PDMB300BS12C

QS043-402-20372（2/5） ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｄｕａｌ □ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ ＰＤＭＢ３００ＢＳ１２ ３００ Ａ，１２００Ｖ ＰＤＭＢ３００ＢＳ１2Ｃ 108 93 ± 0 .2 5 14 11 14 11 14 □ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ 110 93 ± 0 .2 5 11 14 11 14 14 3-M6 4-Ø6.5 3-M6 4-Ø 6.5 80 13 20 11 62 11 13 20 6 6 6 5(E1) 4(G1) 4 25 25 16 9 16 25 24 25 9 16 24 16 8 9 16 9 16 8 30 - 0.5 30 +1.0 - 0.5 +1.0 23 PDMB300BS12 □ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ Ｉｔｅｍ コレクタ・エミッタ間電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage コレクタ電流 Ｃollector Ｃurrent コレクタ損失 Ｃollector Ｐower Ｄissipation 接 合 温 度 Ｊunction Ｔemperature Ｒange 保 存 温 度 Ｓtorage Ｔemperature Ｒange 絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute) Ｉsolation Ｖoltage Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink 締め付けトルク Ｍounting Ｔorque Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal □ 電気的特性 ＤＣ １ｍｓ （ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＶＣＥＳ ＶＧＥＳ ＩＣ ＩＣＰ ＰＣ Ｔｊ Ｔｓｔｇ ＶＩＳＯ Ｆｔｏｒ Ｒａｔｅｄ 7 PDMB300BS12C Dimension:［mm］ Ｖａｌｕｅ 7 １，２００ ±２０ ３００ ６００ １，８００ －４０～＋１５０ －４０～＋１２５ ２,５００ ３（３０.６） 23 LABEL LABEL 6 5 5 4 15 6 48 ± 0 .2 5 15 6 62 ± 0 .2 5 (C2E1) 1 (E2) 2 (C1) 3 7(G2) 6(E2) 1 2 3 7 1 2 3 7 Ｕｎｉｔ Ｖ Ｖ Ａ Ｗ ℃ ℃ Ｖ（ＲＭＳ） Ｎ・ｍ (kgf･cm) ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＩＣＥＳ ＩＧＥＳ ＶＣＥ（ｓａｔ） ＶＧＥ（ｔｈ） Ｃｉｅｓ 上昇時間 ターンオン時間 下降時間 ターンオフ時間 Ｒise Ｔurn-on Ｆall Ｔurn-off Ｔime Ｔime Ｔime Ｔime ｔｒ ｔｏｎ ｔｆ ｔｏｆｆ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＶＣＥ= 1200V,ＶＧＥ= 0V ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V ＩＣ= 300A,ＶＧＥ= 15V ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 300mA ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ ＶＣＣ= 600V ＲL= 2.0Ω ＲG= 5.1Ω ＶＧＥ= ±15V Ｍｉｎ. － － － ４.０ － － － － － Ｔｙｐ. － － ２.３ － 18,900 ０.２５ ０.４０ ０.２５ ０.８０ Ｍａｘ. ３.０ １.０ ２.７ ８.０ － ０.４５ ０.７０ ０.３５ １.１０ Ｕｎｉｔ ｍＡ μＡ Ｖ Ｖ ｐＦ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ コレクタ遮断電流 Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent ゲート漏れ電流 Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage ゲ ー ト しきい値電圧 Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage 入 力 容 量 Ｉnput Ｃapacitance スイッチング時間 Ｓwitching Ｔime μｓ □フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ Ｉｔｅｍ 順 電 流 Ｆorward Ｃurrent Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 順 電 圧 Ｐeak Ｆorward Ｖoltage 逆回復時間 Ｒeverse Ｒecovery Ｔime ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＩＦ ＩＦＭ Ｓｙｍｂｏｌ ＶＦ ｔｒｒ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ ３００ ６００ Ｍｉｎ. － － Ｔｙｐ. ２.２ ０.２ Ｍａｘ. ２.６ ０.３ Ｕｎｉｔ Ａ ＤＣ １ｍｓ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＩＦ= 300A,ＶＧＥ= 0V ＩＦ= 300A,ＶＧＥ= -10V ｄi/ｄt= 600A/μs Ｕｎｉｔ Ｖ μｓ □ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 熱 抵 抗 ＩＧＢＴ Ｔhermal Ｉmpedance Ｄiode Ｓｙｍｂｏｌ Ｒth(j-c) Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Junction to Case Ｍｉｎ. － － Ｔｙｐ. － － Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ０.０６９ ℃／Ｗ ０.１４３ 01 日本インター株式会社 QS043-402-20372（3/5） ＰＤＭＢ３００ＢＳ１２ ＰＤＭＢ３００ＢＳ１２Ｃ Fig.1- Output Characteristics (Typical) 600 Fig.2- Output Characteristics (Typical) T C=25°C 600 T C=125°C VGE=20V 12V 11V VGE=20V 500 12V 11V 500 15V 15V Collector Current I C (A) 400 10V Collector Current I C (A) 400 10V 300 300 9V 200 9V 200 8V 100 8V 7V 100 7V 0 0 1 2 3 4 5 0 0 1 2 3 4 5 Collector to Emitter Voltage VCE (V) Collector to Emitter Voltage VCE (V) Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) 16 Fig.4- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) T C=25°C 16 14 12 10 8 6 4 2 0 T C=125°C IC=150A 300A 600A IC=150A 600A Collector to Emitter Voltage V CE (V) 300A 12 10 8 6 4 2 0 0 4 8 12 16 20 Collector to Emitter Voltage V CE (V) 14 0 4 8 12 16 20 Gate to Emitter Voltage VGE (V) Gate to Emitter Voltage VGE (V) Fig.5- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 800 700 Fig.6- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 16 14 300000 100000 RL =2.0 TC=25°C Collector to Emitter Voltage V CE (V) VGE=0V f=1MHZ T C=25°C Cies Gate to Emitter Voltage VGE (V) 600 500 400 300 200 100 0 0 12 10 8 6 4 2 0 2500 30000 Capacitance C (pF) 10000 3000 1000 300 100 30 VCE =600V 400V 200V Coes Cres 500 1000 1500 2000 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 Total Gate Charge Qg (nC) Collector to Emitter Voltage VCE (V) 01 日本インター株式会社 QS043-402-20372（4/5） ＰＤＭＢ３００ＢＳ１２ ＰＤＭＢ３００ＢＳ１２Ｃ Fig.7- Collector Current vs. Switching Time (Typical) 2 Fig.8- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical) 5 3 1.6 VCC=600V RG=5.1 VGE=±15V T C=25°C Resistive Load VCC=600V IC=300A VGE=±15V T C=25°C Resistive Load toff tf Switching Time t (µs) Switching Time t (µs) tOFF 1.2 1 0.3 ton 0.8 tf tON tr(V CE) 0 50 100 150 200 250 300 0.4 0.1 tr (VCE) 0 0.03 3 10 30 Collector Current IC (A) Series Gate Impedance RG ( ) Fig.9- Collector Current vs. Switching Time 10 10 Fig.10- Series Gate Impedance vs. Switching Time VCC=600V IC=300A VGE=±15V T C=125°C Inductive Load toff ton 3 tOFF Switching Time t (µs) 1 VCC=600V RG=5.1 VGE=±15V T C=125°C Inductive Load 5 Switching Time t (µs) 2 1 0.5 tf 0.3 tON 0.1 0.2 tr(Ic) 0.03 tf 0.1 0.05 tr (IC ) 0.01 0 50 100 150 200 250 300 350 0.02 3 10 30 50 Collector Current IC (A) Series Gate Impedance R G ( ) Fig.11- Collector Current vs. Switching Loss 120 300 Fig.12- Series Gate Impedance vs. Switching Loss VCC=600V IC=300A VGE=±15V T C=125°C Inductive Load 100 Switching Loss ESW (mJ/Pulse) Switching Loss ESW (mJ/Pulse) 100 VCC=600V RG=5.1 VGE=±15V T C=125°C Inductive Load 80 EON EON 60 EOFF 30 EOFF 40 ERR 20 ERR 0 0 100 200 300 400 500 10 3 10 30 Collector Current IC (A) Series Gate Impedance RG ( ) 01 日本インター株式会社 QS043-402-20372（5/5） ＰＤＭＢ３００ＢＳ１２ ＰＤＭＢ３００ＢＳ１２Ｃ 600 Fig.13- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode (Typical) Fig.14- Reverse Recovery Characteristics (Typical) 1000 500 Peak Reverse Recovery Current I RrM (A) Reverse Recovery Time trr (ns) IF=300A T C=25°C T C=125°C trr T C=25°C T C=125°C Forward Current I F (A) 300 400 300 100 IRrM 200 30 100 0 0 1 2 3 4 10 0 600 1200 1800 2400 Forward Voltage VF (V) -di/dt (A/µs) Fig.15- Reverse Bias Safe Operating Area 2000 1000 300 RG=5.1 , VGE=±15V, T C=125°C Collector Current I C (A) 100 30 10 3 1 0.3 0.1 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 Collector to Emitter Voltage V CE (V) Fig.16- Transient Thermal Impedance 1 Transient Thermal Impedance Rth (J-C) (°C/W) 3x10 -1 1x10 -1 FRD IGBT 3x10 -2 1x10 -2 3x10 -3 1x10 -3 T C=25°C 1 Shot Pulse 3x10 -4 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 1 10 1 Time t (s) 01 日本インター株式会社