PDMB200BS12

QS043-402-20371（2/5） ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｄｕａｌ □ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ ＰＤＭＢ２００ＢＳ１２ ２００ Ａ，１２００Ｖ ＰＤＭＢ２００ＢＳ１2Ｃ □ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ 108 93 ± 0 .2 5 14 11 14 11 14 3-M6 7(G2) 6(E2) 4-Ø 6.5 12.0 11.0 12.0 11.0 12.0 94.0 80 ±0.25 62 11 13 20 6 15 6 48 ± 0 .2 5 (C2E1) 1 (E2) 2 (C1) 3 2-Ø6.5 4 4-fasten tab #110 t=0.5 21.2 7.5 7 1 2 3 7 1 48.0 16.0 14.0 2 3 7 6 5(E1) 4(G1) 5 4 5 4 6 3-M5 23.0 23.0 17.0 25 16 9 16 25 9 16 24 14 9 14 9 14 30 +1.0 - 0.5 8 PDMB200BS12 □ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ コレクタ・エミッタ間電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage コレクタ電流 Ｃollector Ｃurrent コレクタ損失 Ｃollector Ｐower Ｄissipation 接 合 温 度 Ｊunction Ｔemperature Ｒange 保 存 温 度 Ｓtorage Ｔemperature Ｒange 絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute) Ｉsolation Ｖoltage Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink 締め付けトルク Ｍounting Ｔorque Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal □ 電気的特性 ＤＣ １ｍｓ Ｓｙｍｂｏｌ ＶＣＥＳ ＶＧＥＳ ＩＣ ＩＣＰ ＰＣ Ｔｊ Ｔｓｔｇ ＶＩＳＯ Ｆｔｏｒ Ｒａｔｅｄ 7 23 LABEL 3 0 +1.0 - 0 .5 LABEL PDMB200BS12C Dimension:［mm］ Ｖａｌｕｅ 4 18.0 Ｕｎｉｔ Ｖ Ｖ Ａ Ｗ ℃ ℃ Ｖ（ＲＭＳ） ３ ３ .６ （０ ） （０ ） ２ ２ .４ Ｎ・ｍ (kgf･cm) １，２００ ±２０ ２００ ４００ １，２００ －４０～＋１５０ －４０～＋１２５ ２,５００ PDMB200BS12 ３ ３ .６ （０ ） ３ ３ .６ （０ ） PDMB200BS12C ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＩＣＥＳ ＩＧＥＳ ＶＣＥ（ｓａｔ） ＶＧＥ（ｔｈ） Ｃｉｅｓ 上昇時間 ターンオン時間 下降時間 ターンオフ時間 Ｒise Ｔurn-on Ｆall Ｔurn-off Ｔime Ｔime Ｔime Ｔime ｔｒ ｔｏｎ ｔｆ ｔｏｆｆ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＶＣＥ= 1200V,ＶＧＥ= 0V ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V ＩＣ= 200A,ＶＧＥ= 15V ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 200mA ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ ＶＣＣ= 600V ＲL= 3.0Ω ＲG= 7.5Ω ＶＧＥ= ±15V Ｍｉｎ. － － － ４.０ － － － － － Ｔｙｐ. － － ２.３ － 12,600 ０.２５ ０.４０ ０.２５ ０.８０ Ｍａｘ. ２.０ １.０ ２.７ ８.０ － ０.４５ ０.７０ ０.３５ １.１０ Ｕｎｉｔ ｍＡ μＡ Ｖ Ｖ ｐＦ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ コレクタ遮断電流 Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent ゲート漏れ電流 Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage ゲ ー ト しきい値電圧 Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage 入 力 容 量 Ｉnput Ｃapacitance スイッチング時間 Ｓwitching Ｔime μｓ □フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ Ｉｔｅｍ 順 電 流 Ｆorward Ｃurrent Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 順 電 圧 Ｐeak Ｆorward Ｖoltage 逆回復時間 Ｒeverse Ｒecovery Ｔime ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＩＦ ＩＦＭ Ｓｙｍｂｏｌ ＶＦ ｔｒｒ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ ２００ ４００ Ｍｉｎ. － － Ｔｙｐ. ２.２ ０.２ Ｍａｘ. ２.６ ０.３ Ｕｎｉｔ Ａ ＤＣ １ｍｓ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＩＦ= 200A,ＶＧＥ= 0V ＩＦ= 200A,ＶＧＥ= -10V ｄi/ｄt= 400A/μs Ｕｎｉｔ Ｖ μｓ □ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 熱 抵 抗 ＩＧＢＴ Ｔhermal Ｉmpedance Ｄiode Ｓｙｍｂｏｌ Ｒth(j-c) Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Junction to Case （Tc測定点チップ直下） Ｍｉｎ. － － Ｔｙｐ. － － Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ０.１０４ ℃／Ｗ ０.２１４ 日本インター株式会社 QS043-402-20371（3/5） ＰＤＭＢ２００ＢＳ１２ ＰＤＭＢ２００ＢＳ１２Ｃ Fig.1- Output Characteristics (Typical) 400 Fig.2- Output Characteristics (Typical) T C=25°C 400 T C=125°C VGE=20V 12V 11V VGE=20V 350 300 12V 11V 350 300 15V 15V Collector Current I C (A) 10V 250 200 Collector Current I C (A) 10V 250 200 150 100 50 0 9V 150 100 50 0 9V 8V 7V 8V 7V 0 1 2 3 4 5 0 1 2 3 4 5 Collector to Emitter Voltage VCE (V) Collector to Emitter Voltage VCE (V) Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) 16 Fig.4- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) T C=25°C 16 14 12 10 8 6 4 2 0 T C=125°C IC=100A 200A 400A IC=100A 400A Collector to Emitter Voltage V CE (V) 200A 12 10 8 6 4 2 0 0 4 8 12 16 20 Collector to Emitter Voltage V CE (V) 14 0 4 8 12 16 20 Gate to Emitter Voltage VGE (V) Gate to Emitter Voltage VGE (V) Fig.5- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 800 700 Fig.6- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 16 14 300000 100000 RL =3.0 TC=25°C Collector to Emitter Voltage V CE (V) VGE=0V f=1MHZ T C=25°C Gate to Emitter Voltage VGE (V) 600 500 400 300 200 100 0 0 12 10 8 6 4 2 0 1400 30000 Capacitance C (pF) Cies 10000 3000 1000 300 100 30 VCE =600V 400V 200V Coes Cres 200 400 600 800 1000 1200 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 Total Gate Charge Qg (nC) Collector to Emitter Voltage VCE (V) 日本インター株式会社 QS043-402-20371（4/5） ＰＤＭＢ２００ＢＳ１２ ＰＤＭＢ２００ＢＳ１２Ｃ Fig.7- Collector Current vs. Switching Time (Typical) 2 Fig.8- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical) 10 1.6 VCC=600V RG=7.5 VGE=±15V T C=25°C Resistive Load 3 VCC=600V IC=200A VGE=±15V T C=25°C Resistive Load Switching Time t (µs) tOFF 1.2 Switching Time t (µs) 1 toff tf 0.8 tf tON tr(V CE) 0 50 100 150 200 0.3 ton tr (VCE) 0.4 0.1 0 0.03 3 10 30 100 Collector Current IC (A) Series Gate Impedance RG ( ) Fig.9- Collector Current vs. Switching Time 10 Fig.10- Series Gate Impedance vs. Switching Time 10 5 3 Switching Time t (µs) 1 Switching Time t (µs) tOFF tf 0.3 VCC=600V RG=7.5 VGE=±15V T C=125°C Inductive Load 2 1 0.5 VCC=600V IC=200A VGE=±15V T C=125°C Inductive Load toff ton tON 0.1 0.2 0.1 0.05 tr(Ic) 0.03 tf tr (IC ) 3 10 30 50 0.01 0 50 100 150 200 250 0.02 Collector Current IC (A) Series Gate Impedance RG ( ) Fig.11- Collector Current vs. Switching Loss 60 200 Fig.12- Series Gate Impedance vs. Switching Loss VCC=600V IC=200A VGE=±15V T C=125°C Inductive Load Switching Loss ESW (mJ/Pulse) 40 Switching Loss ESW (mJ/Pulse) 50 VCC=600V RG=7.5 VGE=±15V T C=125°C Inductive Load EON 100 EON EOFF 30 30 EOFF ERR 20 ERR 10 10 0 0 50 100 150 200 250 300 3 3 10 30 50 Collector Current IC (A) Series Gate Impedance RG ( ) 日本インター株式会社 QS043-402-20371（5/5） ＰＤＭＢ２００ＢＳ１２ ＰＤＭＢ２００ＢＳ１２Ｃ 400 Fig.13- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode (Typical) Fig.14- Reverse Recovery Characteristics (Typical) 1000 Forward Current I F (A) 300 T C=25°C Peak Reverse Recovery Current I RrM (A) Reverse Recovery Time trr (ns) IF=200A T C=25°C T C=125°C trr T C=125°C 300 200 100 IRrM 30 100 0 0 1 2 3 4 10 0 400 800 1200 1600 2000 Forward Voltage VF (V) -di/dt (A/µs) Fig.15- Reverse Bias Safe Operating Area (Typical) 1000 500 200 RG=7.5 , VGE=±15V, T C=125°C Collector Current I C (A) 100 50 20 10 5 2 1 0.5 0.2 0.1 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 Collector to Emitter Voltage V CE (V) Fig.16- Transient Thermal Impedance 1 Transient Thermal Impedance Rth (J-C) (°C/W) 3x10 -1 1x10 -1 FRD IGBT 3x10 -2 1x10 -2 3x10 -3 1x10 -3 T C=25°C 1 Shot Pulse 3x10 -4 10 -5 10 -4 10-3 10 -2 10-1 1 101 Time t (s) 日本インター株式会社