IGBT
■回路図 CIRCUIT
75 A 600 V
G2 E2
PDMB75A6
(単位 Dimension:mm)
■外形寸法図 OUTLINE DRAWING
C2E1
E2
C1
E1 G1
■最大定格 Maximum Ratings(TC=25℃)
項 目 Item コレクタ・エミッタ間電圧 Collector-Emitter Voltage ゲート・エミッタ間電圧 Gate-Emitter Voltage コレクタ電流 Collector Current DC 1ms 記号 Symbol VCES VGES IC ICP PC Tj Tstg Viso 定 格 値 Rated Value 600 ±20 75 150 320 −40∼+150 −40∼+125 2500 単位 Unit V V A W ℃ ℃ V (RMS) Nm ・ (kgf cm) ・
コレクタ損失 Collector Power Dissipation 接合温度 Junction Temperature Range 保存温度 Storage Temperature Range 絶縁耐圧 (端子−ベース間,AC1分間) Isolation Voltage Terminal to Base, AC1min.) ( ベース取付部 Module Base to Heatsink 締付トルク Mounting Torque 端子部 Busbar to Terminal
Ftor
2(20.4)
■電気的特性 Electrical Characteristics(TC=25℃)
項 目 Characteristic コレクタ遮断電流 Collector-Emitter Cut-Off Current ゲート漏れ電流 Gate-Emitter Leakage Current コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Collector-Emitter Saturation Voltage ゲートしきい値電圧 Gate-Emitter Threshold Voltage 入力容量 Input Capacitance 上昇時間 Rise Time ターン・オン時間 スイッチング時間 Turn-On Time Switching Time 下降時間 Fall Time ターン・オフ時間 Turn-Off Time 記号 Symbol ICES IGES VCE sat) ( VGE th) ( Cies tr ton tf toff VCC=300V RL=4Ω RG=10.0Ω VGE=±15V 条 件 Test Conditions VCE=600V, VGE=0V VGE=±20V, VCE=0V IC=75A, VGE=15V VCE=5V, IC=75mA VCE=10V, VGE=0V, f=1MHz 最小 Min. ─ ─ ─ 4.0 ─ ─ ─ ─ ─ 標準 Typ. ─ ─ 2.1 ─ 7500 0.15 0.25 0.2 0.45 最大 Max. 1.0 500 2.6 8.0 ─ 0.3 0.4 μ s 0.35 0.7 単位 Unit mA nA V V pF
I G B T モ ジ ュ ー ル
─ 374 ─
■フリーホイーリングダイオードの特性 Free Wheeling Diode Ratings & Characteristics(TC=25℃)
項 目 Item 順電流 Forward Current 項 目 Characteristic 順電圧 Peak Forward Voltage 逆回復時間 Reverse Recovery Time DC 1ms 記号 Symbol IF IFM 記号 Symbol VF trr 条 件 Test Conditions IF=75A, VGE=0V IF=75A, VGE=−10V di/dt=75A/ s μ 定 格 値 Rated Value 75 150 最小 Min. ─ ─ 標準 Typ. 1.9 0.15 最大 Max. 2.4 0.25 単位 Unit A 単位 Unit V μ s
■熱的特性 Thermal Characteristics
項 目 Characteristic 熱抵抗 Thermal Impedance IGBT Diode 記号 Symbol Rth (j-c) 条 件 Test Conditions 接合部−ケース間 Junction to Case 最小 Min. ─ ─ 標準 Typ. ─ ─ 最大 Max. 0.38 0.80 単位 Unit ℃/W
─ 375 ─
■定格・特性曲線
Fig. 1 Output Characteristics(Typical) Fig. 2 Collector to Emitter on Voltage vs. Gate to Emitter Voltage(Typical)
Fig. 3 Collector to Emitter on Voltage vs. Gate to Emitter Voltage(Typical)
Fig. 4 Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage(Typical)
Fig. 5 Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage(Typical)
Fig. 6 Collector Current vs. Switching Time(Typical)
Fig. 7 Series Gate Impedance vs. Switching Time(Typical)
Fig. 8 Forward Characteristics of Free Wheeling Diode(Typical)
I G B T モ ジ ュ ー ル
─ 376 ─
Fig. 9 Reverse Recovery Capacitance (Typical)
Fig. 10 Reverse Bias Safe Operating Area
Fig. 11 Transient Thermal Impedance
─ 377 ─
很抱歉,暂时无法提供与“PDMB75A6”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货
免费人工找货