PDMB300B12

QS043-401M0062 (2/4) ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｄｕａｌ □ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ ＰＤＭＢ３００Ｂ１２ ３００ Ａ，１２００Ｖ □ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ 110 93 ± 0 .2 5 14 11 14 11 14 ＰＤＭＢ３００Ｂ１２Ｃ 3-M6 4-Ø6.5 (C2E1) 1 (E2) 2 (C1) 3 7(G2) 6(E2) 80 13 20 6 3-M6 1 3 1 08 93 ± 0 .2 5 14 11 14 11 14 4-Ø 6.5 15 6 62 ± 0 .2 5 2 7 5(E1) 4(G1) 4 6 5 62 11 13 20 6 5 4 25 16 9 16 25 9 16 24 16 8 25 9 16 25 9 16 24 30 - 0.5 30 +1.0 - 0.5 +1.0 23 PDMB300B12 □ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ コレクタ・エミッタ間電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage コレクタ電流 Ｃollector Ｃurrent コレクタ損失 Ｃollector Ｐower Ｄissipation 接 合 温 度 Ｊunction Ｔemperature Ｒange 保 存 温 度 Ｓtorage Ｔemperature Ｒange 絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute) Ｉsolation Ｖoltage Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink 締め付けトルク Ｍounting Ｔorque Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal □ 電気的特性 ＤＣ １ｍｓ Ｓｙｍｂｏｌ ＶＣＥＳ ＶＧＥＳ ＩＣ ＩＣＰ ＰＣ Ｔｊ Ｔｓｔｇ ＶＩＳＯ Ｆｔｏｒ Ｒａｔｅｄ 7 PDMB300B12C Dimension:［mm］ Ｖａｌｕｅ 7 １，２００ ±２０ ３００ ６００ １，６００ －４０～＋１５０ －４０～＋１２５ ２,５００ ３（３０.６） 23 LABEL LABEL 8 6 15 6 48 ± 0 .2 5 1 2 3 7 11 Ｕｎｉｔ Ｖ Ｖ Ａ Ｗ ℃ ℃ Ｖ（ＲＭＳ） Ｎ・ｍ (kgf･cm) ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＩＣＥＳ ＩＧＥＳ ＶＣＥ（ｓａｔ） ＶＧＥ（ｔｈ） Ｃｉｅｓ 上昇時間 ターンオン時間 下降時間 ターンオフ時間 Ｒise Ｔurn-on Ｆall Ｔurn-off Ｔime Ｔime Ｔime Ｔime ｔｒ ｔｏｎ ｔｆ ｔｏｆｆ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＶＣＥ= 1200V,ＶＧＥ= 0V ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V ＩＣ= 300A,ＶＧＥ= 15V ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 300mA ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ ＶＣＣ= 600V ＲL= 2Ω ＲG= 1.3Ω ＶＧＥ= ±15V Ｍｉｎ. － － － ４.０ － － － － － Ｔｙｐ. － － １.９ － 25,000 ０.２５ ０.４０ ０.２５ ０.８０ Ｍａｘ. ６.０ １.０ ２.４ ８.０ － ０.４５ ０.７０ ０.３５ １.１０ Ｕｎｉｔ ｍＡ μＡ Ｖ Ｖ ｐＦ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ コレクタ遮断電流 Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent ゲート漏れ電流 Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage ゲ ー ト しきい値電圧 Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage 入 力 容 量 Ｉnput Ｃapacitance スイッチング時間 Ｓwitching Ｔime μｓ □フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ Ｉｔｅｍ 順 電 流 Ｆorward Ｃurrent Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 順 電 圧 Ｐeak Ｆorward Ｖoltage 逆回復時間 Ｒeverse Ｒecovery Ｔime ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＩＦ ＩＦＭ Ｓｙｍｂｏｌ ＶＦ ｔｒｒ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ ３００ ６００ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＩＦ= 300A,ＶＧＥ= 0V ＩＦ= 300A,ＶＧＥ= -10V ｄi/ｄt= 600A/μs Ｍｉｎ. － － Ｔｙｐ. １.９ ０.２ Ｍａｘ. ２.４ ０.３ Ｕｎｉｔ Ａ ＤＣ １ｍｓ Ｕｎｉｔ Ｖ μｓ □ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 熱 抵 抗 ＩＧＢＴ Ｔhermal Ｉmpedance Ｄiode Ｓｙｍｂｏｌ Ｒth(j-c) Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Junction to Case Ｍｉｎ. － － Ｔｙｐ. － － Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ０.０８６ ℃／Ｗ ０.１６ 日本インター株式会社 QS043-401M0062 (3/4) ＰＤＭＢ３００Ｂ１２ ＰＤＭＢ３００Ｂ１２Ｃ Fig.2- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) TC=25℃ V GE =20V 500 Fig.1- Output Characteristics (Typical) 600 16 TC=25℃ I C=100A 600A 12V 10V 15V Collector to Emitter Voltage V CE ( V) 14 12 10 8 6 4 2 0 300A Collector Current I C ( A) 400 9V 300 200 8V 100 7V 0 0 2 4 6 8 10 0 4 8 12 16 20 Collector to Emitter Voltage V CE ( V) Gate to Emitter Voltage V GE ( V) Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) 16 Fig.4- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 800 700 600 500 400 16 TC=125℃ I C=150A 600A Collector to Emitter Voltage V CE ( V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) 14 R L=2Ω TC=25℃ 14 Gate to Emitter Voltage VGE (V) 300A 12 10 8 6 4 2 0 12 10 8 VCE=600V 300 6 400V 200 100 0 0 400 800 1200 1600 2000 200V 4 2 0 2400 0 4 8 12 16 20 Gate to Emitter Voltage V GE ( V) Total Gate Charge Qg (nC) Fig.5- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 100000 50000 Fig.6- Collector Current vs. Switching Time (Typical) 1.4 1.2 Cies 20000 VGE =0V f=1MHZ TC=25℃ VCC=600V RG=1.3 Ω VGE =±15V TC=25℃ Switching Time t ( μs) Capacitance C ( pF) 1 0.8 0.6 0.4 0.2 10000 5000 2000 1000 500 200 100 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 tOFF Coes tf Cres 0 tON tr 0 50 100 150 200 250 300 Collector to Emitter Voltage V CE ( V) Collector Current IC ( A) 日本インター株式会社 QS043-401M0062 (4/4) ＰＤＭＢ３００Ｂ１２ ＰＤＭＢ３００Ｂ１２Ｃ Fig.8- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical) 10 5 600 (Typical) TC=25℃ TC=125℃ VCC=600V IC=300A VGE=±15V TC=25℃ 500 toff ton 2 1 0.5 Forward Current I F ( A) 50 100 Switching Time t (μs) 400 tr 300 tf 0.2 0.1 0.05 200 100 0.5 1 2 5 10 20 0 0 1 2 3 4 Series Gate Impedance RG (Ω) Forward Voltage V F ( V) Fig.9- Reverse Recovery Characteristics (Typical) 1000 Fig.10- Reverse Bias Safe Operating Area 5000 2000 1000 500 Peak Reverse Recovery Current I RrM ( A) Reverse Recovery Time trr ( ns) 500 IF=300A TC=25℃ R G=1.3Ω V GE=±15V TC≦125℃ Collector Current I C ( A) 200 100 50 trr 200 100 50 20 10 20 2 1 0.5 0.2 I RrM 10 5 0 600 1200 1800 2400 0.1 0 400 800 1200 1600 -di/dt ( A/μs) Collector to Emitter Voltage V CE ( V) Fig.11- Transient Thermal Impedance 5x10 -1 (℃/W) 2x10 -1 1x10 -1 5x10 -2 2x10 -2 1x10 -2 5x10 -3 2x10 -3 1x10 -3 5x10 -4 2x10 -4 FRD IGBT Transient Thermal Impedance Rth (J-C) TC=25℃ 1 Shot Pulse 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 1 10 1 10 -5 Time t (s) 日本インター株式会社