PCHMB50B12A_1

ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｃｈｏｐｐｅｒ □ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ ５０ Ａ，１２００Ｖ ＰＣＨＭＢ５０Ｂ１２Ａ □ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ 12 11 94 80 ± 0 .2 5 12 11 2 12 3 12 5 4 2-Ø 5.5 (C2E1) 1 (E2) 2 (C1) 3 1 5(E1) 4(G1) 3-M5 23 23 17 4-fasten tab #110 t= 0.5 8 16 7 16 7 16 30 +1 .0 - 0 .5 LABEL 6 23 4 35 Dimension:［mm］ □ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ コレクタ・エミッタ間電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage コレクタ電流 Ｃollector Ｃurrent コレクタ損失 Ｃollector Ｐower Ｄissipation 接 合 温 度 Ｊunction Ｔemperature Ｒange 保 存 温 度 Ｓtorage Ｔemperature Ｒange 絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute) Ｉsolation Ｖoltage Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink 締め付けトルク Ｍounting Ｔorque Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal □ 電気的特性 ＤＣ １ｍｓ Ｓｙｍｂｏｌ ＶＣＥＳ ＶＧＥＳ ＩＣ ＩＣＰ ＰＣ Ｔｊ Ｔｓｔｇ ＶＩＳＯ Ｆｔｏｒ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ Ｖ Ｖ Ａ Ｗ ℃ ℃ Ｖ（ＲＭＳ） Ｎ・ｍ (kgf･cm) １，２００ ±２０ ５０ １００ ２５０ －４０～＋１５０ －４０～＋１２５ ２,５００ ２（２０.４） ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＩＣＥＳ ＩＧＥＳ ＶＣＥ（ｓａｔ） ＶＧＥ（ｔｈ） Ｃｉｅｓ 上昇時間 ターンオン時間 下降時間 ターンオフ時間 Ｒise Ｔurn-on Ｆall Ｔurn-off Ｔime Ｔime Ｔime Ｔime ｔｒ ｔｏｎ ｔｆ ｔｏｆｆ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＶＣＥ= 1200V,ＶＧＥ= 0V ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V ＩＣ= 50A,ＶＧＥ= 15V ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 50mA ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ ＶＣＣ= 600V ＲL= 12Ω ＲG= 20Ω ＶＧＥ= ±15V Ｍｉｎ. － － － ４.０ － － － － － Ｔｙｐ. － － １.９ － 4,200 ０.２５ ０.４０ ０.２５ ０.８０ Ｍａｘ. １.０ １.０ ２.４ ８.０ － ０.４５ ０.７０ ０.３５ １.１０ Ｕｎｉｔ ｍＡ μＡ Ｖ Ｖ ｐＦ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ コレクタ遮断電流 Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent ゲート漏れ電流 Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage ゲ ー ト しきい値電圧 Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage 入 力 容 量 Ｉnput Ｃapacitance スイッチング時間 Ｓwitching Ｔime μｓ □フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ Ｉｔｅｍ 順 電 流 Ｆorward Ｃurrent Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 順 電 圧 Ｐeak Ｆorward Ｖoltage 逆回復時間 Ｒeverse Ｒecovery Ｔime □熱 的 特性 ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＩＦ ＩＦＭ Ｓｙｍｂｏｌ ＶＦ ｔｒｒ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ ５０ １００ Ｍｉｎ. － － Ｔｙｐ. １.９ ０.２ Ｍａｘ. ２.４ ０.３ Ｕｎｉｔ Ａ ＤＣ １ｍｓ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＩＦ= 50A,ＶＧＥ= 0V ＩＦ= 50A,ＶＧＥ= -10V ｄi/ｄt= 100A/μs Ｕｎｉｔ Ｖ μｓ ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｓｙｍｂｏｌ Ｒth(j-c) Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Junction to Case Ｍｉｎ. － － Ｔｙｐ. － － Ｍａｘ. ０.４３ ０.７ Ｕｎｉｔ ℃／Ｗ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 熱 抵 抗 ＩＧＢＴ Ｔhermal Ｉmpedance Ｄiode 日本インター株式会社 ＰＣＨＭＢ５０Ｂ１２Ａ Fig.2- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) TC=25℃ VGE =20V 15V 12V 10V 16 Fig.1- Output Characteristics (Typical) 100 TC=25℃ I C=25A 100A Collector to Emitter Voltage V CE ( V) 14 12 10 8 6 4 2 0 50A Collector Current I C ( A) 75 9V 50 8V 25 7V 0 0 2 4 6 8 10 0 4 8 12 16 20 Collector to Emitter Voltage V CE ( V) Gate to Emitter Voltage V GE ( V) Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) 16 Fig.4- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 800 700 600 500 400 16 TC=125℃ I C=25A 100A Collector to Emitter Voltage V CE ( V) Collector to Emitter Voltage V CE ( V) 14 RL=12Ω TC=25℃ 14 Gate to Emitter Voltage V GE ( V) 50A 12 10 8 6 4 2 0 12 10 8 VCE =600V 300 6 400V 200 4 200V 100 0 0 50 100 150 200 250 300 350 2 0 0 4 8 12 16 20 Gate to Emitter Voltage V GE ( V) Total Gate Charge Qg ( nC) Fig.5- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 20000 10000 5000 Fig.6- Collector Current vs. Switching Time (Typical) 1.4 Cies VGE=0V f=1MHZ TC=25℃ 1.2 1 0.8 0.6 0.4 0.2 0 tOFF VCC=600V R G=20Ω VGE=±15V TC=25℃ 2000 1000 500 200 100 50 20 Coes Switching Time t (μs) Capacitance C (pF) tf Cres tON tr 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 0 10 20 30 40 50 Collector to Emitter Voltage VCE (V) Collector Current IC (A) 日本インター株式会社 ＰＣＨＭＢ５０Ｂ１２Ａ Fig.8- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical) 10 5 100 (Typical) TC=25℃ TC=125℃ VCC=600V IC=50A VGE=±15V TC=25℃ 90 toff ton tr 80 Switching Time t (μs) Forward Current I F (A) 300 2 1 0.5 70 60 50 40 30 20 tf 0.2 0.1 0.05 10 5 10 20 50 100 200 0 0 1 2 3 4 Series Gate Impedance RG (Ω) Forward Voltage VF (V) Fig.9- Reverse Recovery Characteristics (Typical) 500 Fig.10- Reverse Bias Safe Operating Area 500 200 100 Peak Reverse Recovery Current I RrM ( A) Reverse Recovery Time trr ( ns) I F=50A TC=25℃ trr 200 100 50 R G=20Ω V GE=±15V TC≦125℃ Collector Current I C ( A) I RrM 0 50 100 150 200 250 300 50 20 10 5 2 1 0.5 20 10 5 2 1 0.2 0.1 0 400 800 1200 1600 -di/dt ( A/μs) Collector to Emitter Voltage V CE ( V) fig11-Tansient Thermal Impedance 5 Tansient Thermal Impedance Rth (J-C) (ﾟC/W) 2 1 5x10 2x10 -1 FRD IGBT -1 -1 -2 10 5x10 2x10 -2 -2 -3 10 5x10 2x10 Tc=25℃ 1 Shot -5 -3 10 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 1 10 1 Time t （s） 日本インター株式会社