PRHMB200A6

ＩＧＢＴ ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ−Ｃｈｏｐｐｅｒ □ ２００ Ａ，６００Ｖ ＰＲＨＭＢ２００Ａ６ ＰＲＨＭＢ２００Ａ６ Dimension:［mm］ ＣＩＲＣＵＩＴ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ □ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ □ ＭＡＸＩＭＵＭ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ Ｉｔｅｍ コレクタ・エミッタ間電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage コレクタ電流 Ｃollector Ｃurrent コレクタ損失 Ｃollector Ｐower Ｄissipation 接 合 温 度 Ｊunction Ｔemperature Ｒange 保 存 温 度 Ｓtorage Ｔemperature Ｒange ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＶＣＥＳ ＶＧＥＳ ＤＣ １ｍｓ ＩＣ ＩＣＰ ＰＣ Ｔｊ Ｔｓｔｇ ＡＣ,１ｍinute) ＶＩＳＯ Ｆｔｏｒ Ｒａｔｅｄ 重量：320ｇ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ Ｖ Ｖ Ａ Ｗ ℃ ℃ Ｖ（ＲＭＳ） Ｎ・ｍ (kgf･cm) ６００ ±２０ ２００ ４００ ７８０ −４０∼＋１５０ −４０∼＋１２５ ２,５００ ３（３０.６） ２（２０.４） 絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase Ｉsolation Ｖoltage 締め付けトルク Ｍounting Ｔorque Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal □ 電 気 的 特 性 ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ コレクタ遮断電流 Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent ゲート漏れ電流 Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage ゲ ー ト しきい値電圧 Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage 入 力 容 量 Ｉnput Ｃapacitance スイッチング時間 Ｓwitching Ｔime 上 昇 時 間 Ｒise Ｔime ターンオン時間 Ｔurn-on Ｔime 下 降 時 間 Ｆall Ｔime ターンオフ時間 Ｔurn-off Ｔime Ｓｙｍｂｏｌ ＩＣＥＳ ＩＧＥＳ ＶＣＥ（ｓａｔ） ＶＧＥ（ｔｈ） Ｃｉｅｓ ｔｒ ｔｏｎ ｔｆ ｔｏｆｆ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＶＣＥ= 600V,ＶＧＥ= 0V ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V ＩＣ=200A,ＶＧＥ= 15V ＶＣＥ= 5V,ＩＣ=200mA ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V, ｆ=1MHＺ ＶＣＣ= 300V ＲＬ= 3Ω ＲＧ= 3.6Ω ＶＧＥ= ±15V Ｍｉｎ. − − − ４.０ − − − − − Ｔｙｐ. − − ２.１ − 20,000 ０.１５ ０.２５ ０.２０ ０.４５ Ｍａｘ. ２.０ １.０ ２.６ ８.０ − ０.３０ ０.４０ ０.３５ ０.７０ Ｕｎｉｔ ｍＡ μＡ Ｖ Ｖ ｐＦ μｓ □フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ ＦＲＥＥ Ｉｔｅｍ 順 電 流 Ｆorward Ｃurrent Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 順 電 圧 Ｐeak Ｆorward Ｖoltage 逆回復時間 Ｒeverse Ｒecovery Ｔime □熱的特性 ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＩＦ ＩＦＭ Ｓｙｍｂｏｌ ＶＦ ｔｒｒ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ ２００ ４００ Ｍｉｎ. − − Ｔｙｐ. １.９ ０.１５ Ｍａｘ. ２.４ ０.２５ Ｕｎｉｔ Ａ ＤＣ １ｍｓ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＩＦ=200A,ＶＧＥ= 0V ＩＦ=200A,ＶＧＥ= -10V ｄi/ｄt=200A/μs Ｕｎｉｔ Ｖ μｓ ＴＨＥＲＭＡＬ ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｓｙｍｂｏｌ Ｒth(j-c) Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Junction to Case Ｍｉｎ. − − Ｔｙｐ. − − Ｍａｘ. ０.１６ ０.３８ Ｕｎｉｔ ℃／Ｗ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 熱 抵 抗 ＩＧＢＴ Ｔhermal Ｉmpedance Ｄiode ＰＲＨＭＢ２００Ａ６ ＰＲＨＭＢ２００Ａ６ Fig.2- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) TC=25 ℃ V GE =20V 12V 16 Fig.1- Output Characteristics (Typical) 400 TC=25 ℃ I C=80A 400A Collector to Emitter Voltage V CE ( V) 15V 10V 14 200A 12 10 8 6 4 2 0 Collector Current I C ( A) 300 200 9V 100 8V 7V 0 0 2 4 6 8 10 0 4 8 12 16 20 Collector to Emitter Voltage V CE ( V) Gate to Emitter Voltage V GE ( V) Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) 16 Fig.4- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 400 350 300 250 200 16 TC=125 ℃ I C=80A 400A Collector to Emitter Voltage V CE ( V) 200A 12 10 8 6 4 2 0 Collector to Emitter Voltage V CE ( V) 14 RL=1.5 Ω TC=25 ℃ 14 Gate to Emitter Voltage V GE (V) 12 10 8 VCE=300V 150 6 200V 100 50 0 0 150 300 450 600 750 900 100V 4 2 0 0 4 8 12 16 20 Gate to Emitter Voltage V GE ( V) Total Gate Charge Qg ( nC) Fig.5- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 100000 50000 20000 Fig.6- Collector Current vs. Switching Time (Typical) 1 0.9 0.8 Cies Coes Cres VGE =0V f=1MHZ TC=25 ℃ VCC=300V RG=3.6 Ω VGE = ± 15V TC=25 ℃ Switching Time t ( μ s) Capacitance C ( pF) 10000 5000 2000 1000 500 200 100 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0 0 50 100 150 toff ton tf tr 200 Collector to Emitter Voltage V CE ( V) Collector Current IC ( A) ＰＲＨＭＢ２００Ａ６ ＰＲＨＭＢ２００Ａ６ Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical) 5 Fig.8- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode (Typical) 400 2 V CC=300V I C=200A V G= ± 15V TC=25 ℃ TC=25 ℃ 350 TC=125 ℃ toff ton tr 300 1 Forward Current I F ( A) Switching Time t ( μ s) 250 200 150 100 50 0 0.5 tf 0.2 0.1 0.05 1 10 100 0 1 2 3 4 Series Gate Impedance R G ( Ω ) Forward Voltage V F ( V) Fig.9- Reverse Recovery Characteristics (Typical) 500 1000 Fig.10- Reverse Bias Safe Operating Area (Typical) 500 200 Peak Reverse Recovery Current I RrM ( A) Reverse Recovery Time trr ( ns) IF=200A TC=25 ℃ trr R G=3.6 Ω V GE = ± 15V TC≦ 125 ℃ 200 Collector Current I C ( A) 100 50 20 10 5 2 1 0.5 0.2 100 50 20 IRrM 10 5 0 200 400 600 800 1000 1200 0.1 0 200 400 600 800 -di/dt ( A/μ s) Collector to Emitter Voltage V CE ( V) Fig.11- Transient Thermal Impedance 5x10 -1 ( ℃ /W) FRD 2x10 -1 1x10 -1 5x10 -2 IGBT Transient Thermal Impedance Rth (J-C) 2x10 -2 1x10 -2 5x10 -3 TC=25 ℃ 2x10 -3 1x10 -3 -5 10 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 1 Shot Pulse 1 10 1 Time t ( s)