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PRHMB150A6_1

PRHMB150A6_1

  • 厂商:

    NIEC

  • 封装:

  • 描述:

    PRHMB150A6_1 - 150A 600V - Nihon Inter Electronics Corporation

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  • 价格&库存
PRHMB150A6_1 数据手册
IGBT IGBT Module−Chopper □ 回路図 : CIRCUIT CIRCUIT 150A,600V PRHMB150A6 PRHMB150A6 □ 外 形 寸 法 図 : OUTLINE DRAWING OUTLINE DRAWING Dimension:[mm] □ 最 大 定 格 : MAXIMUM MAXIMUM Item コレクタ・エミッタ間電圧 ゲート・エミッタ間電圧 RATINGS (TC=25℃) Symbol VCES VGES DC 1ms 重量:220g Rated Value 600 ±20 150 300 560 −40∼+150 −40∼+125 2,500 2(20.4) Unit V V A W ℃ ℃ V(RMS) N・m (kgf・cm) Collector-Emitter Voltage Gate-Emitter Voltage コ コ 接 保 絶 レ レ ク ク 合 存 縁 タ タ 温 温 耐 電 損 流 失 度 度 Collector Current Collector Power Dissipation Junction Temperature Range Storage Temperature Range IC ICP PC Tj Tstg Viso Ftor 圧(Terminal to Base AC,1minute) Module Base to Heatsink Busbar to Main Terminal Isolation Voltage 締め付けトルク Mounting Torque □ Collector-Emitter Cut-Off Current 電 気 的 特 性 : ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25℃) ELECTRICAL Characteristic Symbol Test Condition コレクタ遮断電流 ICES VCE = 600V, VGE = 0V ゲート漏れ電流 IGES VCE(sat) VGE(th) Cies 上 昇 時 間 Rise Time Min. − − − 4.0 − − − − − Typ. − − 2.1 − 15,000 0.15 0.25 0.20 0.45 Max. Unit 2.0 1.0 2.6 8.0 − 0.30 0.40 0.35 0.70 mA µA V V pF µs Gate-Emitter Leakage Current VGE = ±20V, VCE = 0V IC = 150A, VGE = 15V VCE = 5V, IC = 150mA VCES = 10V, VGE = 0V,f= 1MHz VCC RL RG VGE = = = = 300V 2Ω 5.1Ω ±15V コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Collector-Emitter Saturation Voltage ゲートしきい値電圧 Gate-Emitter Threshold Voltage 入 力 容 量 Input Capacitance ス イ ッ チ ン グ 時 間 ターンオン時間 Turn-on Time Switching Time 下 降 時 間 Fall Time ターンオフ時間 Turn-off Time tr ton tf toff □フリーホイーリングダイオードの 特 性: FREE WHEELING DIODE RATINGS & CHARACTERISTICS(TC=25℃) FREE Item Symbol Rated Value Unit DC IF 150 順 電 流 A Forward Current 1ms IFM 300 Characteristic 電 圧 回 復 時 間 Symbol VF trr Test Condition IF = 150A, VGE = 0V IF = 150A, VGE = -10V di/dt = 150A/µs Min. − − Typ. 1.9 Max. Unit 2.4 V µs 順 逆 □ 熱 熱 Peak Forward Voltage Reverse Recovery Time 0.15 0.25 Thermal Impedance THERMAL 的 特 性 : THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol Test Condition IGBT 抵 抗 Rth(j-c) Junction to Case Doe id Min. − − Typ. − − Max. Unit 0.22 ℃/W 0.45 0 0 PRHMB150A6 PRHMB150A6 Fig.1- Output Characteristics (Typical) TC=25 ℃ 300 Fig.2- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) 16 TC=25 ℃ I C=60A 300A VGE =20V 12V 250 Collector to Emitter Voltage V CE ( V) 15V 10V 14 150A 12 10 8 6 4 2 0 Collector Current I C ( A) 200 150 9V 100 50 8V 7V 0 0 2 4 6 8 10 0 4 8 12 16 20 Collector to Emitter Voltage V CE ( V) Gate to Emitter Voltage V GE ( V) Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) 16 Fig.4- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 400 350 300 250 200 16 TC=125 ℃ IC=60A 300A Collector to Emitter Voltage V CE ( V) 150A 12 10 8 6 4 2 0 Collector to Emitter Voltage V CE ( V) 14 RL=2 Ω TC=25 ℃ 14 Gate to Emitter Voltage V GE (V) 12 10 8 VCE =300V 150 6 200V 100 50 0 0 150 300 450 600 100V 4 2 0 0 4 8 12 16 20 Gate to Emitter Voltage V GE ( V) Total Gate Charge Qg ( nC) Fig.5- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 100000 50000 20000 Fig.6- Collector Current vs. Switching Time (Typical) 1 0.9 0.8 Switching Time t ( μ s) Cies Coes Cres VGE =0V f=1MHZ TC=25 ℃ VCC=300V R G=5.1 Ω VGE = ± 15V TC=25 ℃ Capacitance C ( pF) 10000 5000 2000 1000 500 200 100 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0 0 40 80 120 toff ton tf tr 160 Collector to Emitter Voltage V CE ( V) Collector Current IC ( A) PRHMB150A6 PRHMB150A6 Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical) 5 Fig.8- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode (Typical) 300 2 VCC=300V I C=150A VG= ± 15V TC=25 ℃ toff ton tr TC=25 ℃ 250 TC=125 ℃ Switching Time t ( μ s) Forward Current I F ( A) 1 200 0.5 150 tf 0.2 100 0.1 50 0.05 1 10 100 0 0 1 2 3 4 Series Gate Impedance R G ( Ω) Forward Voltage V F ( V) Fig.9- Reverse Recovery Characteristics (Typical) 500 Fig.10- Reverse Bias Safe Operating Area (Typical) 1000 500 200 Peak Reverse Recovery Current I RrM ( A) Reverse Recovery Time trr ( ns) I F=150A TC=25 ℃ trr RG=5.1 Ω VGE = ± 15V TC≦ 125 ℃ 200 Collector Current I C ( A) 200 400 600 800 1000 1200 100 50 20 10 5 2 1 0.5 0.2 100 50 20 10 IRrM 5 0 0.1 0 200 400 600 800 -di/dt ( A/μ s) Collector to Emitter Voltage V CE ( V) Fig.11- Transient Thermal Impedance 5x10 -1 FRD ( ℃ /W) 2x10 -1 1x10 -1 5x10 -2 IGBT Transient Thermal Impedance Rth (J-C) 2x10 -2 1x10 -2 5x10 -3 TC=25 ℃ 2x10 -3 1x10 -3 -5 10 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 1 Shot Pulse 1 10 1 Time t ( s)
PRHMB150A6_1 价格&库存

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