PRHMB100E6

ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｃｈｏｐｐｅｒ □ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ １００Ａ， ６００Ｖ □ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ 94 80 ± 0 .2 5 12 11 2 Ｐ ＲＨＭＢ１００Ｅ６ 12 11 12 3 7 6 2-Ø 5.5 4 12 (C2E1) 1 (E2) 2 (C1) 3 3-M5 23 23 17 16 7 16 7 16 4-fasten tab #110 t= 0.5 8 30 +1 .0 - 0 .5 LABEL 6 23 35 7(G2) 6(E2) 1 Dimension:［mm］ □ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ コレクタ・エミッタ間電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage コレクタ電流 Ｃollector Ｃurrent コレクタ損失 Ｃollector Ｐower Ｄissipation 接 合 温 度 Ｊunction Ｔemperature Ｒange 保 存 温 度 Ｓtorage Ｔemperature Ｒange 絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute) Ｉsolation Ｖoltage Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink 締め付けトルク Ｍounting Ｔorque Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal □ 電気的特性 ＤＣ １ｍｓ Ｓｙｍｂｏｌ ＶＣＥＳ ＶＧＥＳ ＩＣ ＩＣＰ ＰＣ Ｔｊ Ｔｓｔｇ ＶＩＳＯ Ｆｔｏｒ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ Ｖ Ｖ Ａ Ｗ ℃ ℃ Ｖ（ＲＭＳ） Ｎ・ｍ (kgf･cm) ６００ ±２０ １００ ２００ ４００ －４０～＋１５０ －４０～＋１２５ ２,５００ ２ ２（２０.４） ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＩＣＥＳ ＩＧＥＳ ＶＣＥ（ｓａｔ） ＶＧＥ（ｔｈ） Ｃｉｅｓ 上昇時間 ターンオン時間 下降時間 ターンオフ時間 Ｒise Ｔurn-on Ｆall Ｔurn-off Ｔime Ｔime Ｔime Ｔime ｔｒ ｔｏｎ ｔｆ ｔｏｆｆ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＶＣＥ= 600V,ＶＧＥ= 0V ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V ＩＣ= 100A,ＶＧＥ= 15V ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 100mA ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ ＶＣＣ= ＲＬ= ＲＧ= ＶＧＥ= 300V 3.0Ω 8.2Ω ±15V Ｍｉｎ. － － － ４.０ － － － － － Ｔｙｐ. － － ２.１ － 5,000 ０.１５ ０.２５ ０.１０ ０.３５ Ｍａｘ. １.０ １.０ ２.６ ８.０ － ０.３０ ０.４０ ０.３５ ０.７０ Ｕｎｉｔ ｍＡ μＡ Ｖ Ｖ ｐＦ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ コレクタ遮断電流 Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent ゲート漏れ電流 Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage ゲ ー ト しきい値電圧 Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage 入 力 容 量 Ｉnput Ｃapacitance スイッチング時間 Ｓwitching Ｔime μｓ □フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ Ｉｔｅｍ 順 電 流 Ｆorward Ｃurrent Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 順 電 圧 Ｐeak Ｆorward Ｖoltage 逆回復時間 Ｒeverse Ｒecovery Ｔime ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＩＦ ＩＦＭ Ｓｙｍｂｏｌ ＶＦ ｔｒｒ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ １００ ２００ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＩＦ= 100A,ＶＧＥ= 0V ＩＦ= 100A,ＶＧＥ= -10V ｄi/ｄt= 200A/μs Ｍｉｎ. － － Ｔｙｐ. １.９ ０.１５ Ｍａｘ. ２.４ ０.２５ Ｕｎｉｔ Ａ ＤＣ １ｍｓ Ｕｎｉｔ Ｖ μｓ □ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 熱 抵 抗 ＩＧＢＴ Ｔhermal Ｉmpedance Ｄiode Ｓｙｍｂｏｌ Ｒth(j-c) Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Junction to Case （Tc測定点チップ直下） Ｍｉｎ. － － Ｔｙｐ. － － Ｍａｘ. ０.３１ ０.６５ Ｕｎｉｔ ℃／Ｗ 00 日本インター株式会社 Ｐ ＲＨＭＢ１００Ｅ６ Fig.1- Output Characteristics (Typical) 200 Fig.2- Output Characteristics (Typical) T C=25°C 200 T C=125°C VGE=20V 12V VGE=20V 180 160 12V 11V 180 160 15V 15V 11V Collector Current I C (A) 140 120 100 80 60 40 20 0 0 1 2 3 4 Collector Current I C (A) 140 120 100 80 60 40 10V 10V 9V 9V 8V 8V 20 5 0 0 1 2 3 4 5 Collector to Emitter Voltage VCE (V) Collector to Emitter Voltage VCE (V) Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) 16 14 12 10 8 6 4 2 0 Fig.4- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) T C=25°C 16 14 12 10 8 6 4 2 0 T C=125°C IC=50A 100A 200A IC=50A 100A 200A Collector to Emitter Voltage V CE (V) 0 4 8 12 16 20 Collector to Emitter Voltage V CE (V) 0 4 8 12 16 20 Gate to Emitter Voltage VGE (V) Gate to Emitter Voltage VGE (V) Fig.5- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 400 350 Fig.6- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 16 14 10000 30000 RL =3.0 TC=25°C Collector to Emitter Voltage V CE (V) VGE=0V f=1MHZ T C=25°C Cies Gate to Emitter Voltage VGE (V) 300 250 200 150 100 50 0 12 10 Capacitance C (pF) 3000 VCE =300V 200V 100V 8 6 4 2 0 400 Coes 1000 Cres 300 0 100 200 300 100 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 Total Gate Charge Qg (nC) Collector to Emitter Voltage VCE (V) 00 日本インター株式会社 Ｐ ＲＨＭＢ１００Ｅ６ Fig.7- Collector Current vs. Switching Time (Typical) 1 Fig.8- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical) 10 5 0.8 tOFF VCC=300V RG=8.2 VGE=±15V T C=25°C Resistive Load 2 VCC=300V IC=100A VGE=±15V T C=25°C Resistive Load Switching Time t (µs) Switching Time t (µs) 0.6 1 0.5 tf 0.4 toff ton tr(V CE) tf 0.2 0.1 0.05 0.2 tON tr(VCE) 0 0 25 50 75 100 125 150 0.02 3 10 30 100 Collector Current IC (A) Series Gate Impedance RG ( ) Fig.9- Collector Current vs. Switching Time 10 Fig.10- Series Gate Impedance vs. Switching Time 10 5 1 Switching Time t (µs) Switching Time t (µs) tOFF tON tf tr(Ic) VCC=300V RG=8.2 VGE=±15V T C=125°C Inductive Load 2 1 0.5 VCC=300V IC=100A VGE=±15V T C=125°C Inductive Load 0.1 toff ton tf tr(IC ) 0.2 0.1 0.05 0.01 0.001 0 25 50 75 100 125 150 0.02 3 10 30 100 300 Collector Current IC (A) Series Gate Impedance RG ( ) Fig.11- Collector Current vs. Switching Loss 8 300 Fig.12- Series Gate Impedance vs. Switching Loss VCC=300V IC=100A VGE=±15V T C=125°C Inductive Load Switching Loss ESW (mJ/Pulse) 6 EOFF Switching Loss ESW (mJ/Pulse) VCC=300V RG=8.2 VGE=±15V T C=125°C Inductive Load 100 30 EON EOFF ERR 4 EON ERR 10 3 2 1 0 0 25 50 75 100 125 150 0.3 3 10 30 100 Collector Current IC (A) Series Gate Impedance RG ( ) 00 日本インター株式会社 Ｐ ＲＨＭＢ１００Ｅ６ 200 Fig.13- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode (Typical) T C=25°C T C=125°C Fig.14- Reverse Recovery Characteristics (Typical) 1000 Peak Reverse Recovery Current I RrM (A) Reverse Recovery Time trr (ns) 500 160 trr 200 100 50 IF=100A T C=25°C T C=125°C Forward Current I F (A) 120 80 20 10 5 IRrM 40 0 0 1 2 3 4 2 0 100 200 300 400 500 600 Forward Voltage VF (V) -di/dt (A/µs) Fig.15- Reverse Bias Safe Operating Area 500 200 100 RG=8.2 , VGE=±15V, T C