物料型号：
- PD4216805-50：50ns 访问时间，28-pin Plastic TSOP (II) (400mil) 封装。
- PD4216805-60：60ns 访问时间。
- PD4216805-70：70ns 访问时间。
- PDZ105G5.50-7KD：50ns 访问时间，28-pin Plastic TSOP(II)。
- PD4216805G5-60-7KD：60ns 访问时间。
- PD4216805G5-70-7KD：70ns 访问时间。
- PD4216805LE-50：50ns 访问时间，28-pin Plastic SOJ (400 mil) 封装。
- PD4216805LE-60：60ns 访问时间。
- PD4216805LE-70：70ns 访问时间。
器件简介：
PD4216805是一款2,097,152字×8位的动态CMOS RAM，提供可选的超页模式，适用于读操作。
引脚分配：
- A0至A11：地址输入。
- V01至V08：数据输入/输出。
- RAS：行地址选通。
- CAS：列地址选通。
- WE：写使能。
- OE：输出使能。
- Vcc：电源。
- GND：地。
参数特性：
- 超页模式。
- 2,097,152字×8位组织。
- 单一+5.0V±10%电源供电。
- CAS前RAS刷新、RAS单独刷新、隐藏刷新。
- 4096刷新周期/64ms。
功能详解：
PD4216805的RAS、CAS、WE、OE为输入引脚，V01至V08为输入/输出引脚。RAS激活行地址的感应放大器，CAS激活数据输入/输出电路。A0至A11为地址总线，WE为写控制信号，OE为读控制信号。
应用信息：
该芯片适用于需要动态存储的应用，如计算机内存、高速缓存等。
封装信息：
- 28-pin Plastic TSOP(II) (400mil)。
- 28-pin Plastic SOJ (400 mil)。
