PDM1405HA_1

MOSFET 140A 500V MOSFET 140A 500V PDM1405HA PDM1405HA 質量 Approximate Weight :460g ■最大定格 Maximum Ratings 項 Rating ドレイン・ソース間電圧 Drain-Source Voltage 目 記号 Symbol VDSS VGSS VGS=0V 耐 圧・クラス Grade PDM1405HA 500 ±20 140（Ｔc=25℃） 100（Ｔc=25℃） 280（Ｔc=25℃） 880（Ｔc=25℃） −40∼+150℃ −40∼+125℃ 2000 端子 - ベース間,AC1 分間 Terminals to Base, AC 1 min . 3.0（本体取付 Module Base to Heat sink） 2.0（ネジ端子部 Bus bar to Main Terminals） 単位 Unit V V A A W ℃ ℃ V N・m ゲート・ソース間電圧 Gate-Source Voltage ドレイン電流（連続） Continuous Drain Current Duty=50% D.C. ID IDM PD Tjw Tstg Viso Ftor パルスドレイン電流 Pulsed Drain Current 全損失 Total Power Dissipation 動作接合温度範囲 Operating Junction Temperature Range 保存温度範囲 Storage Temperature Range 絶縁耐圧 RMS Isolation Voltage 締付トルク Mounting Torque 1 ■電気的特性 Electrical Characteristics（＠TC＝25℃ unless otherwise noted） 項   目 Characteristic ドレイン遮断電流 Zero Gate Voltage Drain Current ゲート・ソース間しきい値電圧 Gate-Source Threshold Voltage ゲート・ソース間漏れ電流 Gate-Source Leakage Current ドレイン・ソース間オン抵抗 （MOSFET部） Static Drain-Source On-Resistance ドレイン・ソース間オン電圧 Drain-Source On-Voltage 順伝達コンダクタンス Forward Transconductance 入力容量 Input Capacitance 出力容量 Output Capacitance 帰還容量 Reverse Transfer Capacitance ターン・オン遅延時間 Turn-On Delay Time 上昇時間 Rise Time ターン・オン遅延時間 Turn-Off Delay Time 下降時間 Fall Time 記号 Symbol IDSS VGS （th） IGSS rDS （on） VDS （on） gfg Ciss Coss Crss t（on） d tr t（off） d tf VDD＝1/2VDSS ID＝70A VGS＝−5V, ＋10V RG＝5Ω VGS＝0V VDS＝25V f＝1MHz 条   件 Condition VDS＝VDSS, VGS＝0V Tj＝125℃, VDS＝0.8VDSS, VGS＝0V VDS＝VGS, ID＝10mA VGS＝±20V, VDS＝0V VGS＝10V, ID＝70A VGS＝10V, ID＝70A VDS＝15V, ID＝70A 特性値（最大） Maximum Value 最小 標準 最大 Min. Typ. Max. 単位 Unit mA V μ A mΩ V S nF nF nF ns ns ns ns ─ ─ 2 ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ 3.1 ─ 35 3.0 100 28 3.6 0.8 300 420 810 200 2 8 4.0 1 40 3.4 ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ■内部ダイオード定格・特性 Source-Drain Diode Ratings and Characteristics（＠TC＝25℃ unless otherwise noted） 項   目 Characteristic ソース電流（連続） Continuous Source Current パルスソース電流 Pulsed Source Current ダイオード順電圧 Diode Forward Voltage 逆回復時間 Reverse Recovery Time 逆回復電荷 Reverse Recovery Charge 記号 Symbol IS ISM VSD trr Qr IS＝140A IS＝140A −diS/dt＝100A/ s μ D. C. 条   件 Condition 特性値（最大） Maximum Value 最小 標準 最大 Min. Typ. Max. 単位 Unit A A V ns μ C ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ 130 0.3 100 280 1.7 ─ ─ ■熱抵抗特性 Thermal Characteristics 項   目 Characteristic 熱抵抗（接合部−ケース間） Thermal Resistance, Junction to Case 接触熱抵抗（ケース−冷却フィン間） Thermal Resistance, Case to Heatsink 記号 Symbol Rth （j-c） Rth （c-f） MOSFET Diode サーマルコンパウンド塗布 Mounting surface flat, smooth, and greased 条   件 Condition 特性値（最大） Maximum Value 最小 標準 最大 Min. Typ. Max. 単位 Unit ─ ─ ─ ─ ─ ─ 0.142 1.0 0.05 ℃/W ─ 335 ─ ■定格・特性曲線 Fig. 1 Typical Output Characteristics TC=25℃ 250μs Pulse Test Fig. 2 Typical Drain-Source On-Voltage Fig. 2 Vs. Gate-Source Voltage Fig. 3 Typical Drain-Source On Voltage Fig. 3 Vs. Junction Temperature 240 12 DRAIN TO SOURCE ON VOLTAGE VDS (on)(V) TC=25℃ 250μs Pulse Test 15 DRAIN TO SOURCE ON VOLTAGE VDS (on)(V) VGS=10V 250μs Pulse Test VGS=10V 200 DRAIN CURRENT ID (A) 8V 7V 10 12 ID=140A 160 6V 8 ID=145A 9 120 6 6 70A 80 5V 4 70A 40 2 35A 3 35A 0 0 2 4 6 8 10 DRAIN TO SOURCE VOLTAGE VDS (V) 12 0 0 4 8 12 GATE TO SOURCE VOLTAGE VGS (V) 16 0 -40 0 40 80 120 JUNCTION TEMPERATURE Tj ( ) ℃ 160 Fig. 4 Typical Capacitance Fig. 4 Vs. Drain-Source Voltage Fig. 5 Typical Gate Charge Fig. 5 Vs. Gate-Source Voltage VGS=0V f=1MHz Fig. 6 Typical Switching Time Fig. 6 Vs. Series Gate impedance ID=100A VDD= 100V 250V 400V 36 16 10 ID=70A VDD=250V TC=25℃ 80μs Pulse Test td(off) 30 CAPACITANCE C (nF) GATE TO SOURCE VOLTAGE VGS (V) 5 SWITCHING TIME t (μs) Ciss 12 tr td(on) tf 24 2 1 18 8 12 0.5 4 6 0.2 0 1 2 5 10 20 50 DRAIN TO SOURCE VOLTAGE VDS (V) 100 0 0 300 600 900 1200 1500 TOTAL GATE CHRAGE Qg (nC) 1800 0.1 2 5 10 20 50 100 SERIES GATE IMPEDANCE RG (Ω )   200 Fig. 7 Typical Switching Time Fig. 7 Vs. Drain Current Fig. 8 Typical Source-Drain Diode Forward Fig. 8 Characteristics Fig. 9 Typical Reverse Recovery Characteristics IS=140A  IS=100A Tj=125℃ trr 1000 RG=5Ω VDD=250V TC=25℃ 80μs Pulse Test td(off) 200 250μs Pulse Test 500 REVERSE RECOVERY TIME trr (ns) REVERSE CURRENT IR (A) 500 tr 200 tf SOURCE CURRENT IS (A) td(on) 160 200 SWITCHING TIME t (ns) 100 120 Tj=125℃ Tj=25℃ 100 50 IR 80 50 20 40 20 10 0 10 2 5 10 20 50 DRAIN CURRENT ID (A) 100 200 0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 SOURCE TO DRAIN VOLTAGE VSD (V) 2 1 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 2.4 5 0 100 200 300 400 -dis/dt (A/μs) 500 600 500 200 100 DRAIN CURRENT ID (A) 50 20 10 5 2 1 0.5 1 2 TC=25℃ Tj=150℃MAX Single Pulse 10μs 100μs NORMALIZED TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE [rth(j-c) / Rth(j-c)] Fig. 10 Maximum Safe Operating Area Fig. 11-1 Normalized Transient Thermal impedance(MOSFET) Operation in this area is limited by RDS (on) 1ms Per Unit Base Rth(j-c)=0.142℃/W 1 Shot Pulse Ｍ Ｏ Ｓ Ｆ Ｅ Ｔ モ ジ ュ ー ル 0.01 -5 10 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 PULSE DURATION t (s) 1 10 10ms NORMALIZED TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE [rth(j-c) / Rth(j-c)] Fig. 11-2 Normalized Transient Thermal impedance(DIODE) 2 1 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 -5 10 Per Unit Base Rth(j-c)=1.0℃/W 1 Shot Pulse DC 5 10 20 50 100 200 5001000 DRAIN TO SOURCE VOLTAGE VDS (V) 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 PULSE DURATION t (s) 1 10 ─ 336 ─