PDMB200B12C_1

QS043-401M0061 (2/4) ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｄｕａｌ □ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ ＰＤＭＢ２００Ｂ１２Ｃ ２００ Ａ，１２００Ｖ ＰＤＭＢ２００Ｂ１２Ｃ２ □ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ 1 08 93 ± 0 .2 5 14 11 14 11 14 3-M6 7(G2) 6(E2) 4-Ø 6.5 12.0 11.0 12.0 11.0 12.0 94.0 80 ±0.25 15 6 48 ± 0 .2 5 62 11 13 20 (C2E1) 1 (E2) 2 (C1) 3 2-Ø6.5 6 48.0 16.0 14.0 5(E1) 4(G1) 5 4 5 4 3-M5 23.0 23.0 17.0 25 16 9 16 25 9 16 24 14 9 14 9 14 4-fasten tab #110 t=0.5 21.2 7.5 8 30 +1.0 - 0.5 23 LABEL 30 +1.0 - 0 .5 LABEL PDMB200B12C □ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ Ｉｔｅｍ コレクタ・エミッタ間電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage コレクタ電流 Ｃollector Ｃurrent コレクタ損失 Ｃollector Ｐower Ｄissipation 接 合 温 度 Ｊunction Ｔemperature Ｒange 保 存 温 度 Ｓtorage Ｔemperature Ｒange 絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute) Ｉsolation Ｖoltage Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink 締め付けトルク Ｍounting Ｔorque Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal □ 電気的特性 ＤＣ １ｍｓ （ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＶＣＥＳ ＶＧＥＳ ＩＣ ＩＣＰ ＰＣ Ｔｊ Ｔｓｔｇ ＶＩＳＯ Ｆｔｏｒ PDMB200B12C Ｒａｔｅｄ 7 PDMB200B12C2 Dimension:［mm］ Ｖａｌｕｅ 7 4 18.0 6 4 1 2 3 7 1 2 3 7 6 Ｕｎｉｔ Ｖ Ｖ Ａ Ｗ ℃ ℃ Ｖ（ＲＭＳ） １，２００ ±２０ ２００ ４００ ９６０ －４０～＋１５０ －４０～＋１２５ ２,５００ ３（３０.６） Ｎ・ｍ ３（３０.６） PDMB200B12C2 ２（２０.４） (kgf･cm) ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＩＣＥＳ ＩＧＥＳ ＶＣＥ（ｓａｔ） ＶＧＥ（ｔｈ） Ｃｉｅｓ 上昇時間 ターンオン時間 下降時間 ターンオフ時間 Ｒise Ｔurn-on Ｆall Ｔurn-off Ｔime Ｔime Ｔime Ｔime ｔｒ ｔｏｎ ｔｆ ｔｏｆｆ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＶＣＥ= 1200V,ＶＧＥ= 0V ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V ＩＣ= 200A,ＶＧＥ= 15V ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 200mA ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ ＶＣＣ= 600V ＲL= 3Ω ＲG= 2Ω ＶＧＥ= ±15V Ｍｉｎ. － － － ４.０ － － － － － Ｔｙｐ. － － １.９ － 16,600 ０.２５ ０.４０ ０.２５ ０.８０ Ｍａｘ. ４.０ １.０ ２.４ ８.０ － ０.４５ ０.７０ ０.３５ １.１０ Ｕｎｉｔ ｍＡ μＡ Ｖ Ｖ ｐＦ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ コレクタ遮断電流 Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent ゲート漏れ電流 Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage ゲ ー ト しきい値電圧 Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage 入 力 容 量 Ｉnput Ｃapacitance スイッチング時間 Ｓwitching Ｔime μｓ □フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ Ｉｔｅｍ 順 電 流 Ｆorward Ｃurrent Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 順 電 圧 Ｐeak Ｆorward Ｖoltage 逆回復時間 Ｒeverse Ｒecovery Ｔime □熱 的 特性 ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＩＦ ＩＦＭ Ｓｙｍｂｏｌ ＶＦ ｔｒｒ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ ２００ ４００ Ｍｉｎ. － － Ｔｙｐ. １.９ ０.２ Ｍａｘ. ２.４ ０.３ Ｕｎｉｔ Ａ ＤＣ １ｍｓ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＩＦ= 200A,ＶＧＥ= 0V ＩＦ= 200A,ＶＧＥ= -10V ｄi/ｄt= 400A/μs Ｕｎｉｔ Ｖ μｓ ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｓｙｍｂｏｌ Ｒth(j-c) Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Junction to Case Ｍｉｎ. － － Ｔｙｐ. － － Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ０.１２５ ℃／Ｗ ０.２４ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 熱 抵 抗 ＩＧＢＴ Ｔhermal Ｉmpedance Ｄiode 日本インター株式会社 QS043-401M0061 (3/4) ＰＤＭＢ２００Ｂ１２ ＰＤＭＢ２００Ｂ１２Ｃ Fig.1- Output Characteristics (Typical) 400 Fig.2- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) TC=25℃ 16 TC=25℃ I C=100A 400A V GE =20V 15V 12V 10V Collector to Emitter Voltage V CE ( V) 14 12 10 8 6 4 2 0 200A Collector Current I C ( A) 300 9V 200 8V 100 7V 0 0 2 4 6 8 10 0 4 8 12 16 20 Collector to Emitter Voltage V CE ( V) Gate to Emitter Voltage V GE ( V) Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) 16 Fig.4- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 800 700 600 500 400 16 TC=125℃ I C=100A 400A Collector to Emitter Voltage V CE ( V) Collector to Emitter Voltage V CE ( V) 14 RL=3Ω TC=25℃ 14 Gate to Emitter Voltage V GE ( V) 200A 12 10 8 6 4 2 0 12 10 8 VCE =600V 300 6 400V 200 4 200V 100 0 0 300 600 900 1200 2 0 1500 0 4 8 12 16 20 Gate to Emitter Voltage V GE ( V) Total Gate Charge Qg ( nC) Fig.5- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 100000 50000 20000 Fig.6- Collector Current vs. Switching Time (Typical) 1.4 1.2 VGE =0V f=1MHZ TC=25℃ Cies V CC=600V R G= 2.0 Ω V GE =±15V TC=25℃ Switching Time t ( μs) Capacitance C ( pF) 10000 5000 2000 1000 500 1 0.8 0.6 0.4 0.2 0 tOFF Coes tf Cres 200 100 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 tON tr 0 50 100 150 200 Collector to Emitter Voltage V CE (V) Collector Current IC ( A) 日本インター株式会社 QS043-401M0061 (4/4) ＰＤＭＢ２００Ｂ１２ ＰＤＭＢ２００Ｂ１２Ｃ Fig.8- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical) 10 5 400 (Typical) TC=25℃ TC=125℃ VCC=600V I C=200A VGE =±15V TC=25℃ toff ton Switching Time t ( μs) 2 1 0.5 Forward Current I F ( A) tr 300 200 tf 0.2 0.1 0.05 100 1 2 5 10 20 50 100 200 0 0 1 2 3 4 Series Gate Impedance R G ( Ω) Forward Voltage V F ( V) Fig.9- Reverse Recovery Characteristics (Typical) 1000 Fig.10- Reverse Bias Safe Operating Area 1000 500 200 Peak Reverse Recovery Current I RrM (A) Reverse Recovery Time trr (ns) 500 IF=200A TC=25℃ R G=2Ω V GE=±15V TC≦125℃ 200 100 50 Collector Current I C ( A) 100 50 20 10 5 2 1 0.5 0.2 trr 20 IRrM 10 5 0 200 400 600 800 1000 1200 0.1 0 400 800 1200 1600 -di/dt (A/μs) Collector to Emitter Voltage V CE ( V) Fig.11- Transient Thermal Impedance 1 (℃/W) 5x10 -1 2x10 -1 1x10 -1 5x10 -2 2x10 -2 1x10 -2 5x10 -3 2x10 -3 1x10 -3 5x10 -4 FRD IGBT Transient Thermal Impedance Rth (J-C) TC=25℃ 1 Shot Pulse 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 1 10 1 10 -5 Time t (s) 日本インター株式会社