PRHMB200A6A_1

ＩＧＢＴ ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ−Ｃｈｏｐｐｅｒ □ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ ＣＩＲＣＵＩＴ ２００ Ａ， ６００Ｖ ＰＲＨＭＢ２００Ａ６Ａ ＰＲＨＭＢ２００Ａ６Ａ Dimension:［mm］ □ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ □ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＭＡＸＩＭＵＭ Ｉｔｅｍ コレクタ・エミッタ間電圧 Collector-Emitter Voltage ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＶCES ＶGES ＤＣ １ｍｓ 重量：320ｇ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ ６００ ±２０ ２００ ４００ ７８０ −４０∼＋１５０ −４０∼＋１２５ ２,５００ ３（３０.６） ２（２０.４） Ｍｉｎ. − − − ４.０ − − − − − Ｔｙｐ. − − ２.１ − 20,000 ０.１５ ０.２５ ０.２０ ０.４５ Ｕｎｉｔ Ｖ Ｖ Ａ Ｗ ℃ ℃ Ｖ(RMS) Ｎ・ｍ (kgf･cm) ゲート・エミッタ間電圧 Gate-Emitter Voltage コ コ 接 保 絶 レ レ ク ク 合 存 縁 タ タ 温 温 耐 電 損 流 失 度 度 Collector Current Collector Power Dissipation Junction Temperature Range Storage Temperature Range ＩC ＩCP ＰC Ｔj Ｔstg Ｖiso Ｆtor 圧(Terminal to Base AC,1minute) Module Base to Heatsink Busbar to Main Terminal Isolation Voltage 締め付けトルク Mounting Torque □ Collector-Emitter Cut-Off Current 電 気 的 特 性 ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ コレクタ遮断電流 ＩCES ＶCE = 600V, ＶGE = 0V ゲート漏れ電流 ＩGES ＶCE(sat) ＶGE(th) Ｃies 上 昇 時 間 Rise Time Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ２.０ １.０ ２.６ ８.０ − ０.３０ ０.４０ ０.３５ ０.７０ ｍＡ µＡ Ｖ Ｖ ｐＦ µｓ Gate-Emitter Leakage Current ＶGE = ±20V, ＶCE = 0V ＩC = 200A, ＶGE = 15V ＶCE = 5V, ＩC = 200mA ＶCES = 10V, ＶGE = 0V,ｆ= 1MHz ＶCC ＲL ＲG ＶGE = = = = 300V 3Ω 3.6Ω ±15V コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Collector-Emitter Saturation Voltage ゲートしきい値電圧 Gate-Emitter Threshold Voltage 入 力 容 量 Input Capacitance ス イ ッ チ ン グ 時 間 ターンオン時間 Turn-on Time Switching Time 下 降 時 間 Fall Time ターンオフ時間 Turn-off Time ｔr ｔon ｔf ｔoff □フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃） ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ Ｉｔｅｍ Ｓｙｍｂｏｌ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ ＤＣ ＩF ２００ 順 電 流 Ａ Forward Current １ｍｓ ＩFM ４００ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 電 圧 回 復 時 間 Ｓｙｍｂｏｌ ＶF ｔrr Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＩF = 200A, ＶGE = 0V ＩF = 200A, ＶGE = -10V ｄi/ｄt = 200A/µs Ｍｉｎ. − − Ｔｙｐ. １.９ Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ２.４ Ｖ µｓ 順 逆 □ 熱 熱 Peak Forward Voltage Reverse Recovery Time ０.１５ ０.２５ ＴＨＥＲＭＡＬ 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ 抵 抗 Ｒth(j-c) Junction to Case ＩＧＢＴ Ｍｉｎ. − Ｔｙｐ. − Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ０.１６ ℃／Ｗ Thermal Impedance Ｄｏｅ ｉｄ − − ０.３８ ＰＲＨＭＢ２００Ａ６Ａ ＰＲＨＭＢ２００Ａ６Ａ Fig.2- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) TC=25 ℃ V GE =20V 12V 16 Fig.1- Output Characteristics (Typical) 400 TC=25 ℃ I C=80A 400A Collector to Emitter Voltage V CE ( V) 15V 10V 14 200A 12 10 8 6 4 2 0 Collector Current I C ( A) 300 200 9V 100 8V 7V 0 0 2 4 6 8 10 0 4 8 12 16 20 Collector to Emitter Voltage V CE ( V) Gate to Emitter Voltage V GE ( V) Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) 16 Fig.4- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 400 350 300 250 200 16 TC=125 ℃ I C=80A 400A Collector to Emitter Voltage V CE ( V) 200A 12 10 8 6 4 2 0 Collector to Emitter Voltage V CE ( V) 14 RL=1.5 Ω TC=25 ℃ 14 Gate to Emitter Voltage V GE ( V) 12 10 8 VCE=300V 150 6 200V 100 50 0 0 150 300 450 600 750 900 100V 4 2 0 0 4 8 12 16 20 Gate to Emitter Voltage V GE ( V) Total Gate Charge Qg ( nC) Fig.5- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 100000 50000 20000 Fig.6- Collector Current vs. Switching Time (Typical) 1 0.9 0.8 Cies Coes Cres VGE =0V f=1MHZ TC=25 ℃ VCC=300V RG=3.6 Ω VGE = ± 15V TC=25 ℃ Switching Time t ( μ s) Capacitance C (pF) 10000 5000 2000 1000 500 200 100 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0 0 50 100 150 toff ton tf tr 200 Collector to Emitter Voltage V CE (V) Collector Current IC ( A) ＰＲＨＭＢ２００Ａ６Ａ ＰＲＨＭＢ２００Ａ６Ａ Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical) 5 Fig.8- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode (Typical) 400 2 V CC=300V I C=200A V G= ± 15V TC=25 ℃ TC=25 ℃ 350 TC=125 ℃ toff ton tr 300 1 Forward Current I F ( A) Switching Time t ( μ s) 250 200 150 100 50 0 0.5 tf 0.2 0.1 0.05 1 10 100 0 1 2 3 4 Series Gate Impedance R G ( Ω ) Forward Voltage V F ( V) Fig.9- Reverse Recovery Characteristics (Typical) 500 1000 Fig.10- Reverse Bias Safe Operating Area (Typical) 500 200 Peak Reverse Recovery Current I RrM ( A) Reverse Recovery Time trr ( ns) IF=200A TC=25 ℃ trr R G=3.6 Ω V GE = ± 15V TC≦ 125 ℃ 200 Collector Current I C ( A) 100 50 20 10 5 2 1 0.5 0.2 100 50 20 IRrM 10 5 0 200 400 600 800 1000 1200 0.1 0 200 400 600 800 -di/dt ( A/μ s) Collector to Emitter Voltage V CE ( V) Fig.11- Transient Thermal Impedance 5x10 -1 ( ℃ /W) FRD 2x10 -1 1x10 -1 5x10 -2 IGBT Transient Thermal Impedance Rth (J-C) 2x10 -2 1x10 -2 5x10 -3 TC=25 ℃ 2x10 -3 1x10 -3 -5 10 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 1 Shot Pulse 1 10 1 Time t ( s)