PDMB75B12C

QS043-401M0058 (2/4) ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｄｕａｌ □ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ ＰＤＭＢ７５Ｂ１２ ７５ Ａ，１２００Ｖ □ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ 12.0 11.0 12.0 11.0 12.0 ＰＤＭＢ７５Ｂ１２Ｃ 94 80 ± 0 .2 5 12 11 2 94.0 80 ±0.25 2-Ø6.5 12 1 11 12 3 7 6 2-Ø 5.5 4 4-fasten tab #110 t= 0.5 8 48.0 16.0 14.0 4 18.0 5 4 5 4 5(E1) 4(G1) 3-M5 23.0 23.0 17.0 4-fasten tab #110 t=0.5 21.2 7.5 3-M5 23 23 17 14 9 14 9 14 16 7 16 7 16 30 +1 .0 - 0 .5 30 +1.0 - 0 .5 LABEL 7 LABEL PDMB75B12 □ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ コレクタ・エミッタ間電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage コレクタ電流 Ｃollector Ｃurrent コレクタ損失 Ｃollector Ｐower Ｄissipation 接 合 温 度 Ｊunction Ｔemperature Ｒange 保 存 温 度 Ｓtorage Ｔemperature Ｒange 絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute) Ｉsolation Ｖoltage 締め付けトルク Ｍounting Ｔorque □ 電気的特性 Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal ＤＣ １ｍｓ Ｓｙｍｂｏｌ ＶＣＥＳ ＶＧＥＳ ＩＣ ＩＣＰ ＰＣ Ｔｊ Ｔｓｔｇ ＶＩＳＯ PDMB75B12C Ｆｔｏｒ PDMB75B12 Ｒａｔｅｄ PDMB75B12C Dimension:［mm］ Ｖａｌｕｅ 6 23 4 １，２００ ±２０ ７５ １５０ ４００ －４０～＋１５０ －４０～＋１２５ ２,５００ ２（２０.４） ３（３０.６） ２（２０.４） 12 17 35 (C2E1) 1 (E2) 2 (C1) 3 7(G2) 6(E2) 1 2 3 7 6 4 Ｕｎｉｔ Ｖ Ｖ Ａ Ｗ ℃ ℃ Ｖ（ＲＭＳ） Ｎ・ｍ (kgf･cm) ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＩＣＥＳ ＩＧＥＳ ＶＣＥ（ｓａｔ） ＶＧＥ（ｔｈ） Ｃｉｅｓ 上昇時間 ターンオン時間 下降時間 ターンオフ時間 Ｒise Ｔurn-on Ｆall Ｔurn-off Ｔime Ｔime Ｔime Ｔime ｔｒ ｔｏｎ ｔｆ ｔｏｆｆ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＶＣＥ= 1200V,ＶＧＥ= 0V ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V ＩＣ= 75A,ＶＧＥ= 15V ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 75mA ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ ＶＣＣ= 600V ＲL= 8Ω ＲG= 13Ω ＶＧＥ= ±15V Ｍｉｎ. － － － ４.０ － － － － － Ｔｙｐ. － － １.９ － 6,300 ０.２５ ０.４０ ０.２５ ０.８０ Ｍａｘ. ２.０ １.０ ２.４ ８.０ － ０.４５ ０.７０ ０.３５ １.１０ Ｕｎｉｔ ｍＡ μＡ Ｖ Ｖ ｐＦ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ コレクタ遮断電流 Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent ゲート漏れ電流 Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage ゲ ー ト しきい値電圧 Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage 入 力 容 量 Ｉnput Ｃapacitance スイッチング時間 Ｓwitching Ｔime μｓ □フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ Ｉｔｅｍ 順 電 流 Ｆorward Ｃurrent Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 順 電 圧 Ｐeak Ｆorward Ｖoltage 逆回復時間 Ｒeverse Ｒecovery Ｔime □熱 的 特性 ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＩＦ ＩＦＭ Ｓｙｍｂｏｌ ＶＦ ｔｒｒ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ ７５ １５０ Ｍｉｎ. － － Ｔｙｐ. １.９ ０.２ Ｍａｘ. ２.４ ０.３ Ｕｎｉｔ Ａ ＤＣ １ｍｓ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＩＦ= 75A,ＶＧＥ= 0V ＩＦ= 75A,ＶＧＥ= -10V ｄi/ｄt= 150A/μs Ｕｎｉｔ Ｖ μｓ ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｓｙｍｂｏｌ Ｒth(j-c) Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Junction to Case Ｍｉｎ. － － Ｔｙｐ. － － Ｍａｘ. ０.３ ０.６ Ｕｎｉｔ ℃／Ｗ ０１ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 熱 抵 抗 ＩＧＢＴ Ｔhermal Ｉmpedance Ｄiode 日本インター株式会社 QS043-401M0058 (3/4) ＰＤＭＢ７５Ｂ１２ ＰＤＭＢ７５Ｂ１２Ｃ Fig.1- Output Characteristics (Typical) 150 Fig.2- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) TC=25℃ 16 TC=25℃ IC=30A 150A V GE=20V 15V 125 12V 10V Collector to Emitter Voltage V CE ( V) 14 12 10 8 6 4 2 0 75A Collector Current I C ( A) 100 9V 75 50 8V 25 7V 0 0 2 4 6 8 10 0 4 8 12 16 20 Collector to Emitter Voltage V CE ( V) Gate to Emitter Voltage V GE (V) Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) 16 Fig.4- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 800 700 600 500 400 16 TC=125℃ IC=30A 150A Collector to Emitter Voltage V CE ( V) Collector to Emitter Voltage V CE ( V) 14 RL=8Ω TC=25℃ 14 Gate to Emitter Voltage V GE (V) 75A 12 10 8 6 4 2 0 12 10 8 VCE =600V 300 6 400V 200 100 0 0 100 200 300 400 500 600 200V 4 2 0 0 4 8 12 16 20 Gate to Emitter Voltage V GE (V) Total Gate Charge Qg ( nC) Fig.5- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 50000 20000 10000 Fig.6- Collector Current vs. Switching Time (Typical) 1.6 1.4 1.2 VGE=0V f=1MHZ TC=25℃ Cies VCC=600V RG=13Ω VGE=±15V TC=25℃ Switching Time t (μs) Capacitance C ( pF) 5000 2000 1000 500 200 100 50 20 tOFF 1 0.8 0.6 0.4 0.2 0 0 25 50 75 Coes tf Cres tON tr 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 Collector to Emitter Voltage V CE (V) Collector Current IC (A) ０１ 日本インター株式会社 QS043-401M0058 (4/4) ＰＤＭＢ７５Ｂ１２ ＰＤＭＢ７５Ｂ１２Ｃ Fig.8- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical) 10 5 (Typical) 150 VCC=600V IC=75A VGE=±15V TC=25℃ TC=25℃ TC=125℃ toff 125 Switching Time t (μs) Forward Current I F ( A) 2 1 0.5 ton tr 100 75 tf 0.2 0.1 0.05 50 25 0.02 5 10 20 50 100 200 0 0 1 2 3 4 Series Gate Impedance RG (Ω) Forward Voltage V F ( V) Fig.9- Reverse Recovery Characteristics (Typical) 500 500 Fig.10- Reverse Bias Safe Operating Area R G=13Ω V GE=±15V TC≦125℃ Peak Reverse Recovery Current I RrM ( A) Reverse Recovery Time trr ( ns) I F=75A TC=25℃ 200 200 100 trr 50 Collector Current I C ( A) IRrM 0 150 300 450 100 50 20 10 5 2 1 0.5 0.2 0.1 0 400 800 1200 1600 20 10 5 2 1 -di/dt ( A/μs) Collector to Emitter Voltage V CE ( V) fig11-Tansient Thermal Impedance 5 Tansient Thermal Impedance Rth (J-C) (ﾟC/W) 2 1 5x10 2x10 -1 FRD IGBT -1 -1 1x10 5x10 2x10 1x10 -2 -2 -2 Tc=25℃ 1 Shot Pulse 5x10 -3 2x10 -3 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 1 10 1 Time t （s） ０１ 日本インター株式会社