PDMB150E6C

QS043-402-20398（2/5） ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｄｕａｌ □ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ ＰＤＭＢ１５０Ｅ６ １５０ Ａ，６００Ｖ □ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ ＰＤＭＢ１５０Ｅ６Ｃ (C2E1) 1 (E2) 2 (C1) 3 7(G2) 6(E2) 12.0 11.0 12.0 11.0 12.0 94.0 80 ±0.25 2-Ø6.5 1 48.0 16.0 14.0 2 3 7 6 12 1 11 94 80 ± 0 .2 5 12 11 2 12 3 7 6 2-Ø 5.5 4 4-fasten tab #110 t= 0.5 8 6 4 18.0 4 5(E1) 4(G1) 5 4 5 4 3-M5 23.0 23.0 17.0 4-fasten tab #110 t=0.5 21.2 7.5 3-M5 23 23 17 14 9 14 9 14 16 7 16 7 16 30 +1 .0 - 0 .5 30 +1 .0 - 0 .5 PDMB150E6 □ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ Ｉｔｅｍ コレクタ・エミッタ間電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage コレクタ電流 Ｃollector Ｃurrent コレクタ損失 Ｃollector Ｐower Ｄissipation 接 合 温 度 Ｊunction Ｔemperature Ｒange 保 存 温 度 Ｓtorage Ｔemperature Ｒange 絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute) Ｉsolation Ｖoltage Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink 締め付けトルク Ｍounting Ｔorque Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal □ 電気的特性 ＤＣ １ｍｓ （ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＶＣＥＳ ＶＧＥＳ ＩＣ ＩＣＰ ＰＣ Ｔｊ Ｔｓｔｇ ＶＩＳＯ Ｆｔｏｒ Ｒａｔｅｄ 7 PDMB150E6C Dimension:［mm］ Ｖａｌｕｅ 23 4 12 17 35 Ｕｎｉｔ Ｖ Ｖ Ａ Ｗ ℃ ℃ Ｖ（ＲＭＳ） ２２.） （ ０４ （０ ） ２ ２ .４ Ｎ・ｍ (kgf･cm) ６００ ±２０ １５０ ３００ ５６０ －４０～＋１５０ －４０～＋１２５ ２,５００ PDMB150E6 ３ ３ .６ （０ ） ２２.） （ ０４ PDMB150E6Ｃ ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＩＣＥＳ ＩＧＥＳ ＶＣＥ（ｓａｔ） ＶＧＥ（ｔｈ） Ｃｉｅｓ 上昇時間 ターンオン時間 下降時間 ターンオフ時間 Ｒise Ｔurn-on Ｆall Ｔurn-off Ｔime Ｔime Ｔime Ｔime ｔｒ ｔｏｎ ｔｆ ｔｏｆｆ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＶＣＥ= 600V, ＶＧＥ= 0V ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V ＩＣ= 150A,ＶＧＥ= 15V ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 150mA ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ ＶＣＣ= Ｒ Ｌ= ＲＧ= ＶＧＥ= 300V 2.0Ω 5.1Ω ±15V Ｍｉｎ. － － － ４.０ － － － － － Ｔｙｐ. － － ２.１ － 7,500 ０.１５ ０.２５ ０.１０ ０.３５ Ｍａｘ. １.０ １.０ ２.６ ８.０ － ０.３０ ０.４０ ０.３５ ０.７０ Ｕｎｉｔ ｍＡ μＡ Ｖ Ｖ ｐＦ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ コレクタ遮断電流 Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent ゲート漏れ電流 Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage ゲ ー ト しきい値電圧 Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage 入 力 容 量 Ｉnput Ｃapacitance スイッチング時間 Ｓwitching Ｔime μｓ □フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ Ｉｔｅｍ 順 電 流 Ｆorward Ｃurrent Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 順 電 圧 Ｐeak Ｆorward Ｖoltage 逆回復時間 Ｒeverse Ｒecovery Ｔime ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＩＦ ＩＦＭ Ｓｙｍｂｏｌ ＶＦ ｔｒｒ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ １５０ ３００ Ｍｉｎ. － － Ｔｙｐ. １.９ ０.１５ Ｍａｘ. ２.４ ０.２５ Ｕｎｉｔ Ａ ＤＣ １ｍｓ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＩＦ= 150A,ＶＧＥ= 0V ＩＦ= 150A,ＶＧＥ= -10V ｄi/ｄt= 300A/μs Ｕｎｉｔ Ｖ μｓ □ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 熱 抵 抗 ＩＧＢＴ Ｔhermal Ｉmpedance Ｄiode Ｓｙｍｂｏｌ Ｒth(j-c) Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Junction to Case （Tc測定点チップ直下） Ｍｉｎ. － － Ｔｙｐ. － － Ｍａｘ. ０.２２ ０.４５ Ｕｎｉｔ ℃／Ｗ 00 日本インター株式会社 QS043-402-20398（3/5） ＰＤＭＢ１５０Ｅ６ ＰＤＭＢ１５０Ｅ６Ｃ Fig.1- Output Characteristics (Typical) 300 Fig.2- Output Characteristics (Typical) T C=25°C 300 T C=125°C VGE=20V 12V VGE=20V 250 12V 250 15V 11V 15V 11V Collector Current I C (A) 200 Collector Current I C (A) 200 150 10V 150 10V 100 9V 100 9V 50 50 8V 8V 0 0 0 1 2 3 4 5 0 1 2 3 4 5 Collector to Emitter Voltage VCE (V) Collector to Emitter Voltage VCE (V) Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) 16 14 12 10 8 6 4 2 0 Fig.4- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) T C=25°C 16 14 12 10 8 6 4 2 0 T C=125°C IC=60A 150A 300A IC=60A 150A 300A Collector to Emitter Voltage V CE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) 0 4 8 12 16 20 0 4 8 12 16 20 Gate to Emitter Voltage VGE (V) Gate to Emitter Voltage VGE (V) Fig.5- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 400 350 Fig.6- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 16 14 30000 100000 RL =2.0 TC=25°C Collector to Emitter Voltage V CE (V) VGE=0V f=1MHZ T C=25°C Gate to Emitter Voltage VGE (V) 300 250 200 150 100 50 0 12 10 Capacitance C (pF) 10000 Cies VCE =300V 200V 100V 8 6 4 2 0 600 3000 Coes Cres 1000 300 0 100 200 300 400 500 100 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 Total Gate Charge Qg (nC) Collector to Emitter Voltage VCE (V) 00 日本インター株式会社 QS043-402-20398（4/5） ＰＤＭＢ１５０Ｅ６ ＰＤＭＢ１５０Ｅ６Ｃ Fig.7- Collector Current vs. Switching Time (Typical) 1 Fig.8- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical) 10 5 0.8 tOFF VCC=300V RG=5.1 VGE=±15V T C=25°C Resistive Load Switching Time t (µs) Switching Time t (µs) 2 1 0.5 VCC=300V IC=150A VGE=±15V T C=25°C Resistive Load 0.6 tf 0.4 toff ton tr(V CE) tf 0.2 0.1 0.05 0.2 tON tr(VCE) 0 0 50 100 150 200 250 0.02 3 10 30 100 Collector Current IC (A) Series Gate Impedance RG ( ) Fig.9- Collector Current vs. Switching Time 10 Fig.10- Series Gate Impedance vs. Switching Time 10 5 1 Switching Time t (µs) Switching Time t (µs) tOFF tON VCC=300V RG=5.1 VGE=±15V T C=125°C Inductive Load 2 1 0.5 VCC=300V IC=150A VGE=±15V T C=125°C Inductive Load 0.1 tf tr(Ic) toff ton tf 0.2 0.1 0.05 0.01 tr(IC ) 0.001 0 50 100 150 200 250 0.02 3 10 30 100 Collector Current IC (A) Series Gate Impedance RG ( ) Fig.11- Collector Current vs. Switching Loss 16 300 Fig.12- Series Gate Impedance vs. Switching Loss VCC=300V IC=150A VGE=±15V T C=125°C Inductive Load Switching Loss ESW (mJ/Pulse) Switching Loss ESW (mJ/Pulse) 12 VCC=300V RG=5.1 VGE=±15V T C=125°C Inductive Load 100 EON EOFF 8 30 EON ERR EOFF 10 4 3 ERR 0 0 50 100 150 200 250 1 3 10 30 100 Collector Current IC (A) Series Gate Impedance RG ( ) 00 日本インター株式会社 QS043-402-20398（5/5） ＰＤＭＢ１５０Ｅ６ ＰＤＭＢ１５０Ｅ６Ｃ 300 Fig.13- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode (Typical) T C=25°C T C=125°C Fig.14- Reverse Recovery Characteristics (Typical) 1000 Peak Reverse Recovery Current I RrM (A) Reverse Recovery Time trr (ns) 250 500 IF=150A T C=25°C T C=125°C trr Forward Current I F (A) 200 200 150 100 100 50 50 20 IRrM 0 0 1 2 3 4 10 0 150 300 450 600 750 900 Forward Voltage VF (V) -di/dt (A/µs) Fig.15- Reverse Bias Safe Operating Area 1000 500 200 RG=5.1 , VGE=±15V, T C