PRHMB400B12_1

ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｃｈｏｐｐｅｒ □ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ ４００ Ａ， １２００Ｖ ＰＲＨＭＢ４００Ｂ１２ □ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ 1 08 93 ± 0 .2 5 14 11 14 11 14 3-M6 4-Ø 6.5 62 11 13 20 6 25 16 9 16 25 9 16 24 30 +1.0 - 0.5 7 23 LABEL 8 6 48 ± 0 .2 5 (C2E1) 1 (E2) 2 (C1) 3 7(G2) 6(E2) 1 2 3 7 Dimension:［mm］ □ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ コレクタ・エミッタ間電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage コレクタ電流 Ｃollector Ｃurrent コレクタ損失 Ｃollector Ｐower Ｄissipation 接 合 温 度 Ｊunction Ｔemperature Ｒange 保 存 温 度 Ｓtorage Ｔemperature Ｒange 絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute) Ｉsolation Ｖoltage Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink 締め付けトルク Ｍounting Ｔorque Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal □ 電気的特性 ＤＣ １ｍｓ Ｓｙｍｂｏｌ ＶＣＥＳ ＶＧＥＳ ＩＣ ＩＣＰ ＰＣ Ｔｊ Ｔｓｔｇ ＶＩＳＯ Ｆｔｏｒ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ Ｖ Ｖ Ａ Ｗ ℃ ℃ Ｖ（ＲＭＳ） Ｎ・ｍ (kgf･cm) １，２００ ±２０ ４００ ８００ １，９００ －４０～＋１５０ －４０～＋１２５ ２,５００ ３（３０.６） ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＩＣＥＳ ＩＧＥＳ ＶＣＥ（ｓａｔ） ＶＧＥ（ｔｈ） Ｃｉｅｓ 上昇時間 ターンオン時間 下降時間 ターンオフ時間 Ｒise Ｔurn-on Ｆall Ｔurn-off Ｔime Ｔime Ｔime Ｔime ｔｒ ｔｏｎ ｔｆ ｔｏｆｆ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＶＣＥ= 1200V,ＶＧＥ= 0V ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V ＩＣ= 400A,ＶＧＥ= 15V ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 400mA ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ ＶＣＣ= 600V ＲL= 1.5Ω ＲG= 1Ω ＶＧＥ= ±15V Ｍｉｎ. － － － ４ － － － － － Ｔｙｐ. － － １.９ － 25,000 ０.２５ ０.４０ ０.２５ ０.８０ Ｍａｘ. ８.０ １.０ ２.４ ８ － ０.４５ ０.７０ ０.３５ １.１０ Ｕｎｉｔ ｍＡ μＡ Ｖ Ｖ ｐＦ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ コレクタ遮断電流 Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent ゲート漏れ電流 Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage ゲ ー ト しきい値電圧 Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage 入 力 容 量 Ｉnput Ｃapacitance スイッチング時間 Ｓwitching Ｔime μｓ □フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ Ｉｔｅｍ 順 電 流 Ｆorward Ｃurrent Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 順 電 圧 Ｐeak Ｆorward Ｖoltage 逆回復時間 Ｒeverse Ｒecovery Ｔime □熱 的 特性 ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＩＦ ＩＦＭ Ｓｙｍｂｏｌ ＶＦ ｔｒｒ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ ４００ ８００ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＩＦ= 400A,ＶＧＥ= 0V ＩＦ= 400A,ＶＧＥ= -10V ｄi/ｄt= 800A/μs Ｍｉｎ. － － Ｔｙｐ. １.９ ０.２ Ｍａｘ. ２.４ ０.３ Ｕｎｉｔ Ａ ＤＣ １ｍｓ Ｕｎｉｔ Ｖ μｓ ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｓｙｍｂｏｌ Ｒth(j-c) Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Junction to Case Ｍｉｎ. － － Ｔｙｐ. － － Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ０.０６５ ℃／Ｗ ０.１２ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 熱 抵 抗 ＩＧＢＴ Ｔhermal Ｉmpedance Ｄiode 日本インター株式会社 ＰＲＨＭＢ４００Ｂ１２ Fig.1- Output Characteristics (Typical) 800 Fig.2- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) TC=25℃ 16 TC=25℃ I C=200A 800A VGE =20V 15V 12V 10V Collector to Emitter Voltage V CE ( V) 14 12 10 8 6 4 2 0 400A Collector Current I C ( A) 600 9V 400 8V 200 7V 0 0 2 4 6 8 10 0 4 8 12 16 20 Collector to Emitter Voltage V CE ( V) Gate to Emitter Voltage V GE ( V) Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) 16 Fig.4- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 800 700 600 500 400 16 TC=125℃ I C=200A 800A Collector to Emitter Voltage V CE ( V) 400A 12 10 8 6 4 2 0 Collector to Emitter Voltage V CE (V) 14 RL=1.5Ω TC=25℃ 14 Gate to Emitter Voltage V GE (V) 12 10 8 VCE =600V 300 6 400V 200 100 0 0 500 1000 1500 2000 2500 200V 4 2 0 3000 0 4 8 12 16 20 Gate to Emitter Voltage V GE ( V) Total Gate Charge Qg ( nC) Fig.5- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 100000 50000 Fig.6- Collector Current vs. Switching Time (Typical) 1.4 1.2 Cies VGE=0V f=1MHZ TC=25℃ V CC=600V R G= 1.0 Ω V GE =±15V TC=25℃ Switching Time t ( μs) 20000 Capacitance C ( pF) 1 0.8 0.6 0.4 0.2 0 tOFF 10000 Coes 5000 tf 2000 1000 500 Cres 200 tON tr 0 100 200 300 400 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 Collector to Emitter Voltage V CE ( V) Collector Current IC ( A) 日本インター株式会社 ＰＲＨＭＢ４００Ｂ１２ Fig.8- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical) 10 5 800 (Typical) TC=25℃ 700 VCC=600V I C=400A VGE =±15V TC=25℃ TC=125℃ toff ton tr Switching Time t ( μs) 2 1 Forward Current I F ( A) 600 500 400 300 200 100 0 tf 0.5 0.2 0.1 0.05 0.5 1 2 5 10 20 50 0 1 2 3 4 Series Gate Impedance R G ( Ω) Forward Voltage V F ( V) Fig.9- Reverse Recovery Characteristics (Typical) 1000 Fig.10- Reverse Bias Safe Operating Area 5000 2000 1000 500 Peak Reverse Recovery Current I RrM ( A) Reverse Recovery Time trr ( ns) IF=400A TC=25℃ 500 R G=1Ω V GE=±15V TC≦125℃ Collector Current I C ( A) 800 1200 1600 2000 2400 300 200 trr 200 100 50 20 10 100 50 I RrM 2 1 0.5 0.2 20 10 0 400 0.1 0 400 800 1200 1600 -di/dt ( A/μs) Collector to Emitter Voltage V CE ( V) Fig.11- Transient Thermal Impedance 1 (℃/W) 5x10 -1 2x10 -1 1x10 -1 5x10 -2 2x10 -2 1x10 -2 5x10 -3 2x10 -3 1x10 -3 5x10 -4 2x10 -4 FRD IGBT Transient Thermal Impedance Rth (J-C) TC=25℃ 1 Shot Pulse 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 1 10 1 10 -5 Time t (s) 日本インター株式会社