PRHMB100A6A

ＩＧＢＴ ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ−Ｃｈｏｐｐｅｒ □ 回路図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ ＣＩＲＣＵＩＴ １００Ａ，６００Ｖ ＰＲＨＭＢ１００Ａ６Ａ ＰＲＨＭＢ１００Ａ６Ａ □ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ Dimension:［mm］ □ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＭＡＸＩＭＵＭ Ｉｔｅｍ コレクタ・エミッタ間電圧 ゲート・エミッタ間電圧 ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＶCES ＶGES ＤＣ １ｍｓ 重量：220ｇ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ ６００ ±２０ １００ ２００ ４００ −４０∼＋１５０ −４０∼＋１２５ ２,５００ ２（２０.４） Ｕｎｉｔ Ｖ Ｖ Ａ Ｗ ℃ ℃ Ｖ(RMS) Ｎ・ｍ (kgf･cm) Collector-Emitter Voltage Gate-Emitter Voltage コ コ 接 保 絶 レ レ ク ク 合 存 縁 タ タ 温 温 耐 電 損 流 失 度 度 Collector Current Collector Power Dissipation Junction Temperature Range Storage Temperature Range ＩC ＩCP ＰC Ｔj Ｔstg Ｖiso Ｆtor 圧(Terminal to Base AC,1minute) Module Base to Heatsink Busbar to Main Terminal Isolation Voltage 締め付けトルク Mounting Torque □ 電 気 的 特 性 ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ コレクタ遮断電流 ＩCES ＶCE = 600V, ＶGE = 0V Collector-Emitter Cut-Off Current ゲート漏れ電流 Gate-Emitter Leakage Current Ｍｉｎ. − − − ４.０ − − − − − Ｔｙｐ. − − ２.１ − 10,000 ０.１５ ０.２５ ０.２０ ０.４５ Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ １.０ １.０ ２.６ ８.０ − ０.３０ ０.４０ ０.３５ ０.７０ ｍＡ μＡ Ｖ Ｖ ｐＦ ＩGES ＶCE(sat) ＶGE(th) Ｃies 上 昇 時 間 Rise Time ＶGE = ±20V, ＶCE = 0V ＩC = 100A, ＶGE = 15V ＶCE = 5V, ＩC = 100mA ＶCES = 10V, ＶGE = 0V,ｆ= 1MHz ＶCC ＲL ＲG ＶGE = = = = 300V 3Ω 7.5Ω ±15V コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Collector-Emitter Saturation Voltage ゲートしきい値電圧 Gate-Emitter Threshold Voltage 入 力 容 量 Input Capacitance ス イ ッ チ ン グ 時 間 ターンオン時間 Turn-on Time Switching Time 下 降 時 間 Fall Time ターンオフ時間 Turn-off Time ｔr ｔon ｔf ｔoff μｓ □フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃） ＦＲＥＥ Ｉｔｅｍ Ｓｙｍｂｏｌ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ ＤＣ ＩF １００ 順 電 流 Ａ Forward Current １ｍｓ ＩFM ２００ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 電 圧 回 復 時 間 Ｓｙｍｂｏｌ ＶF ｔrr Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＩF = 100A, ＶGE = 0V ＩF = 100A, ＶGE = -10V ｄi/ｄt = 100A/μs Ｍｉｎ. − − Ｔｙｐ. １.９ Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ２.４ Ｖ μｓ 順 逆 □ 熱 Peak Forward Voltage Reverse Recovery Time ０.１５ ０.２５ ＴＨＥＲＭＡＬ 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＩＧＢＴ 熱 抵 抗 Ｒth(j-c) Junction to Case Thermal Impedance Ｄｏｅ ｉｄ Ｍｉｎ. − − Ｔｙｐ. − − Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ０.３１ ℃／Ｗ ０.６５ ＰＲＨＭＢ１００Ａ６Ａ ＰＲＨＭＢ１００Ａ６Ａ Fig.1- Output Characteristics (Typical) 200 Fig.2- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) TC=25 ℃ 16 TC=25 ℃ VGE =20V 12V I C=40A 200A Collector to Emitter Voltage V CE ( V) 15V 10V 14 12 10 8 6 4 2 0 100A Collector Current I C ( A) 150 100 9V 50 8V 7V 0 0 2 4 6 8 10 0 4 8 12 16 20 Collector to Emitter Voltage V CE ( V) Gate to Emitter Voltage V GE (V) Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) 16 Fig.4- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 400 350 300 250 200 16 TC=125 ℃ IC=40A 200A Collector to Emitter Voltage V CE ( V) 100A 12 10 8 6 4 2 0 Collector to Emitter Voltage V CE ( V) 14 R L=3 Ω TC=25 ℃ 14 Gate to Emitter Voltage V GE ( V) 12 10 8 VCE =300V 150 6 200V 100 100V 50 0 4 2 0 0 4 8 12 16 20 0 100 200 300 400 Gate to Emitter Voltage V GE ( V) Total Gate Charge Qg ( nC) Fig.5- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 50000 20000 10000 1 Fig.6- Collector Current vs. Switching Time (Typical) VCC=300V R G=7.5 Ω VGE = ± 15V TC=25 ℃ Cies Coes Cres VGE =0V f=1MHZ TC=25 ℃ 0.9 0.8 Switching Time t ( μ s) Capacitance C ( pF) 5000 2000 1000 500 200 100 50 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0 0 20 40 60 80 toff ton tf tr 100 Collector to Emitter Voltage V CE ( V) Collector Current IC ( A) ＰＲＨＭＢ１００Ａ６Ａ ＰＲＨＭＢ１００Ａ６Ａ Fig.8- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical) 5 200 (Typical) TC=25 ℃ 180 160 2 V CC=300V I C=100A V G= ± 15V TC=25 ℃ TC=125 ℃ Switching Time t ( μ s) Forward Current I F ( A) toff ton 1 140 120 100 80 60 40 tr 0.5 tf 0.2 0.1 20 0.05 1 10 100 0 0 1 2 3 4 Series Gate Impedance R G ( Ω ) Forward Voltage V F ( V) Fig.9- Reverse Recovery Characteristics (Typical) 500 1000 Fig.10- Reverse Bias Safe Operating Area (Typical) 500 200 Peak Reverse Recovery Current I RrM ( A) Reverse Recovery Time trr ( ns) IF=100A TC=25 ℃ 200 R G=7.5 Ω V GE = ± 15V TC≦ 125 ℃ Collector Current I C ( A) trr 100 100 50 20 10 5 2 1 0.5 0.2 50 20 10 I RrM 5 0 100 200 300 400 500 600 0.1 0 200 400 600 800 -di/dt ( A/μ s) Collector to Emitter Voltage V CE ( V) Fig.11- Transient Thermal Impedance 1 ( ℃ /W) 5x10 -1 2x10 -1 1x10 -1 5x10 -2 2x10 -2 1x10 -2 5x10 -3 FRD IGBT Transient Thermal Impedance Rth (J-C) TC=25 ℃ 2x10 -3 1x10 -3 -5 10 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 1 Shot Pulse 1 10 1 Time t ( s)