PDMB200E6

QS043-402-20392（2/5） ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｄｕａｌ □ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ ２００Ａ，６００Ｖ □ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ 94.0 80 ±0.25 ＰＤＭＢ２００Ｅ６ 12.0 11.0 12.0 11.0 12.0 (C2E1) 1 (E2) 2 (C1) 3 7(G2) 6(E2) 1 48.0 16.0 14.0 2 3 2-Ø6.5 7 6 5(E1) 4(G1) 5 4 3-M5 23.0 23.0 17.0 14 9 14 9 14 4-fasten tab #110 t=0.5 21.2 7.5 7 30 +1.0 - 0 .5 LABEL 4 18.0 4 Dimension:［mm］ □ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ コレクタ・エミッタ間電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage コレクタ電流 Ｃollector Ｃurrent コレクタ損失 Ｃollector Ｐower Ｄissipation 接 合 温 度 Ｊunction Ｔemperature Ｒange 保 存 温 度 Ｓtorage Ｔemperature Ｒange 絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute) Ｉsolation Ｖoltage Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink 締め付けトルク Ｍounting Ｔorque Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal □ 電気的特性 ＤＣ １ｍｓ Ｓｙｍｂｏｌ ＶＣＥＳ ＶＧＥＳ ＩＣ ＩＣＰ ＰＣ Ｔｊ Ｔｓｔｇ ＶＩＳＯ Ｆｔｏｒ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ Ｖ Ｖ Ａ Ｗ ℃ ℃ Ｖ（ＲＭＳ） Ｎ・ｍ (kgf･cm) ６００ ±２０ ２００ ４００ ７８０ －４０～＋１５０ －４０～＋１２５ ２,５００ ３ ３ .６ （０ ） ２ ２ .４ （０ ） ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＩＣＥＳ ＩＧＥＳ ＶＣＥ（ｓａｔ） ＶＧＥ（ｔｈ） Ｃｉｅｓ 上昇時間 ターンオン時間 下降時間 ターンオフ時間 Ｒise Ｔurn-on Ｆall Ｔurn-off Ｔime Ｔime Ｔime Ｔime ｔｒ ｔｏｎ ｔｆ ｔｏｆｆ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＶＣＥ= 600V, ＶＧＥ= 0V ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V ＩＣ= 200A,ＶＧＥ= 15V ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 200mA ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ ＶＣＣ= ＲＬ= ＲＧ= ＶＧＥ= 300V 1.5Ω 3.6Ω ±15V Ｍｉｎ. － － － ４.０ － － － － － Ｔｙｐ. － － ２.１ － 10,000 ０.１５ ０.２５ ０.１０ ０.３５ Ｍａｘ. １.０ １.０ ２.６ ８.０ － ０.３０ ０.４０ ０.３５ ０.７０ Ｕｎｉｔ ｍＡ μＡ Ｖ Ｖ ｐＦ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ コレクタ遮断電流 Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent ゲート漏れ電流 Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage ゲ ー ト しきい値電圧 Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage 入 力 容 量 Ｉnput Ｃapacitance スイッチング時間 Ｓwitching Ｔime μｓ □フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ Ｉｔｅｍ 順 電 流 Ｆorward Ｃurrent Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 順 電 圧 Ｐeak Ｆorward Ｖoltage 逆回復時間 Ｒeverse Ｒecovery Ｔime ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＩＦ ＩＦＭ Ｓｙｍｂｏｌ ＶＦ ｔｒｒ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ ２００ ４００ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＩＦ= 200A,ＶＧＥ= 0V ＩＦ= 200A,ＶＧＥ= -10V ｄi/ｄt= 400A/μs Ｍｉｎ. － － Ｔｙｐ. １.９ ０.１５ Ｍａｘ. ２.４ ０.２５ Ｕｎｉｔ Ａ ＤＣ １ｍｓ Ｕｎｉｔ Ｖ μｓ □ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 熱 抵 抗 ＩＧＢＴ Ｔhermal Ｉmpedance Ｄiode Ｓｙｍｂｏｌ Ｒth(j-c) Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Junction to Case （Tc測定点チップ直下） Ｍｉｎ. － － Ｔｙｐ. － － Ｍａｘ. ０.１６ ０.３８ Ｕｎｉｔ ℃／Ｗ 00 日本インター株式会社 QS043-402-20392（3/5） ＰＤＭＢ２００Ｅ６ Fig.1- Output Characteristics (Typical) 400 Fig.2- Output Characteristics (Typical) T C=25°C 400 T C=125°C VGE=20V 12V VGE=20V 350 300 250 200 150 100 50 0 12V 11V 15V 350 300 250 200 150 100 15V 11V Collector Current I C (A) Collector Current I C (A) 10V 10V 9V 9V 8V 8V 50 0 0 1 2 3 4 5 0 1 2 3 4 5 Collector to Emitter Voltage VCE (V) Collector to Emitter Voltage VCE (V) Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) 16 14 12 10 8 6 4 2 0 Fig.4- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) T C=25°C 16 14 12 10 8 6 4 2 0 T C=125°C IC=100A 200A 400A IC=100A 200A 400A Collector to Emitter Voltage V CE (V) 0 4 8 12 16 20 Collector to Emitter Voltage V CE (V) 0 4 8 12 16 20 Gate to Emitter Voltage VGE (V) Gate to Emitter Voltage VGE (V) Fig.5- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 400 350 Fig.6- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 16 14 30000 100000 RL =1.5 TC=25°C Collector to Emitter Voltage V CE (V) VGE=0V f=1MHZ T C=25°C Cies Gate to Emitter Voltage VGE (V) 300 250 200 150 100 50 0 12 10 Capacitance C (pF) 10000 VCE =300V 200V 100V 8 6 4 2 0 800 3000 Coes Cres 1000 300 0 200 400 600 100 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 Total Gate Charge Qg (nC) Collector to Emitter Voltage VCE (V) 00 日本インター株式会社 QS043-402-20392（4/5） ＰＤＭＢ２００Ｅ６ Fig.7- Collector Current vs. Switching Time (Typical) 1 Fig.8- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical) 10 5 0.8 tOFF VCC=300V RG=3.6 VGE=±15V T C=25°C Resistive Load 2 VCC=300V IC=200A VGE=±15V T C=25°C Resistive Load Switching Time t (µs) Switching Time t (µs) 0.6 1 0.5 tf 0.4 toff ton tr(V CE) tf 0.2 0.1 0.05 0.2 tON tr(VCE) 0 0 50 100 150 200 250 300 0.02 1 3 10 30 100 Collector Current IC (A) Series Gate Impedance RG ( ) Fig.9- Collector Current vs. Switching Time 10 Fig.10- Series Gate Impedance vs. Switching Time 10 5 1 Switching Time t (µs) Switching Time t (µs) tOFF tON VCC=300V RG=3.6 VGE=±15V T C=125°C Inductive Load 2 1 0.5 VCC=300V IC=200A VGE=±15V T C=125°C Inductive Load 0.1 tf tr(Ic) toff ton tf 0.2 0.1 0.05 0.01 tr(IC ) 0.001 0 50 100 150 200 250 300 0.02 1 3 10 30 100 Collector Current IC (A) Series Gate Impedance RG ( ) Fig.11- Collector Current vs. Switching Loss 20 Fig.12- Series Gate Impedance vs. Switching Loss 300 Switching Loss ESW (mJ/Pulse) EOFF 12 Switching Loss ESW (mJ/Pulse) 16 VCC=300V RG=3.6 VGE=±15V T C=125°C Inductive Load 100 VCC=300V IC=200A VGE=±15V T C=125°C Inductive Load EON 30 EOFF EON 8 10 ERR 4 ERR 3 0 0 50 100 150 200 250 300 1 1 3 10 30 Collector Current IC (A) Series Gate Impedance RG ( ) 00 日本インター株式会社 QS043-402-20392（5/5） ＰＤＭＢ２００Ｅ６ 400 350 300 250 200 150 100 50 0 Fig.13- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode (Typical) T C=25°C T C=125°C Fig.14- Reverse Recovery Characteristics (Typical) 1000 Peak Reverse Recovery Current I RrM (A) Reverse Recovery Time trr (ns) 500 IF=200A T C=25°C T C=125°C trr Forward Current I F (A) 200 100 50 IRrM 20 0 1 2 3 4 10 0 200 400 600 800 1000 1200 Forward Voltage VF (V) -di/dt (A/µs) Fig.15- Reverse Bias Safe Operating Area 1000 500 200 RG=3.6 , VGE=±15V, T C