PDM505HA_1

MOSFET 50A 500V MOSFET 50A 500V PDM505HA 108.0 PDM505HA P2HM505HA P2HM505HA P2HM505H P2HM505HA 108.0 質量 Approximate Weight :220g ■最大定格 Maximum Ratings 質量 Approximate Weight :220g 項 Rating ドレイン・ソース間電圧 Drain-Source Voltage 目 記号 Symbol VDSS VGSS VGS=0V 耐 圧・クラス Grade PDM505HA / P2HM505HA 500 ±20 50（Ｔc=25℃） 35（Ｔc=25℃） 100（Ｔc=25℃） 350（Ｔc=25℃） −40∼+150℃ −40∼+125℃ 2000 端子 - ベース間,AC1 分間 Terminals to Base, AC 1 min . 3.0（本体取付 Module Base to Heat sink） 2.0（ネジ端子部 Bus bar to Main Terminals） 単位 Unit V V A A W ℃ ℃ V N・m ゲート・ソース間電圧 Gate-Source Voltage ドレイン電流（連続） Continuous Drain Current Duty=50% D.C. ID IDM PD Tjw Tstg Viso Ftor パルスドレイン電流 Pulsed Drain Current 全損失 Total Power Dissipation 動作接合温度範囲 Operating Junction Temperature Range 保存温度範囲 Storage Temperature Range 絶縁耐圧 RMS Isolation Voltage 締付トルク Mounting Torque 1 ■電気的特性 Electrical Characteristics（＠TC＝25℃ unless otherwise noted） 項   目 Characteristic ドレイン遮断電流 Zero Gate Voltage Drain Current ゲート・ソース間しきい値電圧 Gate-Source Threshold Voltage ゲート・ソース間漏れ電流 Gate-Source Leakage Current ドレイン・ソース間オン抵抗 （MOSFET部） Static Drain-Source On-Resistance ドレイン・ソース間オン電圧 Drain-Source On-Voltage 順伝達コンダクタンス Forward Transconductance 入力容量 Input Capacitance 出力容量 Output Capacitance 帰還容量 Reverse Transfer Capacitance ターン・オン遅延時間 Turn-On Delay Time 上昇時間 Rise Time ターン・オン遅延時間 Turn-Off Delay Time 下降時間 Fall Time 記号 Symbol IDSS VGS （th） IGSS rDS （on） VDS （on） gfg Ciss Coss Crss t（on） d tr t（off） d tf VDD＝1/2VDSS ID＝25A VGS＝−5V, ＋10V RG＝5Ω VGS＝0V VDS＝25V f＝1MHz 条   件 Condition VDS＝VDSS, VGS＝0V Tj＝125℃, VDS＝VDSS, VGS＝0V VDS＝VGS, ID＝3mA VGS＝±20V, VDS＝0V VGS＝10V, ID＝25A VGS＝10V, ID＝25A VDS＝15V, ID＝25A 特性値（最大） Maximum Value 最小 標準 最大 Min. Typ. Max. 単位 Unit mA V μ A mΩ V S nF nF nF ns ns ns ns ─ ─ 2 ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ 3.1 ─ 110 3.2 30 8.4 1.1 0.24 92 110 250 68 1 4 4 0.3 120 3.5 ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ■内部ダイオード定格・特性 Source-Drain Diode Ratings and Characteristics（＠TC＝25℃ unless otherwise noted） 項   目 Characteristic ソース電流（連続） Continuous Source Current パルスソース電流 Pulsed Source Current ダイオード順電圧 Diode Forward Voltage 逆回復時間 Reverse Recovery Time 逆回復電荷 Reverse Recovery Charge 記号 Symbol IS ISM VSD trr Qr IS＝50A IS＝50A −diS/dt＝100A/ s μ D. C. 条   件 Condition 特性値（最大） Maximum Value 最小 標準 最大 Min. Typ. Max. 単位 Unit A A V ns μ C ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ 80 0.18 35 100 1.5 ─ ─ ■熱抵抗特性 Thermal Characteristics 項   目 Characteristic 熱抵抗（接合部−ケース間） Thermal Resistance, Junction to Case 接触熱抵抗（ケース−冷却フィン間） Thermal Resistance, Case to Heatsink 記号 Symbol Rth （j-c） Rth （c-f） MOSFET Diode サーマルコンパウンド塗布 Mounting surface flat, smooth, and greased 条   件 Condition 特性値（最大） Maximum Value 最小 標準 最大 Min. Typ. Max. 単位 Unit ─ ─ ─ ─ ─ ─ 0.36 2.0 0.1 ℃/W Ｍ Ｏ Ｓ Ｆ Ｅ Ｔ モ ジ ュ ー ル ─ 326 ─ ■定格・特性曲線 Fig. 1 Typical Output Characteristics TC=25℃ 250μs Pulse Test Fig. 2 Typical Drain-Source On-Voltage Fig. 2 Vs. Gate-Source Voltage Fig. 3 Typical Drain-Source On Voltage Fig. 3 Vs. Junction Temperature 80 8 DRAIN TO SOURCE ON VOLTAGE VDS (on)(V) TC=25℃ 250μs Pulse Test 16 DRAIN TO SOURCE ON VOLTAGE VDS (on)(V) VGS=10V 250μs Pulse Test VGS=10V 8V ID=50A ID=50A DRAIN CURRENT ID (A) 60 6V 6 12 40 4 25A 15A 8 25A 20 5V 2 4 15A 0 0 2 4 6 8 10 DRAIN TO SOURCE VOLTAGE VDS (V) 12 0 0 4 8 12 GATE TO SOURCE VOLTAGE VGS (V) 16 0 -40 0 40 80 120 JUNCTION TEMPERATURE Tj ( ) ℃ 160 Fig. 4 Typical Capacitance Fig. 4 Vs. Drain-Source Voltage Fig. 5 Typical Gate Charge Fig. 5 Vs. Gate-Source Voltage VGS=0V f=1MHz Fig. 6 Typical Switching Time Fig. 6 Vs. Series Gate impedance ID=35A 12 16 VDD= 100V 250V 400V 5 ID=25A VDD=250V TC=25℃ 80μs Pulse Test td(off) 10 CAPACITANCE C (nF) Ciss GATE TO SOURCE VOLTAGE VGS (V) 2 SWITCHING TIME t (μs) 12 tr td(on) tf 8 1 6 8 0.5 4 0.2 4 2 Coss 0.1 0 0.05 0 1 2 5 10 20 50 DRAIN TO SOURCE VOLTAGE VDS (V) 100 0 100 200 300 400 500 TOTAL GATE CHRAGE Qg (nC) 600 2 5 10 20 50 100 SERIES GATE IMPEDANCE RG (Ω )   200 Fig. 7 Typical Switching Time Fig. 7 Vs. Drain Current Fig. 8 Typical Source-Drain Diode Forward Fig. 8 Characteristics Fig. 9 Typical Reverse Recovery Characteristics IS=50A  IS=25A Tj=125℃ 1000 RG=5Ω VDD=250V TC=25℃ 80μs Pulse Test 120 250μs Pulse Test 500 REVERSE RECOVERY TIME trr (ns) REVERSE CURRENT IR (A) 500 SOURCE CURRENT IS (A) SWITCHING TIME t (ns) 100 Tj=125℃ 200 trr 200 td(off) 80 100 100 tr tf td(on) 60 Tj=25℃ 50 50 40 20 IR 20 10 20 10 1 2 5 10 20 DRAIN CURRENT ID (A) 50 100 0 0 0.3 0.6 0.9 1.2 1.5 SOURCE TO DRAIN VOLTAGE VSD (V) 2 1 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 1.8 5 0 100 200 300 400 -dis/dt (A/μs) 500 600 200 100 50 DRAIN CURRENT ID (A) TC=25℃ Tj=150℃MAX Single Pulse 10μs NORMALIZED TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE [rth(j-c) / Rth(j-c)] Fig. 10 Maximum Safe Operating Area Fig. 11-1 Normalized Transient Thermal impedance(MOSFET) 100μs 20 10 5 2 1 0.5 0.2 DC 1ms Operation in this area is limited by RDS (on) 10ms Per Unit Base Rth(j-c)=0.36℃/W 1 Shot Pulse 0.01 -5 10 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 PULSE DURATION t (s) 1 10 NORMALIZED TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE [rth(j-c) / Rth(j-c)] Fig. 11-2 Normalized Transient Thermal impedance(DIODE) 2 1 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 -5 10 Per Unit Base Rth(j-c)=2.0℃/W 1 Shot Pulse 1 2 5 10 20 50 100 200 500 1000 DRAIN TO SOURCE VOLTAGE VDS (V) 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 PULSE DURATION t (s) 1 10 ─ 327 ─