PDMB600B12

QS043-402-20334 (2/4) ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｄｕａｌ □ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ ６００ Ａ，１２００Ｖ ＰＤＭＢ６００Ｂ１２ 140 130 110 □ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ 36 43.8 10 13.8 11.5 4 - Ø6.5 1 2 3 5 5(E1) 4(G1) 4 65 4-M4 LABEL 4 24 35 14.5 40 110 130 (C2E1) 1 (E2) 2 (C1) 3 7(G2) 6(E2) 3-M8 7 6 14.5 20.5 10 Dimension:［mm］ □ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ コレクタ・エミッタ間電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage コレクタ電流 Ｃollector Ｃurrent コレクタ損失 Ｃollector Ｐower Ｄissipation 接 合 温 度 Ｊunction Ｔemperature Ｒange 保 存 温 度 Ｓtorage Ｔemperature Ｒange 絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute) Ｉsolation Ｖoltage Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink 締め付けトルク Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal Ｍounting Ｔorque □ 電気的特性 ＤＣ １ｍｓ Ｓｙｍｂｏｌ ＶＣＥＳ ＶＧＥＳ ＩＣ ＩＣＰ ＰＣ Ｔｊ Ｔｓｔｇ ＶＩＳＯ Ｆｔｏｒ Ｍ４ Ｍ８ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ Ｖ Ｖ Ａ Ｗ ℃ ℃ Ｖ（ＲＭＳ） Ｎ・ｍ (kgf･cm) １，２００ ±２０ ６００ １，２００ ２，８００ －４０～＋１５０ －４０～＋１２５ ２,５００ ３（３０.６） １.４（１４.３） １０.５（１０７） ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＩＣＥＳ ＩＧＥＳ ＶＣＥ（ｓａｔ） ＶＧＥ（ｔｈ） Ｃｉｅｓ 上昇時間 ターンオン時間 下降時間 ターンオフ時間 Ｒise Ｔurn-on Ｆall Ｔurn-off Ｔime Ｔime Ｔime Ｔime ｔｒ ｔｏｎ ｔｆ ｔｏｆｆ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＶＣＥ= 1200V,ＶＧＥ= 0V ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V ＩＣ= 600A,ＶＧＥ= 15V ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 600mA ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ ＶＣＣ= 600V ＲL= 1Ω ＲG= 1Ω ＶＧＥ= ±15V Ｍｉｎ. － － － ４ － － － － － Ｔｙｐ. － － １.９ － 50,000 ０.２５ ０.４０ ０.２５ ０.８０ Ｍａｘ. １２ １.０ ２.４ ８ － ０.４５ ０.７０ ０.３５ １.１０ Ｕｎｉｔ ｍＡ μＡ Ｖ Ｖ ｐＦ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ コレクタ遮断電流 Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent ゲート漏れ電流 Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage ゲ ー ト しきい値電圧 Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage 入 力 容 量 Ｉnput Ｃapacitance スイッチング時間 Ｓwitching Ｔime μｓ □フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ Ｉｔｅｍ 順 電 流 Ｆorward Ｃurrent Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 順 電 圧 Ｐeak Ｆorward Ｖoltage 逆回復時間 Ｒeverse Ｒecovery Ｔime □熱 的 特性 ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＩＦ ＩＦＭ Ｓｙｍｂｏｌ ＶＦ ｔｒｒ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ ６００ １，２００ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＩＦ= 600A,ＶＧＥ= 0V ＩＦ= 600A,ＶＧＥ= -10V ｄi/ｄt= 1200A/μs Ｍｉｎ. － － Ｔｙｐ. １.９ ０.２５ Ｍａｘ. ２.４ ０.３５ Ｕｎｉｔ Ａ ＤＣ １ｍｓ Ｕｎｉｔ Ｖ μｓ ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｓｙｍｂｏｌ Ｒth(j-c) Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Junction to Case Ｍｉｎ. － － Ｔｙｐ. － － Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ０.０４４ ℃／Ｗ ０.０８５ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 熱 抵 抗 ＩＧＢＴ Ｔhermal Ｉmpedance Ｄiode 日本インター株式会社 QS043-402-20334 (3/4) ＰＤＭＢ６００Ｂ１２ Fig.1- Output Characteristics (Typical) 1200 Fig.2- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) TC=25℃ 16 TC=25℃ I C=300A 1200A VGE=20V 1000 12V 10V Collector to Emitter Voltage V CE ( V) 15V 14 12 10 8 6 4 2 0 600A Collector Current I C (A) 800 9V 600 400 8V 200 7V 0 0 2 4 6 8 10 0 4 8 12 16 20 Collector to Emitter Voltage VCE (V) Gate to Emitter Voltage V GE ( V) Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) 16 Fig.4- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 800 700 600 500 400 16 TC=125℃ I C=300A 1200A Collector to Emitter Voltage V CE ( V) 600A 12 10 8 6 4 2 0 Collector to Emitter Voltage V CE ( V) 14 RL=1Ω TC=25℃ 14 Gate to Emitter Voltage V GE (V) 12 10 8 VCE =600V 300 6 400V 200 100 0 0 800 1600 2400 3200 4000 200V 4 2 0 4800 0 4 8 12 16 20 Gate to Emitter Voltage V GE ( V) Total Gate Charge Qg ( nC) Fig.5- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 200000 100000 Fig.6- Collector Current vs. Switching Time (Typical) 1.6 Cies 50000 VGE=0V f=1MHZ TC =25℃ 1.4 1.2 VCC=600V RG=0.82Ω VGE=±15V TC=25℃ 20000 10000 5000 2000 1000 500 200 Switching Time t (μs) Capacitance C ( pF) tOFF Coes 1 0.8 0.6 0.4 0.2 0 tf Cres tON tr 0 100 200 300 400 500 600 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 Collector to Emitter Voltage V CE (V) Collector Current IC (A) 日本インター株式会社 QS043-402-20334 (4/4) ＰＤＭＢ６００Ｂ１２ Fig.8- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical) 10 5 1200 (Typical) TC=25℃ TC=125℃ VCC=600V IC=600A VGE=±15V TC=25℃ 1000 toff ton 2 1 0.5 Forward Current I F ( A) Switching Time t (μs) 800 tr 600 tf 0.2 0.1 0.05 400 200 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 0 0 1 2 3 4 Series Gate Impedance RG (Ω) Forward Voltage V F ( V) Fig.9- Reverse Recovery Characteristics (Typical) 1000 Fig.10- Reverse Bias Safe Operating Area 5000 2000 1000 500 Peak Reverse Recovery Current I RrM ( A) Reverse Recovery Time trr ( ns) I F=600A TC=25℃ 500 R G=0.82Ω V GE=±15V TC≦125℃ Collector Current I C ( A) 1200 1800 2400 3000 3600 300 200 trr 200 100 50 20 10 5 2 1 0.5 100 I RrM 50 20 10 0 600 0.2 0 400 800 1200 1600 -di/dt ( A/μs) Collector to Emitter Voltage V CE ( V) Fig.11- Transient Thermal Impedance 2x10 -1 FRD (℃/W) 1x10 -1 5x10 -2 2x10 -2 1x10 -2 5x10 -3 2x10 -3 1x10 -3 5x10 -4 2x10 -4 IGBT Transient Thermal Impedance Rth (J-C) TC =25℃ 1 Shot Pulse 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 1 10 1 Time t ( s) 日本インター株式会社