PDMB50A6_1

IGBT ■回路図 CIRCUIT 50 A 600 V G2 E2 PDMB50A6 （単位 Dimension：mm） ■外形寸法図 OUTLINE DRAWING C2E1 E2 C1 E1 G1 ■最大定格 Maximum Ratings（TC＝25℃） 項   目 Item コレクタ・エミッタ間電圧 Collector-Emitter Voltage ゲート・エミッタ間電圧 Gate-Emitter Voltage コレクタ電流 Collector Current DC 1ms 記号 Symbol VCES VGES IC ICP PC Tj Tstg Viso 定 格 値 Rated Value 600 ±20 50 100 250 −40∼＋150 −40∼＋125 2500 単位 Unit V V A W ℃ ℃ V （RMS） Nm ・ （kgf cm） ・ コレクタ損失 Collector Power Dissipation 接合温度 Junction Temperature Range 保存温度 Storage Temperature Range 絶縁耐圧 （端子−ベース間，AC１分間） Isolation Voltage Terminal to Base, AC１min.） （ ベース取付部 Module Base to Heatsink 締付トルク Mounting Torque 端子部 Busbar to Terminal Ftor 2（20.4） ■電気的特性 Electrical Characteristics（TC＝25℃） 項   目 Characteristic コレクタ遮断電流 Collector-Emitter Cut-Off Current ゲート漏れ電流 Gate-Emitter Leakage Current コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Collector-Emitter Saturation Voltage ゲートしきい値電圧 Gate-Emitter Threshold Voltage 入力容量 Input Capacitance 上昇時間 Rise Time ターン・オン時間 スイッチング時間 Turn-On Time Switching Time 下降時間 Fall Time ターン・オフ時間 Turn-Off Time 記号 Symbol ICES IGES VCE sat） （ VGE th） （ Cies tr ton tf toff VCC＝300V RL＝6Ω RG＝15.0Ω VGE＝±15V 条   件 Test Conditions VCE＝600V, VGE＝0V VGE＝±20V, VCE＝0V IC＝50A, VGE＝15V VCE＝5V, IC＝50mA VCE＝10V, VGE＝0V, f＝1MHz 最小 Min. ─ ─ ─ 4.0 ─ ─ ─ ─ ─ 標準 Typ. ─ ─ 2.0 ─ 5000 0.15 0.25 0.2 0.45 最大 Max. 1.0 500 2.5 8.0 ─ 0.3 0.4 μ s 0.35 0.7 単位 Unit mA nA V V pF ─ 367 ─ ■フリーホイーリングダイオードの特性 Free Wheeling Diode Ratings & Characteristics（TC＝25℃） 項   目 Item 順電流 Forward Current 項   目 Characteristic 順電圧 Peak Forward Voltage 逆回復時間 Reverse Recovery Time DC 1ms 記号 Symbol IF IFM 記号 Symbol VF trr 条   件 Test Conditions IF＝50A, VGE＝0V IF＝50A, VGE＝−10V di/dt＝50A/ s μ 定 格 値 Rated Value 50 100 最小 Min. ─ ─ 標準 Typ. 1.9 0.15 最大 Max. 2.4 0.25 単位 Unit A 単位 Unit V μ s ■熱的特性 Thermal Characteristics 項   目 Characteristic 熱抵抗 Thermal Impedance IGBT Diode 記号 Symbol Rth （j-c） 条   件 Test Conditions 接合部−ケース間 Junction to Case 最小 Min. ─ ─ 標準 Typ. ─ ─ 最大 Max. 0.50 1.10 単位 Unit ℃/W Ｉ Ｇ Ｂ Ｔ モ ジ ュ ー ル ─ 368 ─ ■定格・特性曲線 Fig. 1 Output Characteristics（Typical） Fig. 2 Collector to Emitter on Voltage vs. Gate to Emitter Voltage（Typical） Fig. 3 Collector to Emitter on Voltage vs. Gate to Emitter Voltage（Typical） Fig. 4 Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage（Typical） Fig. 5 Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage（Typical） Fig. 6 Collector Current vs. Switching Time（Typical） Fig. 7 Series Gate Impedance vs. Switching Time（Typical） Fig. 8 Forward Characteristics of Free Wheeling Diode（Typical） ─ 369 ─ Fig. 9 Reverse Recovery Capacitance （Typical） Fig. 10 Reverse Bias Safe Operating Area Fig. 11 Transient Thermal Impedance Ｉ Ｇ Ｂ Ｔ モ ジ ュ ー ル ─ 370 ─