IGBT
■回路図 CIRCUIT
G2 E2 C2E1 E2 C1
300 A 600 V
■外形寸法図 OUTLINE DRAWING
PDMB300A6
PDMB300A6C PDMB300A6C
(単位 Dimension:mm)
PDMB300A6C
E1 G1
■最大定格 Maximum Ratings(TC=25℃)
項 目 Item コレクタ・エミッタ間電圧 Collector-Emitter Voltage ゲート・エミッタ間電圧 Gate-Emitter Voltage コレクタ電流 Collector Current DC 1ms 記号 Symbol VCES VGES IC ICP PC Tj Tstg Viso PDMB300A6 2(20.4) 定 格 値 Rated Value 600 ±20 300 600 1040 −40∼+150 −40∼+125 2500 PDMB300A6C 3(30.6) 単位 Unit V V A W ℃ ℃ V (RMS) Nm ・ (kgf cm) ・
コレクタ損失 Collector Power Dissipation 接合温度 Junction Temperature Range 保存温度 Storage Temperature Range 絶縁耐圧 (端子−ベース間,AC1分間) Isolation Voltage Terminal to Base, AC1min.) ( ベース取付部 Module Base to Heatsink 締付トルク Mounting Torque 端子部 Busbar to Terminal
Ftor
■電気的特性 Electrical Characteristics(TC=25℃)
項 目 Characteristic コレクタ遮断電流 Collector-Emitter Cut-Off Current ゲート漏れ電流 Gate-Emitter Leakage Current コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Collector-Emitter Saturation Voltage ゲートしきい値電圧 Gate-Emitter Threshold Voltage 入力容量 Input Capacitance 上昇時間 Rise Time ターン・オン時間 スイッチング時間 Turn-On Time Switching Time 下降時間 Fall Time ターン・オフ時間 Turn-Off Time 記号 Symbol ICES IGES VCE sat) ( VGE th) ( Cies tr ton tf toff VCC=300V RL=1.0Ω RG=2.0Ω VGE=±15V 条 件 Test Conditions VCE=600V, VGE=0V VGE=±20V, VCE=0V IC=300A, VGE=15V VCE=5V, IC=300mA VCE=10V, VGE=0V, f=1MHz 最小 Min. ─ ─ ─ 4.0 ─ ─ ─ ─ ─ 標準 Typ. ─ ─ 2.1 ─ 30000 0.2 0.4 0.2 0.6 最大 Max. 3.0 500 2.6 8.0 ─ 0.4 0.75 μ s 0.35 0.8 単位 Unit mA nA V V pF
I G B T モ ジ ュ ー ル
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■フリーホイーリングダイオードの特性 Free Wheeling Diode Ratings & Characteristics(TC=25℃)
項 目 Item 順電流 Forward Current 項 目 Characteristic 順電圧 Peak Forward Voltage 逆回復時間 Reverse Recovery Time DC 1ms 記号 Symbol IF IFM 記号 Symbol VF trr 条 件 Test Conditions IF=300A, VGE=0V IF=300A, VGE=−10V di/dt=300A/ s μ 定 格 値 Rated Value 300 600 最小 Min. ─ ─ 標準 Typ. 1.9 0.15 最大 Max. 2.4 0.25 単位 Unit A 単位 Unit V μ s
■熱的特性 Thermal Characteristics
項 目 Characteristic 熱抵抗 Thermal Impedance IGBT Diode 記号 Symbol Rth (j-c) 条 件 Test Conditions 接合部−ケース間 Junction to Case 最小 Min. ─ ─ 標準 Typ. ─ ─ 最大 Max. 0.12 0.24 単位 Unit ℃/W
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■定格・特性曲線
Fig. 1 Output Characteristics(Typical) Fig. 2 Collector to Emitter on Voltage vs. Gate to Emitter Voltage(Typical)
Fig. 3 Collector to Emitter on Voltage vs. Gate to Emitter Voltage(Typical)
Fig. 4 Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage(Typical)
Fig. 5 Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage(Typical)
Fig. 6 Collector Current vs. Switching Time(Typical)
Fig. 7 Series Gate Impedance vs. Switching Time(Typical)
Fig. 8 Forward Characteristics of Free Wheeling Diode(Typical)
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Fig. 9 Reverse Recovery Capacitance (Typical)
Fig. 10 Reverse Bias Safe Operating Area
Fig. 11 Transient Thermal Impedance
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