PRHMB400A6

ＩＧＢＴ ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ−Ｃｈｏｐｐｅｒ □ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ ＣＩＲＣＵＩＴ ４００ Ａ，６００Ｖ ＰＲＨＭＢ４００Ａ６ ＰＲＨＭＢ４００Ａ６ □ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ Dimension:［mm］ □ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＭＡＸＩＭＵＭ Ｉｔｅｍ コレクタ・エミッタ間電圧 Collector-Emitter Voltage ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＶCES ＶGES ＤＣ １ｍｓ 重量：500ｇ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ ６００ ±２０ ４００ ８００ １，４７０ −４０∼＋１５０ −４０∼＋１２５ ２,５００ ３（３０.６） Ｕｎｉｔ Ｖ Ｖ Ａ Ｗ ℃ ℃ Ｖ(RMS) Ｎ・ｍ (kgf･cm) ゲート・エミッタ間電圧 Gate-Emitter Voltage コ コ 接 保 絶 レ レ ク ク 合 存 縁 タ タ 温 温 耐 電 損 流 失 度 度 Collector Current Collector Power Dissipation Junction Temperature Range Storage Temperature Range ＩC ＩCP ＰC Ｔj Ｔstg Ｖiso Ｆtor 圧(Terminal to Base AC,1minute) Module Base to Heatsink Busbar to Main Terminal Isolation Voltage 締め付けトルク Mounting Torque □ Collector-Emitter Cut-Off Current 電 気 的 特 性 ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ コレクタ遮断電流 ＩCES ＶCE = 600V, ＶGE = 0V ゲート漏れ電流 ＩGES ＶCE(sat) ＶGE(th) Ｃies 上 昇 時 間 Rise Time Ｍｉｎ. − − − ４.０ − − − − − Ｔｙｐ. − − ２.１ − 40,000 ０.２５ ０.４５ ０.２０ ０.６０ Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ４.０ １.０ ２.６ ８.０ − ０.４５ ０.８５ ０.３５ ０.８０ ｍＡ µＡ Ｖ Ｖ ｐＦ µｓ Gate-Emitter Leakage Current ＶGE = ±20V, ＶCE = 0V ＩC = 400A, ＶGE = 15V ＶCE = 5V, ＩC = 400mA ＶCES = 10V, ＶGE = 0V,ｆ= 1MHz ＶCC ＲL ＲG ＶGE = = = = 300V 0.75Ω 1.6Ω ±15V コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Collector-Emitter Saturation Voltage ゲートしきい値電圧 Gate-Emitter Threshold Voltage 入 力 容 量 Input Capacitance ス イ ッ チ ン グ 時 間 ターンオン時間 Turn-on Time Switching Time 下 降 時 間 Fall Time ターンオフ時間 Turn-off Time ｔr ｔon ｔf ｔoff □フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃） ＦＲＥＥ Ｉｔｅｍ Ｓｙｍｂｏｌ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ ＤＣ ＩF ４００ 順 電 流 Ａ Forward Current １ｍｓ ＩFM ８００ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 電 圧 回 復 時 間 Ｓｙｍｂｏｌ ＶF ｔrr Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＩF = 400A, ＶGE = 0V ＩF = 400A, ＶGE = -10V ｄi/ｄt = 400A/µs Ｍｉｎ. − − Ｔｙｐ. １.９ Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ２.４ Ｖ µｓ 順 逆 □ 熱 熱 Peak Forward Voltage Reverse Recovery Time ０.１５ ０.２５ Thermal Impedance ＴＨＥＲＭＡＬ 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＩＧＢＴ 抵 抗 Ｒth(j-c) Junction to Case Ｄｏｅ ｉｄ Ｍｉｎ. − − Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ − ０.０８５ ℃／Ｗ − ０.２０ ００ ＰＲＨＭＢ４００Ａ６ ＰＲＨＭＢ４００Ａ６ Fig.1- Output Characteristics (Typical) 800 Fig.2- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) TC=25 ℃ 16 TC=25 ℃ I C=160A 800A VGE =20V 12V Collector to Emitter Voltage V CE ( V) 15V 10V 14 400A 12 10 8 6 4 2 0 Collector Current I C ( A) 600 400 9V 200 8V 7V 0 0 2 4 6 8 10 0 4 8 12 16 20 Collector to Emitter Voltage V CE ( V) Gate to Emitter Voltage V GE ( V) Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) 16 Fig.4- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 400 350 300 250 200 16 TC=125 ℃ IC=160A 800A Collector to Emitter Voltage V CE ( V) 400A 12 10 8 6 4 2 0 Collector to Emitter Voltage V CE ( V) 14 RL=0.75 Ω TC=25 ℃ 14 Gate to Emitter Voltage V GE (V) 12 10 8 VCE =300V 150 6 200V 100 50 0 0 300 600 900 1200 1500 100V 4 2 0 1800 0 4 8 12 16 20 Gate to Emitter Voltage V GE ( V) Total Gate Charge Qg ( nC) Fig.5- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 200000 100000 50000 Fig.6- Collector Current vs. Switching Time (Typical) 1 0.9 0.8 Cies Coes Cres VGE =0V f=1MHZ TC=25 ℃ VCC=300V R G=1.6 Ω VGE = ± 15V TC=25 ℃ Switching Time t ( μ s) Capacitance C ( pF) 20000 10000 5000 2000 1000 500 200 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 toff ton tr tf 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 0 0 100 200 300 400 Collector to Emitter Voltage V CE (V) Collector Current IC ( A) ＰＲＨＭＢ４００Ａ６ ＰＲＨＭＢ４００Ａ６ Fig.8- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical) 5 800 (Typical) TC=25 ℃ 700 600 2 V CC=300V I C=400A V G= ± 15V TC=25 ℃ TC=125 ℃ Switching Time t ( μ s) 1 Forward Current I F ( A) 500 400 300 200 100 0 toff 0.5 ton tr 0.2 tf 0.1 0.05 1 2 5 10 20 50 0 1 2 3 4 Series Gate Impedance R G ( Ω ) Forward Voltage V F ( V) Fig.9- Reverse Recovery Characteristics (Typical) 500 Fig.10- Reverse Bias Safe Operating Area (Typical) 2000 1000 500 Peak Reverse Recovery Current I RrM ( A) Reverse Recovery Time trr ( ns) IF=400A TC=25 ℃ trr R G=1.6 Ω VGE = ± 15V TC≦ 125 ℃ 200 200 Collector Current I C ( A) 800 1200 1600 2000 2400 100 50 20 10 5 2 1 0.5 0.2 100 50 I RrM 20 10 5 0 400 0.1 0 200 400 600 800 -di/dt ( A/μ s) Collector to Emitter Voltage V CE ( V) Fig.11- Transient Thermal Impedance 5x10 -1 FRD ( ℃ /W) 2x10 -1 1x10 -1 5x10 -2 2x10 -2 1x10 -2 5x10 -3 2x10 -3 1x10 -3 5x10 -4 2x10 -4 1x10 -4 -5 10 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 IGBT Transient Thermal Impedance Rth (J-C) TC=25 ℃ 1 Shot Pulse 1 10 1 Time t ( s)