PRHMB300E6

ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｃｈｏｐｐｅｒ □ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ ＰＲＨＭＢ３００Ｅ６ ３００Ａ，６００Ｖ □ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ 3-M6 1 08 93 ± 0 .2 5 14 11 14 11 14 ＰＲＨＭＢ３００Ｅ６Ｃ 4-Ø 6.5 12.0 11.0 12.0 11.0 12.0 94.0 80 ±0.25 6 48 ± 0 .2 5 62 11 13 20 48.0 16.0 14.0 (C2E1) 1 (E2) 2 (C1) 3 7(G2) 6(E2) 1 2 3 7 6 2-Ø6.5 1 2 3 7 6 25 16 9 16 25 9 16 24 3-M5 23.0 23.0 17.0 4-fasten tab #110 t=0.5 21.2 7.5 14 9 14 9 14 30 +1.0 - 0.5 8 23 LABEL 7 30 +1.0 - 0 .5 LABEL PRHMB300E6 □ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ コレクタ・エミッタ間電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage コレクタ電流 Ｃollector Ｃurrent コレクタ損失 Ｃollector Ｐower Ｄissipation 接 合 温 度 Ｊunction Ｔemperature Ｒange 保 存 温 度 Ｓtorage Ｔemperature Ｒange 絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute) Ｉsolation Ｖoltage Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink 締め付けトルク Ｍounting Ｔorque Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal □ 電気的特性 ＤＣ １ｍｓ Ｓｙｍｂｏｌ ＶＣＥＳ ＶＧＥＳ ＩＣ ＩＣＰ ＰＣ Ｔｊ Ｔｓｔｇ ＶＩＳＯ Ｆｔｏｒ Ｒａｔｅｄ PRHMB300E6C Dimension:［mm］ Ｖａｌｕｅ 7 4 Ｕｎｉｔ Ｖ Ｖ Ａ Ｗ ℃ ℃ Ｖ（ＲＭＳ） ３ ３ .６ （０ ） （０ ） ２ ２ .４ Ｎ・ｍ (kgf･cm) ６００ ±２０ ３００ ６００ １,０４０ －４０～＋１５０ －４０～＋１２５ ２,５００ PDMB3006 ３ ３ .６ （０ ） （０ ） ３ ３ .６ PDMB300E6Ｃ ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＩＣＥＳ ＩＧＥＳ ＶＣＥ（ｓａｔ） ＶＧＥ（ｔｈ） Ｃｉｅｓ 上昇時間 ターンオン時間 下降時間 ターンオフ時間 Ｒise Ｔurn-on Ｆall Ｔurn-off Ｔime Ｔime Ｔime Ｔime ｔｒ ｔｏｎ ｔｆ ｔｏｆｆ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＶＣＥ= 600V, ＶＧＥ= 0V ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V ＩＣ= 300A,ＶＧＥ= 15V ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 300mA ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ ＶＣＣ= ＲＬ= ＲＧ= ＶＧＥ= 300V 1.0Ω 3.6Ω ±15V Ｍｉｎ. － － － ４.０ － － － － － Ｔｙｐ. － － ２.１ － 15,000 ０.１５ ０.３０ ０.１０ ０.４０ Ｍａｘ. １.０ １.０ ２.６ ８.０ － ０.４０ ０.７５ ０.３５ ０.８０ Ｕｎｉｔ ｍＡ μＡ Ｖ Ｖ ｐＦ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ コレクタ遮断電流 Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent ゲート漏れ電流 Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage ゲ ー ト しきい値電圧 Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage 入 力 容 量 Ｉnput Ｃapacitance スイッチング時間 Ｓwitching Ｔime μｓ □フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ Ｉｔｅｍ 順 電 流 Ｆorward Ｃurrent Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 順 電 圧 Ｐeak Ｆorward Ｖoltage 逆回復時間 Ｒeverse Ｒecovery Ｔime ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＩＦ ＩＦＭ Ｓｙｍｂｏｌ ＶＦ ｔｒｒ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ ３００ ６００ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＩＦ= 300A,ＶＧＥ= 0V ＩＦ= 300A,ＶＧＥ= -10V ｄi/ｄt= 600A/μs Ｍｉｎ. － － Ｔｙｐ. １.９ ０.１５ Ｍａｘ. ２.４ ０.２５ Ｕｎｉｔ Ａ ＤＣ １ｍｓ Ｕｎｉｔ Ｖ μｓ □ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 熱 抵 抗 ＩＧＢＴ Ｔhermal Ｉmpedance Ｄiode Ｓｙｍｂｏｌ Ｒth(j-c) Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Junction to Case （Tc測定点チップ直下） Ｍｉｎ. － － Ｔｙｐ. － － Ｍａｘ. ０.１２ ０.２４ Ｕｎｉｔ ℃／Ｗ 00 日本インター株式会社 ＰＲＨＭＢ３００Ｅ６ ＰＲＨＭＢ３００Ｅ６Ｃ Fig.1- Output Characteristics (Typical) 600 Fig.2- Output Characteristics (Typical) T C=25°C 600 T C=125°C VGE=20V 12V VGE=20V 500 12V 500 15V 11V 15V 11V Collector Current I C (A) Collector Current I C (A) 400 400 300 10V 300 10V 200 9V 200 9V 100 100 8V 8V 0 0 0 1 2 3 4 5 0 1 2 3 4 5 Collector to Emitter Voltage VCE (V) Collector to Emitter Voltage VCE (V) Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) 16 14 12 10 8 6 4 2 0 Fig.4- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) T C=25°C 16 14 12 10 8 6 4 2 0 T C=125°C IC=150A 300A 600A IC=150A 300A 600A Collector to Emitter Voltage V CE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) 0 4 8 12 16 20 0 4 8 12 16 20 Gate to Emitter Voltage VGE (V) Gate to Emitter Voltage VGE (V) Fig.5- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 400 350 Fig.6- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 16 14 30000 100000 RL =1.0 TC=25°C Collector to Emitter Voltage V CE (V) VGE=0V f=1MHZ T C=25°C Cies Gate to Emitter Voltage VGE (V) 300 250 200 150 100 50 0 12 10 Capacitance C (pF) 10000 Coes 3000 VCE =300V 200V 100V 8 6 4 2 0 1200 Cres 1000 300 0 200 400 600 800 1000 100 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 Total Gate Charge Qg (nC) Collector to Emitter Voltage VCE (V) 00 日本インター株式会社 ＰＲＨＭＢ３００Ｅ６ ＰＲＨＭＢ３００Ｅ６Ｃ Fig.7- Collector Current vs. Switching Time (Typical) 1 Fig.8- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical) 10 5 0.8 tOFF VCC=300V RG=4.7 VGE=±15V T C=25°C Resistive Load 2 VCC=300V IC=300A VGE=±15V T C=25°C Resistive Load Switching Time t (µs) Switching Time t (µs) 0.6 1 0.5 tf 0.4 toff ton tr(V CE) tf 0.2 0.1 0.05 0.2 tON tr(VCE) 0 0 100 200 300 400 500 0.02 1 3 10 30 100 Collector Current IC (A) Series Gate Impedance RG ( ) Fig.9- Collector Current vs. Switching Time 10 Fig.10- Series Gate Impedance vs. Switching Time 10 5 1 Switching Time t (µs) Switching Time t (µs) tOFF tON VCC=300V RG=4.7 VGE=±15V T C=125°C Inductive Load 2 1 0.5 VCC=300V IC=300A VGE=±15V T C=125°C Inductive Load 0.1 tf tr(Ic) toff ton tf 0.2 0.1 0.05 0.01 tr(IC ) 0.001 0 100 200 300 400 500 0.02 1 3 10 30 100 Collector Current IC (A) Series Gate Impedance RG ( ) Fig.11- Collector Current vs. Switching Loss 40 1000 Fig.12- Series Gate Impedance vs. Switching Loss VCC=300V IC=300A VGE=±15V T C=125°C Inductive Load Switching Loss ESW (mJ/Pulse) 30 EOFF EON Switching Loss ESW (mJ/Pulse) VCC=300V RG=4.7 VGE=±15V T C=125°C Inductive Load 300 EON EOFF 100 20 30 ERR 10 10 ERR 3 0 0 100 200 300 400 500 1 1 3 10 30 100 Collector Current IC (A) Series Gate Impedance RG ( ) 00 日本インター株式会社 ＰＲＨＭＢ３００Ｅ６ ＰＲＨＭＢ３００Ｅ６Ｃ 600 Fig.13- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode (Typical) T C=25°C T C=125°C Fig.14- Reverse Recovery Characteristics (Typical) 1000 Peak Reverse Recovery Current I RrM (A) Reverse Recovery Time trr (ns) 500 500 IF=300A T C=25°C T C=125°C trr Forward Current I F (A) 400 200 300 100 200 50 IRrM 20 100 0 0 1 2 3 4 10 0 300 600 900 1200 1500 1800 Forward Voltage VF (V) -di/dt (A/µs) Fig.15- Reverse Bias Safe Operating Area 2000 1000 500 200 RG=4.7 , VGE=±15V, T C