PDMB100B12C

QS043-401M0059 (2/4) ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｄｕａｌ □ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ ＰＤＭＢ１００Ｂ１２Ｃ １００ Ａ，１２００Ｖ ＰＤＭＢ１００Ｂ１２Ｃ２ 94 80 ± 0 .2 5 12 11 2 □ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ 12.0 11.0 12.0 11.0 12.0 94.0 80 ±0.25 48.0 16.0 14.0 4 18.0 (C2E1) 1 (E2) 2 (C1) 3 7(G2) 6(E2) 2-Ø6.5 1 2 3 7 6 12 1 11 12 3 12 5 4 2-Ø 5.5 4 5(E1) 4(G1) 5 4 3-M5 14 23.0 9 14 23.0 9 14 17.0 4-fasten tab #110 t=0.5 21.2 7.5 3-M5 23 23 17 4-fasten tab #110 t= 0.5 8 16 7 16 7 16 LABEL 30 +1 .0 - 0 .5 30 +1.0 - 0 .5 LABEL 7 PDMB100B12C PDMB100B12C2 Dimension:［mm］ □ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ Ｉｔｅｍ コレクタ・エミッタ間電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage コレクタ電流 Ｃollector Ｃurrent コレクタ損失 Ｃollector Ｐower Ｄissipation 接 合 温 度 Ｊunction Ｔemperature Ｒange 保 存 温 度 Ｓtorage Ｔemperature Ｒange （ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＶＣＥＳ ＶＧＥＳ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ Ｖ Ｖ Ａ Ｗ ℃ ℃ Ｖ（ＲＭＳ） １，２００ ±２０ １００ ２００ ５００ －４０～＋１５０ －４０～＋１２５ ２,５００ PDMB100B12C ＤＣ １ｍｓ ＩＣ ＩＣＰ ＰＣ Ｔｊ Ｔｓｔｇ ＶＩＳＯ Ｆｔｏｒ 絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute) Ｉsolation Ｖoltage Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink 締め付けトルク Ｍounting Ｔorque Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal □ 電気的特性 ３（３０.６） PDMB100B12C2 ２（２０.４） Ｎ・ｍ (kgf･cm) ２（２０.４） ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＩＣＥＳ ＩＧＥＳ ＶＣＥ（ｓａｔ） ＶＧＥ（ｔｈ） Ｃｉｅｓ 上昇時間 ターンオン時間 下降時間 ターンオフ時間 Ｒise Ｔurn-on Ｆall Ｔurn-off Ｔime Ｔime Ｔime Ｔime ｔｒ ｔｏｎ ｔｆ ｔｏｆｆ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＶＣＥ= 1200V,ＶＧＥ= 0V ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V ＩＣ= 100A,ＶＧＥ= 15V ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 100mA ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ ＶＣＣ= 600V ＲL= 6Ω ＲG= 10Ω ＶＧＥ= ±15V Ｍｉｎ. － － － ４.０ － － － － － Ｔｙｐ. － － １.９ － 8,300 ０.２５ ０.４０ ０.２５ ０.８０ Ｍａｘ. ２.０ １.０ ２.４ ８.０ － ０.４５ ０.７０ ０.３５ １.１０ Ｕｎｉｔ ｍＡ μＡ Ｖ Ｖ ｐＦ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ コレクタ遮断電流 Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent ゲート漏れ電流 Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage ゲ ー ト しきい値電圧 Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage 入 力 容 量 Ｉnput Ｃapacitance スイッチング時間 Ｓwitching Ｔime 6 23 4 35 μｓ □フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ Ｉｔｅｍ 順 電 流 Ｆorward Ｃurrent Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 順 電 圧 Ｐeak Ｆorward Ｖoltage 逆回復時間 Ｒeverse Ｒecovery Ｔime □熱 的 特性 ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＩＦ ＩＦＭ Ｓｙｍｂｏｌ ＶＦ ｔｒｒ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ １００ ２００ Ｍｉｎ. － － Ｔｙｐ. １.９ ０.２ Ｍａｘ. ２.４ ０.３ Ｕｎｉｔ Ａ ＤＣ １ｍｓ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＩＦ= 100A,ＶＧＥ= 0V ＩＦ= 100A,ＶＧＥ= -10V ｄi/ｄt= 200A/μs Ｕｎｉｔ Ｖ μｓ ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｓｙｍｂｏｌ Ｒth(j-c) Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Junction to Case Ｍｉｎ. － － Ｔｙｐ. － － Ｍａｘ. ０.２４ ０.４２ Ｕｎｉｔ ℃／Ｗ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 熱 抵 抗 ＩＧＢＴ Ｔhermal Ｉmpedance Ｄiode 日本インター株式会社 QS043-401M0059 (3/4) ＰＤＭＢ１００Ｂ１２ ＰＤＭＢ１００Ｂ１２Ｃ Fig.2- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) TC=25℃ VGE=20V 15V 12V 10V 16 Fig.1- Output Characteristics (Typical) 200 TC=25℃ IC=50A 200A Collector to Emitter Voltage V CE (V) 14 12 10 8 6 4 2 0 100A Collector Current I C (A) 150 9V 100 8V 50 7V 0 0 2 4 6 8 10 0 4 8 12 16 20 Collector to Emitter Voltage VCE (V) Gate to Emitter Voltage VGE (V) Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) 16 Fig.4- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) TC=125℃ 800 700 600 500 400 16 IC=50A 200A Collector to Emitter Voltage V CE (V) 100A 12 10 8 6 4 2 0 Collector to Emitter Voltage V CE (V) 14 R L=6Ω TC=25℃ 14 Gate to Emitter Voltage VGE (V) 12 10 8 V CE=600V 300 6 400V 200 100 0 0 150 300 450 600 750 200V 4 2 0 0 4 8 12 16 20 Gate to Emitter Voltage VGE (V) Total Gate Charge Qg (nC) Fig.5- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 50000 20000 10000 Fig.6- Collector Current vs. Switching Time (Typical) 1.6 VGE=0V f=1MHZ TC=25℃ Cies 1.4 1.2 VCC=600V RG=10Ω VGE=±15V TC=25℃ Switching Time t (μs) Capacitance C (pF) 5000 2000 1000 500 200 1 0.8 0.6 0.4 tOFF Coes tf Cres 100 50 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 0.2 0 tON tr 0 25 50 75 100 Collector to Emitter Voltage VCE (V) Collector Current IC (A) 日本インター株式会社 QS043-401M0059 (4/4) ＰＤＭＢ１００Ｂ１２ ＰＤＭＢ１００Ｂ１２Ｃ Fig.8- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical) 10 5 (Typical) 200 VCC=600V IC=100A VGE=±15V TC=25℃ TC=25℃ TC=125℃ toff ton tr 2 1 tf 0.5 Forward Current I F ( A) 200 150 Switching Time t (μs) 100 0.2 0.1 0.05 50 5 10 20 50 100 0 0 1 2 3 4 Series Gate Impedance RG (Ω) Forward Voltage V F ( V) Fig.9- Reverse Recovery Characteristics (Typical) 500 Fig.10- Reverse Bias Safe Operating Area 500 200 100 Peak Reverse Recovery Current I RrM ( A) Reverse Recovery Time trr ( ns) I F=100A TC=25℃ trr 200 R G=10Ω V GE=±15V TC≦125℃ 50 Collector Current I C ( A) 100 50 20 10 5 2 1 0.5 20 10 5 I RrM 2 1 0 100 200 300 400 500 600 0.2 0.1 0 400 800 1200 1600 -di/dt ( A/μs) Collector to Emitter Voltage V CE ( V) Fig.11- Transient Thermal Impedance 1 (℃/W) 5x10 -1 FRD IGBT Transient Thermal Impedance Rth (J-C) 2x10 -1 1x10 -1 5x10 -2 2x10 -2 1x10 -2 5x10 -3 TC=25℃ 1 Shot Pulse 2x10 -3 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 1 10 1 Time t (s) 日本インター株式会社