P2H7M440H

MOSFET 50A 450 MOSFET 50A 450～500V PD7M441H/440H 108.0 P D7M441H P2H7M441H P2H7M441H/440H P2H7M441H/440H 108.0 PD7M440 H P 2H7M440 H 質量 Approximate Weight :220g ■最大定格 Maximum Ratings 質量 Approximate Weight :220g 単位 耐 圧・クラス Grade PD7M441H/P2H7M441H PD7M440H/P2H7M440H Unit 450 500 V VGS=0V ±20 50（Ｔc=25℃） 35（Ｔc=25℃） 100（Ｔc=25℃） 350（Ｔc=25℃） −40∼+150℃ −40∼+125℃ 2000 端子 - ベース間,AC1 分間 Terminals to Base, AC 1 min . 3.0（本体取付 Module Base to Heat sink） 2.0（ネジ端子部 Bus bar to Main Terminals） V A A W ℃ ℃ V N・m 項 Rating ドレイン・ソース間電圧 Drain-Source Voltage 目 記号 Symbol VDSS VGSS ゲート・ソース間電圧 Gate-Source Voltage ドレイン電流（連続） Continuous Drain Current Duty=50% D.C. ID IDM PD Tjw Tstg Viso Ftor パルスドレイン電流 Pulsed Drain Current 全損失 Total Power Dissipation 動作接合温度範囲 Operating Junction Temperature Range 保存温度範囲 Storage Temperature Range 絶縁耐圧 RMS Isolation Voltage 締付トルク Mounting Torque 1 ■電気的特性 Electrical Characteristics（＠TC＝25℃ unless otherwise noted） 項   目 Characteristic ドレイン遮断電流 Zero Gate Voltage Drain Current ゲート・ソース間しきい値電圧 Gate-Source Threshold Voltage ゲート・ソース間漏れ電流 Gate-Source Leakage Current ドレイン・ソース間オン抵抗 （MOSFET部） Static Drain-Source On-Resistance ドレイン・ソース間オン電圧 Drain-Source On-Voltage 順伝達コンダクタンス Forward Transconductance 入力容量 Input Capacitance 出力容量 Output Capacitance 帰還容量 Reverse Transfer Capacitance ターン・オン遅延時間 Turn-On Delay Time 上昇時間 Rise Time ターン・オン遅延時間 Turn-Off Delay Time 下降時間 Fall Time 記号 Symbol IDSS VGS （th） IGSS rDS （on） VDS （on） gfg Ciss Coss Crss t（on） d tr t（off） d tf VDD＝1/2VDSS ID＝25A VGS＝−5V, ＋10V RG＝7Ω VGS＝0V VDS＝25V f＝1MHz 条   件 Condition VDS＝VDSS, VGS＝0V Tj＝125℃, VDS＝VDSS, VGS＝0V VDS＝VGS, ID＝1mA VGS＝±20V, VDS＝0V VGS＝10V, ID＝25A VGS＝10V, ID＝25A VDS＝15V, ID＝25A 特性値（最大） Maximum Value 最小 標準 最大 Min. Typ. Max. 単位 Unit mA V μ A mΩ V S nF nF nF ns ns ns ns ─ ─ 2 ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ 3.1 ─ 110 3.2 45 9.0 1.7 0.32 120 80 240 50 1 4 4 1 120 3.4 ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ■内部ダイオード定格・特性 Source-Drain Diode Ratings and Characteristics（＠TC＝25℃ unless otherwise noted） 項   目 Characteristic ソース電流（連続） Continuous Source Current パルスソース電流 Pulsed Source Current ダイオード順電圧 Diode Forward Voltage 逆回復時間 Reverse Recovery Time 逆回復電荷 Reverse Recovery Charge 記号 Symbol IS ISM VSD trr Qr IS＝50A IS＝50A −diS/dt＝100A/ s μ D. C. 条   件 Condition 特性値（最大） Maximum Value 最小 標準 最大 Min. Typ. Max. 単位 Unit A A V ns μ C ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ 100 0.15 35 100 1.9 ─ ─ ■熱抵抗特性 Thermal Characteristics 項   目 Characteristic 熱抵抗（接合部−ケース間） Thermal Resistance, Junction to Case 接触熱抵抗（ケース−冷却フィン間） Thermal Resistance, Case to Heatsink 記号 Symbol Rth （j-c） Rth （c-f） MOSFET Diode サーマルコンパウンド塗布 Mounting surface flat, smooth, and greased 条   件 Condition 特性値（最大） Maximum Value 最小 標準 最大 Min. Typ. Max. 単位 Unit ─ ─ ─ ─ ─ ─ 0.36 2.0 0.1 ℃/W ─ 311 ─ ■定格・特性曲線 Fig. 1 Typical Output Characteristics TC=25℃ 250μs Pulse Test Fig. 2 Typical Drain-Source On-Voltage Fig. 2 Vs. Gate-Source Voltage Fig. 3 Typical Drain-Source On Voltage Fig. 3 Vs. Junction Temperature 80 8 DRAIN TO SOURCE ON VOLTAGE VDS (on)(V) TC=25℃ 250μs Pulse Test 16 DRAIN TO SOURCE ON VOLTAGE VDS (on)(V) VGS=10V 250μs Pulse Test ID=50A 10V 6V ID=50A DRAIN CURRENT ID (A) 60 6 12 40 4 25A 8 25A VGS=5V 20 2 15A 4 15A 0 0 4V 2 4 6 8 10 DRAIN TO SOURCE VOLTAGE VDS (V) 12 0 0 4 8 12 GATE TO SOURCE VOLTAGE VGS (V) 16 0 -40 0 40 80 120 JUNCTION TEMPERATURE Tj ( ) ℃ 160 Fig. 4 Typical Capacitance Fig. 4 Vs. Drain-Source Voltage Fig. 5 Typical Gate Charge Fig. 5 Vs. Gate-Source Voltage VGS=0V f=1kHz Fig. 6 Typical Switching Time Fig. 6 Vs. Series Gate impedance ID=35A 18 16 VDD= 100V 250V 400V 10 ID=25A VDD=250V TC=25℃ 80μs Pulse Test 15 CAPACITANCE C (nF) GATE TO SOURCE VOLTAGE VGS (V) 5 SWITCHING TIME t (μs) 12 12 Ciss 2 1 9 8 6 Coss 0.5 toff ton 4 3 Crss 0.2 0 1 2 5 10 20 50 DRAIN TO SOURCE VOLTAGE VDS (V) 100 0 0 80 160 240 320 400 TOTAL GATE CHRAGE Qg (nC) 480 0.1 2 5 10 20 50 100 SERIES GATE IMPEDANCE RG (Ω )   200 Fig. 7 Typical Switching Time Fig. 7 Vs. Drain Current Fig. 8 Typical Source-Drain Diode Forward Fig. 8 Characteristics Fig. 9 Typical Reverse Recovery Characteristics IS=50A  IS=25A Tj=150℃ 1000 RG=7Ω VDD=250V TC=25℃ 80μs Pulse Test 120 250μs Pulse Test 500 REVERSE RECOVERY TIME trr (ns) REVERSE CURRENT IR (A) 500 SWITCHING TIME t (ns) td(off) 100 SOURCE CURRENT IS (A) 200 trr 200 td(on) 80 100 100 tr tf 60 Tj=125℃ Tj=25℃ 50 IR 50 40 20 20 10 20 10 1 2 5 10 20 DRAIN CURRENT ID (A) 50 100 0 0 0.3 0.6 0.9 1.2 1.5 SOURCE TO DRAIN VOLTAGE VSD (V) 2 10 0 5 2 10 -1 5 2 1.8 5 0 100 200 300 400 -dis/dt (A/μs) 500 600 200 TC=25℃ Tj=150℃MAX Single Pulse Operation in this area is limited by RDS (on) 100 10μs 50 DRAIN CURRENT ID (A) 100μs NORMALIZED TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE [rth(j-c) / Rth(j-c)] Fig. 10 Maximum Safe Operating Area Fig. 11-1 Normalized Transient Thermal impedance(MOSFET) 20 10 5 1ms Per Unit Base Rth(j-c)=0.36℃/W 1 Shot Pulse Ｍ Ｏ Ｓ Ｆ Ｅ Ｔ モ ジ ュ ー ル 10 -2 -5 10 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 PULSE DURATION t (s) 10 0 10 1 NORMALIZED TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE [rth(j-c) / Rth(j-c)] 2 1 10ms DC Fig. 11-2 Normalized Transient Thermal impedance(DIODE) 2 10 0 5 2 10 -1 5 2 10 -2 -5 10 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 PULSE DURATION t (s) Per Unit Base Rth(j-c)=2.0℃/W 1 Shot Pulse 0.5 0.2 −441H −440H 5 10 20 50 100 200 500 1000 DRAIN TO SOURCE VOLTAGE VDS (V) 1 2 10 0 10 1 ─ 312 ─