MOSFET 75A 500V MOSFET 75A 500V
PDM755HA
108.0
PDM755HA P2HM755HA
P2HM755HA P2HM755H P2HM755HA
108.0
質量 Approximate Weight :220g ■最大定格 Maximum Ratings
質量 Approximate Weight :220g
項 Rating ドレイン・ソース間電圧
Drain-Source Voltage
目
記号 Symbol
VDSS VGSS VGS=0V
耐 圧・クラス Grade PDM755HA / P2HM755HA 500
±20 75(Tc=25℃) 53(Tc=25℃) 150(Tc=25℃) 500(Tc=25℃) −40∼+150℃ −40∼+125℃ 2000 端子 - ベース間,AC1 分間 Terminals to Base, AC 1 min . 3.0(本体取付 Module Base to Heat sink) 2.0(ネジ端子部 Bus bar to Main Terminals)
単位 Unit V V A A W ℃ ℃ V N・m
ゲート・ソース間電圧
Gate-Source Voltage
ドレイン電流(連続)
Continuous Drain Current
Duty=50% D.C.
ID IDM PD Tjw Tstg Viso Ftor
パルスドレイン電流
Pulsed Drain Current
全損失
Total Power Dissipation
動作接合温度範囲
Operating Junction Temperature Range
保存温度範囲
Storage Temperature Range
絶縁耐圧
RMS Isolation Voltage
締付トルク
Mounting Torque 1
■電気的特性 Electrical Characteristics(@TC=25℃ unless otherwise noted)
項 目 Characteristic ドレイン遮断電流 Zero Gate Voltage Drain Current ゲート・ソース間しきい値電圧 Gate-Source Threshold Voltage ゲート・ソース間漏れ電流 Gate-Source Leakage Current ドレイン・ソース間オン抵抗 (MOSFET部) Static Drain-Source On-Resistance ドレイン・ソース間オン電圧 Drain-Source On-Voltage 順伝達コンダクタンス Forward Transconductance 入力容量 Input Capacitance 出力容量 Output Capacitance 帰還容量 Reverse Transfer Capacitance ターン・オン遅延時間 Turn-On Delay Time 上昇時間 Rise Time ターン・オン遅延時間 Turn-Off Delay Time 下降時間 Fall Time 記号 Symbol IDSS VGS (th) IGSS rDS (on) VDS (on) gfg Ciss Coss Crss t(on) d tr t(off) d tf VDD=1/2VDSS ID=35A VGS=−5V, +10V RG=5Ω VGS=0V VDS=25V f=1MHz 条 件 Condition VDS=VDSS, VGS=0V Tj=125℃, VDS=VDSS, VGS=0V VDS=VGS, ID=5mA VGS=±20V, VDS=0V VGS=10V, ID=35A VGS=10V, ID=35A VDS=15V, ID=35A
特性値(最大) Maximum Value 最小 標準 最大 Min. Typ. Max.
単位 Unit mA V μ A mΩ V S nF nF nF ns ns ns ns
─ ─ 2 ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─
─ ─ 2.9 ─ 55 2.4 75 16 1.8 0.4 180 70 390 50
1 4 4 10 65 2.9 ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─
■内部ダイオード定格・特性 Source-Drain Diode Ratings and Characteristics(@TC=25℃ unless otherwise noted)
項 目 Characteristic ソース電流(連続) Continuous Source Current パルスソース電流 Pulsed Source Current ダイオード順電圧 Diode Forward Voltage 逆回復時間 Reverse Recovery Time 逆回復電荷 Reverse Recovery Charge 記号 Symbol IS ISM VSD trr Qr IS=75A IS=75A −diS/dt=100A/ s μ D. C. 条 件 Condition
特性値(最大) Maximum Value 最小 標準 最大 Min. Typ. Max.
単位 Unit A A V ns μ C
─ ─ ─ ─ ─
─ ─ ─ 70 0.15
53 150 1.8 ─ ─
■熱抵抗特性 Thermal Characteristics
項 目 Characteristic 熱抵抗(接合部−ケース間) Thermal Resistance, Junction to Case 接触熱抵抗(ケース−冷却フィン間) Thermal Resistance, Case to Heatsink 記号 Symbol Rth (j-c) Rth (c-f) MOSFET Diode サーマルコンパウンド塗布 Mounting surface flat, smooth, and greased 条 件 Condition
特性値(最大) Maximum Value 最小 標準 最大 Min. Typ. Max.
単位 Unit
─ ─ ─
─ ─ ─
0.25 2.0 0.1 ℃/W
─ 329 ─
■定格・特性曲線
Fig. 1 Typical Output Characteristics
TC=25℃ 250μs Pulse Test
Fig. 2 Typical Drain-Source On-Voltage Fig. 2 Vs. Gate-Source Voltage
Fig. 3 Typical Drain-Source On Voltage Fig. 3 Vs. Junction Temperature
150
8 DRAIN TO SOURCE ON VOLTAGE VDS (on)(V)
TC=25℃ 250μs Pulse Test
16 DRAIN TO SOURCE ON VOLTAGE VDS (on)(V)
VGS=10V 250μs Pulse Test
120 DRAIN CURRENT ID (A)
VGS=10V 8V
6
ID=75A
12
ID=75A
90
6V
4
35A
8
60
35A
2
30
20A
4
5V
20A
0
0
2 4 6 8 10 DRAIN TO SOURCE VOLTAGE VDS (V)
12
0
0
4 8 12 GATE TO SOURCE VOLTAGE VGS (V)
16
0 -40
0 40 80 120 JUNCTION TEMPERATURE Tj ( ) ℃
160
Fig. 4 Typical Capacitance Fig. 4 Vs. Drain-Source Voltage
Fig. 5 Typical Gate Charge Fig. 5 Vs. Gate-Source Voltage
VGS=0V f=1MHz
Fig. 6 Typical Switching Time Fig. 6 Vs. Series Gate impedance
ID=50A VDD= 100V 250V 400V
24
16
5
ID=35A VDD=250V TC=25℃ 80μs Pulse Test td(off) tr td(on) tf
20 CAPACITANCE C (nF)
GATE TO SOURCE VOLTAGE VGS (V)
2 SWITCHING TIME t (μs) 0 200 400 600 TOTAL GATE CHRAGE Qg (nC) 800 12
16
Ciss
1
12
8
0.5
8
0.2
4
4
Coss
0.1 0 0.05
0
1
2 5 10 20 50 DRAIN TO SOURCE VOLTAGE VDS (V)
100
2
5 10 20 50 100 SERIES GATE IMPEDANCE RG (Ω )
200
Fig. 7 Typical Switching Time Fig. 7 Vs. Drain Current
Fig. 8 Typical Source-Drain Diode Forward Fig. 8 Characteristics
Fig. 9 Typical Reverse Recovery Characteristics
IS=75A IS=35A Tj=125℃
1000
RG=5Ω VDD=250V TC=25℃ 80μs Pulse Test
180
250μs Pulse Test
500
td(off)
REVERSE RECOVERY TIME trr (ns) REVERSE CURRENT IR (A)
500 SWITCHING TIME t (ns)
trr
150 SOURCE CURRENT IS (A)
tr
200
200
td(on) tf
120
Tj=125℃
100
100
90
Tj=25℃
50
IR
50
60
20
20 10
30
10
2
5
10 20 50 DRAIN CURRENT ID (A)
100
200
0
0
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 SOURCE TO DRAIN VOLTAGE VSD (V)
2 1 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02
2.4
5
0
100
200
300 400 -dis/dt (A/μs)
500
600
200 100 50 DRAIN CURRENT ID (A) 20 10 5 2 1 0.5 0.2
TC=25℃ Tj=150℃MAX Single Pulse 10μs 100μs
NORMALIZED TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE [rth(j-c) / Rth(j-c)]
Fig. 10 Maximum Safe Operating Area
Fig. 11-1 Normalized Transient Thermal impedance(MOSFET)
1ms Operation in this area is limited by RDS (on)
Per Unit Base Rth(j-c)=0.25℃/W 1 Shot Pulse
M O S F E T モ ジ ュ ー ル
0.01 -5 10
10 -4
10ms
10 -3 10 -2 10 -1 PULSE DURATION t (s)
1
10
NORMALIZED TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE [rth(j-c) / Rth(j-c)]
Fig. 11-2 Normalized Transient Thermal impedance(DIODE)
DC
2 1 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 -5 10
Per Unit Base Rth(j-c)=2.0℃/W 1 Shot Pulse
1
2
5 10 20 50 100 200 500 1000 DRAIN TO SOURCE VOLTAGE VDS (V)
10 -4
10 -3 10 -2 10 -1 PULSE DURATION t (s)
1
10
─ 330 ─
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