P2HM755HA

MOSFET 75A 500V MOSFET 75A 500V PDM755HA 108.0 PDM755HA P2HM755HA P2HM755HA P2HM755H P2HM755HA 108.0 質量 Approximate Weight :220g ■最大定格 Maximum Ratings 質量 Approximate Weight :220g 項 Rating ドレイン・ソース間電圧 Drain-Source Voltage 目 記号 Symbol VDSS VGSS VGS=0V 耐 圧・クラス Grade PDM755HA / P2HM755HA 500 ±20 75（Ｔc=25℃） 53（Ｔc=25℃） 150（Ｔc=25℃） 500（Ｔc=25℃） −40∼+150℃ −40∼+125℃ 2000 端子 - ベース間,AC1 分間 Terminals to Base, AC 1 min . 3.0（本体取付 Module Base to Heat sink） 2.0（ネジ端子部 Bus bar to Main Terminals） 単位 Unit V V A A W ℃ ℃ V N・m ゲート・ソース間電圧 Gate-Source Voltage ドレイン電流（連続） Continuous Drain Current Duty=50% D.C. ID IDM PD Tjw Tstg Viso Ftor パルスドレイン電流 Pulsed Drain Current 全損失 Total Power Dissipation 動作接合温度範囲 Operating Junction Temperature Range 保存温度範囲 Storage Temperature Range 絶縁耐圧 RMS Isolation Voltage 締付トルク Mounting Torque 1 ■電気的特性 Electrical Characteristics（＠TC＝25℃ unless otherwise noted） 項   目 Characteristic ドレイン遮断電流 Zero Gate Voltage Drain Current ゲート・ソース間しきい値電圧 Gate-Source Threshold Voltage ゲート・ソース間漏れ電流 Gate-Source Leakage Current ドレイン・ソース間オン抵抗 （MOSFET部） Static Drain-Source On-Resistance ドレイン・ソース間オン電圧 Drain-Source On-Voltage 順伝達コンダクタンス Forward Transconductance 入力容量 Input Capacitance 出力容量 Output Capacitance 帰還容量 Reverse Transfer Capacitance ターン・オン遅延時間 Turn-On Delay Time 上昇時間 Rise Time ターン・オン遅延時間 Turn-Off Delay Time 下降時間 Fall Time 記号 Symbol IDSS VGS （th） IGSS rDS （on） VDS （on） gfg Ciss Coss Crss t（on） d tr t（off） d tf VDD＝1/2VDSS ID＝35A VGS＝−5V, ＋10V RG＝5Ω VGS＝0V VDS＝25V f＝1MHz 条   件 Condition VDS＝VDSS, VGS＝0V Tj＝125℃, VDS＝VDSS, VGS＝0V VDS＝VGS, ID＝5mA VGS＝±20V, VDS＝0V VGS＝10V, ID＝35A VGS＝10V, ID＝35A VDS＝15V, ID＝35A 特性値（最大） Maximum Value 最小 標準 最大 Min. Typ. Max. 単位 Unit mA V μ A mΩ V S nF nF nF ns ns ns ns ─ ─ 2 ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ 2.9 ─ 55 2.4 75 16 1.8 0.4 180 70 390 50 1 4 4 10 65 2.9 ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ■内部ダイオード定格・特性 Source-Drain Diode Ratings and Characteristics（＠TC＝25℃ unless otherwise noted） 項   目 Characteristic ソース電流（連続） Continuous Source Current パルスソース電流 Pulsed Source Current ダイオード順電圧 Diode Forward Voltage 逆回復時間 Reverse Recovery Time 逆回復電荷 Reverse Recovery Charge 記号 Symbol IS ISM VSD trr Qr IS＝75A IS＝75A −diS/dt＝100A/ s μ D. C. 条   件 Condition 特性値（最大） Maximum Value 最小 標準 最大 Min. Typ. Max. 単位 Unit A A V ns μ C ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ 70 0.15 53 150 1.8 ─ ─ ■熱抵抗特性 Thermal Characteristics 項   目 Characteristic 熱抵抗（接合部−ケース間） Thermal Resistance, Junction to Case 接触熱抵抗（ケース−冷却フィン間） Thermal Resistance, Case to Heatsink 記号 Symbol Rth （j-c） Rth （c-f） MOSFET Diode サーマルコンパウンド塗布 Mounting surface flat, smooth, and greased 条   件 Condition 特性値（最大） Maximum Value 最小 標準 最大 Min. Typ. Max. 単位 Unit ─ ─ ─ ─ ─ ─ 0.25 2.0 0.1 ℃/W ─ 329 ─ ■定格・特性曲線 Fig. 1 Typical Output Characteristics TC=25℃ 250μs Pulse Test Fig. 2 Typical Drain-Source On-Voltage Fig. 2 Vs. Gate-Source Voltage Fig. 3 Typical Drain-Source On Voltage Fig. 3 Vs. Junction Temperature 150 8 DRAIN TO SOURCE ON VOLTAGE VDS (on)(V) TC=25℃ 250μs Pulse Test 16 DRAIN TO SOURCE ON VOLTAGE VDS (on)(V) VGS=10V 250μs Pulse Test 120 DRAIN CURRENT ID (A) VGS=10V 8V 6 ID=75A 12 ID=75A 90 6V 4 35A 8 60 35A 2 30 20A 4 5V 20A 0 0 2 4 6 8 10 DRAIN TO SOURCE VOLTAGE VDS (V) 12 0 0 4 8 12 GATE TO SOURCE VOLTAGE VGS (V) 16 0 -40 0 40 80 120 JUNCTION TEMPERATURE Tj ( ) ℃ 160 Fig. 4 Typical Capacitance Fig. 4 Vs. Drain-Source Voltage Fig. 5 Typical Gate Charge Fig. 5 Vs. Gate-Source Voltage VGS=0V f=1MHz Fig. 6 Typical Switching Time Fig. 6 Vs. Series Gate impedance ID=50A VDD= 100V 250V 400V 24 16 5 ID=35A VDD=250V TC=25℃ 80μs Pulse Test td(off) tr td(on) tf 20 CAPACITANCE C (nF) GATE TO SOURCE VOLTAGE VGS (V) 2 SWITCHING TIME t (μs) 0 200 400 600 TOTAL GATE CHRAGE Qg (nC) 800 12 16 Ciss 1 12 8 0.5 8 0.2 4 4 Coss 0.1 0 0.05 0 1 2 5 10 20 50 DRAIN TO SOURCE VOLTAGE VDS (V) 100 2 5 10 20 50 100 SERIES GATE IMPEDANCE RG (Ω )   200 Fig. 7 Typical Switching Time Fig. 7 Vs. Drain Current Fig. 8 Typical Source-Drain Diode Forward Fig. 8 Characteristics Fig. 9 Typical Reverse Recovery Characteristics IS=75A  IS=35A Tj=125℃ 1000 RG=5Ω VDD=250V TC=25℃ 80μs Pulse Test 180 250μs Pulse Test 500 td(off) REVERSE RECOVERY TIME trr (ns) REVERSE CURRENT IR (A) 500 SWITCHING TIME t (ns) trr 150 SOURCE CURRENT IS (A) tr 200 200 td(on) tf 120 Tj=125℃ 100 100 90 Tj=25℃ 50 IR 50 60 20 20 10 30 10 2 5 10 20 50 DRAIN CURRENT ID (A) 100 200 0 0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 SOURCE TO DRAIN VOLTAGE VSD (V) 2 1 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 2.4 5 0 100 200 300 400 -dis/dt (A/μs) 500 600 200 100 50 DRAIN CURRENT ID (A) 20 10 5 2 1 0.5 0.2 TC=25℃ Tj=150℃MAX Single Pulse 10μs 100μs NORMALIZED TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE [rth(j-c) / Rth(j-c)] Fig. 10 Maximum Safe Operating Area Fig. 11-1 Normalized Transient Thermal impedance(MOSFET) 1ms Operation in this area is limited by RDS (on) Per Unit Base Rth(j-c)=0.25℃/W 1 Shot Pulse Ｍ Ｏ Ｓ Ｆ Ｅ Ｔ モ ジ ュ ー ル 0.01 -5 10 10 -4 10ms 10 -3 10 -2 10 -1 PULSE DURATION t (s) 1 10 NORMALIZED TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE [rth(j-c) / Rth(j-c)] Fig. 11-2 Normalized Transient Thermal impedance(DIODE) DC 2 1 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 -5 10 Per Unit Base Rth(j-c)=2.0℃/W 1 Shot Pulse 1 2 5 10 20 50 100 200 500 1000 DRAIN TO SOURCE VOLTAGE VDS (V) 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 PULSE DURATION t (s) 1 10 ─ 330 ─