PCHMB150A6A_1

ＩＧＢＴ ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ−Ｃｈｏｐｐｅｒ □ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ ＣＩＲＣＵＩＴ １５０ Ａ，６００Ｖ ＰＣＨＭＢ１５０Ａ６Ａ ＰＣＨＭＢ１５０Ａ６Ａ Dimension:［mm］ □ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ □ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＭＡＸＩＭＵＭ Ｉｔｅｍ コレクタ・エミッタ間電圧 Collector-Emitter Voltage ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＶCES ＶGES ＤＣ １ｍｓ 重量：220ｇ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ ６００ ±２０ １５０ ３００ ５６０ −４０∼＋１５０ −４０∼＋１２５ ２,５００ ２（２０.４） Ｕｎｉｔ Ｖ Ｖ Ａ Ｗ ℃ ℃ Ｖ(RMS) Ｎ・ｍ (kgf･cm) ゲート・エミッタ間電圧 Gate-Emitter Voltage コ コ 接 保 絶 レ レ ク ク 合 存 縁 タ タ 温 温 耐 電 損 流 失 度 度 Collector Current Collector Power Dissipation Junction Temperature Range Storage Temperature Range ＩC ＩCP ＰC Ｔj Ｔstg Ｖiso Ｆtor 圧(Terminal to Base AC,1minute) Module Base to Heatsink Busbar to Main Terminal Isolation Voltage 締め付けトルク Mounting Torque □ Collector-Emitter Cut-Off Current 電 気 的 特 性 ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ コレクタ遮断電流 ＩCES ＶCE = 600V, ＶGE = 0V ゲート漏れ電流 ＩGES ＶCE(sat) ＶGE(th) Ｃies 上 昇 時 間 Rise Time Ｍｉｎ. − − − ４.０ − − − − − Ｔｙｐ. − − ２.１ − 15,000 ０.１５ ０.２５ ０.２０ ０.４５ Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ２.０ １.０ ２.６ ８.０ − ０.３０ ０.４０ ０.３５ ０.７０ ｍＡ µＡ Ｖ Ｖ ｐＦ Gate-Emitter Leakage Current ＶGE = ±20V, ＶCE = 0V ＩC = 150A, ＶGE = 15V ＶCE = 5V, ＩC = 150mA ＶCES = 10V, ＶGE = 0V,ｆ= 1MHz ＶCC ＲL ＲG ＶGE = = = = 300V 2Ω 5.1Ω ±15V コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Collector-Emitter Saturation Voltage ゲートしきい値電圧 Gate-Emitter Threshold Voltage 入 力 容 量 Input Capacitance ス イ ッ チ ン グ 時 間 ターンオン時間 Turn-on Time Switching Time 下 降 時 間 Fall Time ターンオフ時間 Turn-off Time ｔr ｔon ｔf ｔoff µｓ □フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃） ＦＲＥＥ ＤＩＯＤＥ Ｉｔｅｍ Ｓｙｍｂｏｌ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ ＤＣ ＩF １５０ 順 電 流 Ａ Forward Current １ｍｓ ＩFM ３００ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 電 圧 回 復 時 間 Ｓｙｍｂｏｌ ＶF ｔrr Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＩF = 150A, ＶGE = 0V ＩF = 150A, ＶGE = -10V ｄi/ｄt = 150A/µs Ｍｉｎ. − − Ｔｙｐ. １.９ Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ２.４ Ｖ µｓ 順 逆 □ 熱 熱 Peak Forward Voltage Reverse Recovery Time ０.１５ ０.２５ Thermal Impedance ＴＨＥＲＭＡＬ 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＩＧＢＴ 抵 抗 Ｒth(j-c) Junction to Case Ｄｏｅ ｉｄ Ｍｉｎ. − − Ｔｙｐ. − − Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ０.２２ ℃／Ｗ ０.４５ ＰＣＨＭＢ１５０Ａ６Ａ ＰＣＨＭＢ１５０Ａ６Ａ Fig.1- Output Characteristics (Typical) TC=25 ℃ 300 Fig.2- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) 16 TC=25 ℃ I C=60A 300A VGE =20V 12V 250 Collector to Emitter Voltage V CE ( V) 15V 10V 14 150A 12 10 8 6 4 2 0 Collector Current I C ( A) 200 150 9V 100 50 8V 7V 0 0 2 4 6 8 10 0 4 8 12 16 20 Collector to Emitter Voltage V CE ( V) Gate to Emitter Voltage V GE ( V) Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) 16 Fig.4- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 400 350 300 250 200 16 TC=125 ℃ IC=60A 300A Collector to Emitter Voltage V CE ( V) 150A 12 10 8 6 4 2 0 Collector to Emitter Voltage V CE ( V) 14 RL=2 Ω TC=25 ℃ 14 Gate to Emitter Voltage V GE ( V) 12 10 8 VCE =300V 150 6 200V 100 50 0 0 150 300 450 600 100V 4 2 0 0 4 8 12 16 20 Gate to Emitter Voltage V GE ( V) Total Gate Charge Qg ( nC) Fig.5- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 100000 50000 20000 Fig.6- Collector Current vs. Switching Time (Typical) 1 0.9 0.8 Switching Time t ( μ s) Cies Coes Cres VGE =0V f=1MHZ TC=25 ℃ VCC=300V R G=5.1 Ω VGE = ± 15V TC=25 ℃ Capacitance C ( pF) 10000 5000 2000 1000 500 200 100 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0 0 40 80 120 toff ton tf tr 160 Collector to Emitter Voltage V CE ( V) Collector Current IC ( A) ＰＣＨＭＢ１５０Ａ６Ａ ＰＣＨＭＢ１５０Ａ６Ａ Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical) 5 Fig.8- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode (Typical) 300 2 VCC=300V I C=150A VG= ± 15V TC=25 ℃ toff ton tr TC=25 ℃ 250 TC=125 ℃ Switching Time t ( μ s) Forward Current I F ( A) 1 200 0.5 150 tf 0.2 100 0.1 50 0.05 1 10 100 0 0 1 2 3 4 Series Gate Impedance R G ( Ω) Forward Voltage V F ( V) Fig.9- Reverse Recovery Characteristics (Typical) 500 Fig.10- Reverse Bias Safe Operating Area (Typical) 1000 500 200 Peak Reverse Recovery Current I RrM ( A) Reverse Recovery Time trr ( ns) I F=150A TC=25 ℃ trr R G=5.1 Ω VGE = ± 15V TC≦ 125 ℃ 200 Collector Current I C ( A) 200 400 600 800 1000 1200 100 50 20 10 5 2 1 0.5 0.2 100 50 20 10 IRrM 5 0 0.1 0 200 400 600 800 -di/dt ( A/μ s) Collector to Emitter Voltage V CE ( V) Fig.11- Transient Thermal Impedance 5x10 -1 FRD ( ℃ /W) 2x10 -1 1x10 -1 5x10 -2 IGBT Transient Thermal Impedance Rth (J-C) 2x10 -2 1x10 -2 5x10 -3 TC=25 ℃ 2x10 -3 1x10 -3 -5 10 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 1 Shot Pulse 1 10 1 Time t ( s)