PD4M440H_1

MOSFET 30A 450 MOSFET 30A 450～500V PD4M441H/440H 108.0 P D4M441H P2H4M441H P2H4M441H/440H P2H4M441H/440H PD4M440 H P 2H4M440 H 108.0 質量 Approximate Weight :220g ■最大定格 Maximum Ratings 質量 Approximate Weight :220g 項 Rating ドレイン・ソース間電圧 Drain-Source Voltage 目 記号 Symbol VDSS VGSS 単位 耐 圧・クラス Grade PD4M441H/P2H4M441H PD4M440H/P2H4M440H Unit 450 500 V VGS=0V ±20 30（Ｔc=25℃） 21（Ｔc=25℃） 60（Ｔc=25℃） 230（Ｔc=25℃） −40∼+150℃ −40∼+125℃ 2000 端子 - ベース間,AC1 分間 Terminals to Base, AC 1 min . 3.0（本体取付 Module Base to Heat sink） 2.0（ネジ端子部 Bus bar to Main Terminals） V A A W ℃ ℃ V N・m ゲート・ソース間電圧 Gate-Source Voltage ドレイン電流（連続） Continuous Drain Current Duty=50% D.C. ID IDM PD Tjw Tstg Viso Ftor パルスドレイン電流 Pulsed Drain Current 全損失 Total Power Dissipation 動作接合温度範囲 Operating Junction Temperature Range 保存温度範囲 Storage Temperature Range 絶縁耐圧 RMS Isolation Voltage 締付トルク 1 Mounting Torque ■電気的特性 Electrical Characteristics（＠TC＝25℃ unless otherwise noted） 項   目 Characteristic ドレイン遮断電流 Zero Gate Voltage Drain Current ゲート・ソース間しきい値電圧 Gate-Source Threshold Voltage ゲート・ソース間漏れ電流 Gate-Source Leakage Current ドレイン・ソース間オン抵抗 （MOSFET部） Static Drain-Source On-Resistance ドレイン・ソース間オン電圧 Drain-Source On-Voltage 順伝達コンダクタンス Forward Transconductance 入力容量 Input Capacitance 出力容量 Output Capacitance 帰還容量 Reverse Transfer Capacitance ターン・オン遅延時間 Turn-On Delay Time 上昇時間 Rise Time ターン・オン遅延時間 Turn-Off Delay Time 下降時間 Fall Time 記号 Symbol IDSS VGS （th） IGSS rDS （on） VDS （on） gfg Ciss Coss Crss t（on） d tr t（off） d tf VDD＝1/2VDSS ID＝15A VGS＝−5V, ＋10V RG＝7Ω VGS＝0V VDS＝25V f＝1MHz 条   件 Condition VDS＝VDSS, VGS＝0V Tj＝125℃, VDS＝VDSS, VGS＝0V VDS＝VGS, ID＝1mA VGS＝±20V, VDS＝0V VGS＝10V, ID＝15A VGS＝10V, ID＝15A VDS＝15V, ID＝15A 特性値（最大） Maximum Value 最小 標準 最大 Min. Typ. Max. 単位 Unit mA V μ A mΩ V S nF nF nF ns ns ns ns ─ ─ 2 ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ 3.2 ─ 190 3.3 27 5.2 1.1 0.18 100 60 180 50 1 4 4 1 210 3.5 ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ■内部ダイオード定格・特性 Source-Drain Diode Ratings and Characteristics（＠TC＝25℃ unless otherwise noted） 項   目 Characteristic ソース電流（連続） Continuous Source Current パルスソース電流 Pulsed Source Current ダイオード順電圧 Diode Forward Voltage 逆回復時間 Reverse Recovery Time 逆回復電荷 Reverse Recovery Charge 記号 Symbol IS ISM VSD trr Qr IS＝30A IS＝30A −diS/dt＝100A/ s μ D. C. 条   件 Condition 特性値（最大） Maximum Value 最小 標準 最大 Min. Typ. Max. 単位 Unit A A V ns μ C ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ 100 0.15 21 60 1.8 ─ ─ ■熱抵抗特性 Thermal Characteristics 項   目 Characteristic 熱抵抗（接合部−ケース間） Thermal Resistance, Junction to Case 接触熱抵抗（ケース−冷却フィン間） Thermal Resistance, Case to Heatsink 記号 Symbol Rth （j-c） Rth （c-f） MOSFET Diode サーマルコンパウンド塗布 Mounting surface flat, smooth, and greased 条   件 Condition 特性値（最大） Maximum Value 最小 標準 最大 Min. Typ. Max. 単位 Unit ─ ─ ─ ─ ─ ─ 0.56 2.0 0.1 ℃/W Ｍ Ｏ Ｓ Ｆ Ｅ Ｔ モ ジ ュ ー ル ─ 308 ─ ■定格・特性曲線 Fig. 1 Typical Output Characteristics TC=25℃ 250μs Pulse Test Fig. 2 Typical Drain-Source On-Voltage Fig. 2 Vs. Gate-Source Voltage Fig. 3 Typical Drain-Source On Voltage Fig. 3 Vs. Junction Temperature 50 8 DRAIN TO SOURCE ON VOLTAGE VDS (on)(V) TC=25℃ 250μs Pulse Test 16 DRAIN TO SOURCE ON VOLTAGE VDS (on)(V) VGS=10V 250μs Pulse Test 40 DRAIN CURRENT ID (A) 10V 6V ID=30A ID=30A 6 12 30 4 15A 10A 8 15A 10A 20 VGS=5V 2 4 10 0 0 4V 2 4 6 8 10 DRAIN TO SOURCE VOLTAGE VDS (V) 12 0 0 4 8 12 GATE TO SOURCE VOLTAGE VGS (V) 16 0 -40 0 40 80 120 JUNCTION TEMPERATURE Tj ( ) ℃ 160 Fig. 4 Typical Capacitance Fig. 4 Vs. Drain-Source Voltage Fig. 5 Typical Gate Charge Fig. 5 Vs. Gate-Source Voltage VGS=0V f=1kHz Fig. 6 Typical Switching Time Fig. 6 Vs. Series Gate impedance ID=20A VDD= 100V 250V 400V 12 16 5 ID=15A VDD=250V TC=25℃ 80μs Pulse Test 10 CAPACITANCE C (nF) GATE TO SOURCE VOLTAGE VGS (V) 2 SWITCHING TIME t (μs) 12 8 Ciss 1 6 8 0.5 toff 4 Coss 0.2 ton 4 2 Crss 0.1 0 0.05 0 1 2 5 10 20 50 DRAIN TO SOURCE VOLTAGE VDS (V) 100 0 40 80 120 160 200 TOTAL GATE CHRAGE Qg (nC) 240 2 5 10 20 50 100 SERIES GATE IMPEDANCE RG (Ω )   200 Fig. 7 Typical Switching Time Fig. 7 Vs. Drain Current Fig. 8 Typical Source-Drain Diode Forward Fig. 8 Characteristics Fig. 9 Typical Reverse Recovery Characteristics IS=30A  IS=15A Tj=150℃ 1000 RG=7Ω VDD=250V TC=25℃ 80μs Pulse Test 60 250μs Pulse Test 500 REVERSE RECOVERY TIME trr (ns) REVERSE CURRENT IR (A) 500 SOURCE CURRENT IS (A) SWITCHING TIME t (ns) 50 200 trr 200 td(off) td(on) tr 40 100 100 30 Tj=125℃ Tj=25℃ 50 IR 50 tf 20 20 20 10 10 10 1 2 5 10 20 DRAIN CURRENT ID (A) 50 0 0 0.4 0.8 1.2 SOURCE TO DRAIN VOLTAGE VSD (V) 2 10 0 5 2 10 -1 5 2 1.6 5 0 100 200 300 400 -dis/dt (A/μs) 500 600 200 TC=25℃ Tj=150℃MAX Single Pulse Operation in this area 100 is limited by RDS (on) 50 DRAIN CURRENT ID (A) 20 10 5 2 1 0.5 0.2 10μs 100μs NORMALIZED TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE [rth(j-c) / Rth(j-c)] Fig. 10 Maximum Safe Operating Area Fig. 11-1 Normalized Transient Thermal impedance(MOSFET) Per Unit Base Rth(j-c)=0.56℃/W 1 Shot Pulse 10 -2 -5 10 10 -4 1ms 10 -3 10 -2 10 -1 PULSE DURATION t (s) 10 0 10 1 NORMALIZED TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE [rth(j-c) / Rth(j-c)] Fig. 11-2 Normalized Transient Thermal impedance(DIODE) 10ms DC −441H −440H 5 10 20 50 100 200 500 1000 DRAIN TO SOURCE VOLTAGE VDS (V) 2 10 0 5 2 10 -1 5 2 10 -2 -5 10 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 PULSE DURATION t (s) Per Unit Base Rth(j-c)=2.0℃/W 1 Shot Pulse 1 2 10 0 10 1 ─ 309 ─