PCHMB300A6C

ＩＧＢＴ ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ−Ｃｈｏｐｐｅｒ □ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ ＣＩＲＣＵＩＴ □ ３００ Ａ，６００Ｖ ＰＣＨＭＢ３００Ａ６Ｃ ＰＣＨＭＢ３００Ａ６Ｃ ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ Dimension:［mm］ □ ＭＡＸＩＭＵＭ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ Ｉｔｅｍ コレクタ・エミッタ間電圧 Collector-Emitter Voltage ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＶCES ＶGES ＤＣ １ｍｓ 重量：500ｇ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ ６００ ±２０ ３００ ６００ １，０４０ −４０∼＋１５０ −４０∼＋１２５ ２,５００ ＰＣＨＭＢ３００Ａ６ ＰＣＨＭＢ３００Ａ６Ｃ Ｕｎｉｔ Ｖ Ｖ Ａ Ｗ ℃ ℃ Ｖ(RMS) Ｎ・ｍ (kgf･cm) ゲート・エミッタ間電圧 Gate-Emitter Voltage コ コ 接 保 絶 レ レ ク ク 合 存 縁 タ タ 温 温 耐 電 損 流 失 度 度 Collector Current Collector Power Dissipation Junction Temperature Range Storage Temperature Range ＩC ＩCP ＰC Ｔj Ｔstg Ｖiso Ｆtor ２（２０.４） 圧(Terminal to Base AC,1minute) Module Base to Heatsink Busbar to Main Terminal Isolation Voltage 締め付けトルク Mounting Torque ３（３０.６） Ｍｉｎ. − − − ４.０ − − − − − Ｔｙｐ. − − ２.１ − 30,000 ０.２０ ０.４０ ０.２０ ０.６０ □ 電 気 的 特 性 ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＥＬＥＣＴＲＩＣ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ コレクタ遮断電流 ＩCES ＶCE = 600V, ＶGE = 0V Collector-Emitter Cut-Off Current ゲート漏れ電流 Gate-Emitter Leakage Current Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ３.０ １.０ ２.６ ８.０ − ０.４０ ０.７５ ０.３５ ０.８０ ｍＡ µＡ Ｖ Ｖ ｐＦ ＩGES ＶCE(sat) ＶGE(th) Ｃies 上 昇 時 間 Rise Time ＶGE = ±20V, ＶCE = 0V ＩC = 300A, ＶGE = 15V ＶCE = 5V, ＩC = 300mA ＶCES = 10V, ＶGE = 0V,ｆ= 1MHz ＶCC ＲL ＲG ＶGE = = = = 300V 1Ω 2.0Ω ±15V コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Collector-Emitter Saturation Voltage ゲートしきい値電圧 Gate-Emitter Threshold Voltage 入 力 容 量 Input Capacitance ス イ ッ チ ン グ 時 間 ターンオン時間 Turn-on Time Switching Time 下 降 時 間 Fall Time ターンオフ時間 Turn-off Time ｔr ｔon ｔf ｔoff µｓ □フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃） ＦＲＥＥ Ｉｔｅｍ Ｓｙｍｂｏｌ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ ＤＣ ＩF ３００ 順 電 流 Ａ Forward Current １ｍｓ ＩFM ６００ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 電 圧 回 復 時 間 Ｓｙｍｂｏｌ ＶF ｔrr Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＩF = 300A, ＶGE = 0V ＩF = 300A, ＶGE = -10V ｄi/ｄt = 300A/µs Ｍｉｎ. − − Ｔｙｐ. １.９ Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ２.４ Ｖ µｓ 順 逆 □ 熱 熱 Peak Forward Voltage Reverse Recovery Time ０.１５ ０.２５ Thermal Impedance ＴＨＥＲＭＡＬ 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＩＧＢＴ 抵 抗 Ｒth(j-c) Junction to Case Ｄｏｅ ｉｄ Ｍｉｎ. − − Ｔｙｐ. − − Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ０.１２ ℃／Ｗ ０.２４ ＰＣＨＭＢ３００Ａ６Ｃ ＰＣＨＭＢ３００Ａ６Ｃ Fig.1- Output Characteristics (Typical) 600 Fig.2- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) TC=25 ℃ 16 TC=25 ℃ I C=150A 600A VGE =20V 12V 500 Collector to Emitter Voltage V CE ( V) 15V 10V 14 300A 12 10 8 6 4 2 0 Collector Current I C ( A) 400 300 9V 200 100 8V 7V 0 0 2 4 6 8 10 0 4 8 12 16 20 Collector to Emitter Voltage V CE ( V) Gate to Emitter Voltage V GE ( V) Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) 16 Fig.4- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 400 350 300 250 200 16 TC=125 ℃ IC=150A 600A Collector to Emitter Voltage V CE ( V) 300A 12 10 8 6 4 2 0 Collector to Emitter Voltage V CE ( V) 14 R L=1 Ω TC=25 ℃ 14 Gate to Emitter Voltage V GE (V) 12 10 8 VCE =300V 150 100 50 0 0 150 300 450 600 750 900 1050 1200 6 200V 100V 4 2 0 1350 0 4 8 12 16 20 Gate to Emitter Voltage V GE ( V) Total Gate Charge Qg ( nC) Fig.5- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 200000 100000 Fig.6- Collector Current vs. Switching Time (Typical) 1 0.9 0.8 Cies 50000 VGE =0V f=1MHZ TC=25 ℃ Switching Time t ( μ s) Coes Cres VCC=300V R G=2.0 Ω VGE = ± 15V TC=25 ℃ Capacitance C (pF) 20000 10000 5000 2000 1000 500 200 0.7 toff 0.6 0.5 ton 0.4 0.3 0.2 0.1 tf tr 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 0 0 50 100 150 200 Collector to Emitter Voltage V CE (V) Collector Current IC ( A) ＰＣＨＭＢ３００Ａ６Ｃ ＰＣＨＭＢ３００Ａ６Ｃ Fig.8- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical) 5 (Typical) 600 2 VCC=300V IC=300A VG= ± 15V TC=25 ℃ TC=25 ℃ 500 TC=125 ℃ Switching Time t ( μ s) Forward Current I F (A) 50 1 toff ton tr 400 0.5 300 tf 0.2 200 0.1 100 0.05 0.5 1 2 5 10 20 0 0 1 2 3 4 Series Gate Impedance R G ( Ω ) Forward Voltage V F (V) Fig.9- Reverse Recovery Characteristics (Typical) 500 1000 Fig.10- Reverse Bias Safe Operating Area (Typical) 500 200 Peak Reverse Recovery Current I RrM ( A) Reverse Recovery Time trr ( ns) IF=300A TC=25 ℃ 200 RG=2.0 Ω VGE = ± 15V TC≦ 125 ℃ Collector Current I C ( A) 800 1200 1600 2000 2400 trr 100 50 20 10 5 2 1 0.5 0.2 100 50 20 I RrM 10 5 0 400 0.1 0 200 400 600 800 -di/dt ( A/μ s) Collector to Emitter Voltage V CE ( V) Fig.11- Transient Thermal Impedance 5x10 -1 FRD ( ℃ /W) 2x10 -1 1x10 -1 5x10 -2 IGBT Transient Thermal Impedance Rth (J-C) 2x10 -2 1x10 -2 5x10 -3 TC=25 ℃ 2x10 -3 1x10 -3 -5 10 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 1 Shot Pulse 1 10 1 Time t ( s)