物料型号:TB67H300FNG
器件简介:TB67H300FNG 是一款采用双极型 N 沟道沟槽工艺制造的 IGBT,具有高耐压、低饱和压降和高可靠性。
适用于多种应用,如开关电源、马达控制和电磁炉。
引脚分配:G(栅极)、E(发射极)、C(集电极)
参数特性:Vce(sat)(饱和压降):2.5V(最大值)、Vces(集电极-发射极击穿电压):600V(最小值)、Ic(集电极电流):300A(连续)、Rg(栅极电阻):10kΩ(最大值)
功能详解:TB67H300FNG 支持高功率、高频率的开关操作,具有快速开关特性和较低的开关损耗。
由于其低饱和压降,适合用于高效率的电力转换应用。
应用信息:适用于高效率电源转换、马达控制、电磁炉等需要高电流、高频率开关的场合。
封装信息:FP(平板封装),带有增强散热的铜基板和用于电气连接的键合线。
封装尺寸为 15.4mm x 12.3mm,高度为 4.6mm,引脚间距为 2.3mm。