyper page mode），适用于读取操作。
3. 引脚分配：
- 地址输入（A0到A11）：用于选择2,097,152字节中的一个。
- 数据输入/输出（I/O1到I/O8）：8位数据总线，用于输入/输出数据。
- RAS（行地址选通）：激活行地址。
- CAS（列地址选通）：激活数据输入/输出电路。
- WE（写使能）：控制写操作。
- OE（输出使能）：控制读操作。
- Vcc（电源）：供电。
- GND（地）：接地。
4. 参数特性：
- 超页模式、2,097,152字节x 8位组织、单+5.0V供电、CAS前RAS刷新、RAS仅刷新、隐藏刷新、4096刷新周期/64ms。
5. 功能详解：
- RAS激活感光放大器，选择一行地址。
- CAS激活数据输入/输出电路，选择与感光放大器连接的数字线。
- WE是写控制信号，OE是读控制信号。
6. 应用信息：
- 该芯片适用于需要动态存储的应用，如计算机内存、高速缓存等。
7. 封装信息：
- 28-pin Plastic TSOP封装和28-pin Plastic SOJ封装，具体尺寸和引脚布局在文档中有详细描述。
