PRHMB50A6_1

ＩＧＢＴ ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ−Ｃｈｏｐｐｅｒ □ 回路図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ ＣＩＲＣＵＩＴ ５０ Ａ， ６００Ｖ ＰＲＨＭＢ５０Ａ６ ＰＲＨＭＢ５０Ａ６ □ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ Dimension:［mm］ □ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＭＡＸＩＭＵＭ Ｉｔｅｍ コレクタ・エミッタ間電圧 Collector-Emitter Voltage ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＶCES ＶGES ＤＣ １ｍｓ 重量：220ｇ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ ６００ ±２０ ５０ １００ ２５０ −４０∼＋１５０ −４０∼＋１２５ ２,５００ ２（２０.４） Ｕｎｉｔ Ｖ Ｖ Ａ Ｗ ℃ ℃ Ｖ(RMS) Ｎ・ｍ (kgf･cm) ゲート・エミッタ間電圧 Gate-Emitter Voltage コ コ 接 保 絶 レ レ ク ク 合 存 縁 タ タ 温 温 耐 電 損 流 失 度 度 Collector Current Collector Power Dissipation Junction Temperature Range Storage Temperature Range ＩC ＩCP ＰC Ｔj Ｔstg Ｖiso Ｆtor 圧(Terminal to Base AC,1minute) Module Base to Heatsink Busbar to Main Terminal Isolation Voltage 締め付けトルク Mounting Torque □ Collector-Emitter Cut-Off Current 電 気 的 特 性 ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ コレクタ遮断電流 ＩCES ＶCE = 600V, ＶGE = 0V ゲート漏れ電流 ＩGES ＶCE(sat) ＶGE(th) Ｃies ｔr ｔon ｔf ｔoff ＶGE = ±20V, ＶCE = 0V ＩC = 50A, ＶGE = 15V ＶCE = 5V, ＩC = 50mA ＶCES = 10V, ＶGE = 0V,ｆ= 1MHz ＶCC ＲL ＲG ＶGE = = = = 300V 6Ω 15Ω ±15V Ｍｉｎ. − − − ４.０ − − − − − Ｔｙｐ. − − ２.０ − 5,000 ０.１５ ０.２５ ０.２０ ０.４５ Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ １.０ １.０ ２.５ ８.０ − ０.３０ ０.４０ ０.３５ ０.７０ ｍＡ μＡ Ｖ Ｖ ｐＦ Gate-Emitter Leakage Current コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Collector-Emitter Saturation Voltage ゲートしきい値電圧 Gate-Emitter Threshold Voltage 入 力 容 量 Input Capacitance 上 昇 時 間 Rise Time ス イ ッ チ ン グ 時 間 ターンオン時間 Turn-on Time Switching Time 下 降 時 間 Fall Time ターンオフ時間 Turn-off Time μｓ □フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃） ＦＲＥＥ Ｉｔｅｍ Ｓｙｍｂｏｌ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ ＤＣ ＩF ５０ 順 電 流 Ａ Forward Current ＩFM １００ １ｍｓ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 電 圧 回 復 時 間 Ｓｙｍｂｏｌ ＶF ｔrr Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＩF = 50A, ＶGE = 0V ＩF = 50A, ＶGE = -10V ｄi/ｄt = 50A/μs Ｍｉｎ. − − Ｔｙｐ. １.９ Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ２.４ Ｖ μｓ 順 逆 □ 熱 熱 Peak Forward Voltage Reverse Recovery Time ０.１５ ０.２５ Thermal Impedance ＴＨＥＲＭＡＬ 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＩＧＢＴ 抵 抗 Ｒth(j-c) Junction to Case Ｄｏｅ ｉｄ Ｍｉｎ. − − Ｔｙｐ. − − Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ０.５０ ℃／Ｗ １.００ ＰＲＨＭＢ５０Ａ６ ＰＲＨＭＢ５０Ａ６ Fig.2- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) 16 Fig.1- Output Characteristics (Typical) 100 TC=25 ℃ VGE =20V 12V 15V TC=25 ℃ IC=20A 100A Collector to Emitter Voltage V CE ( V) 14 80 10V 50A 12 10 8 6 4 2 0 Collector Current I C ( A) 60 9V 40 20 8V 7V 0 0 2 4 6 8 10 0 4 8 12 16 20 Collector to Emitter Voltage V CE ( V) Gate to Emitter Voltage V GE ( V) Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) 16 Fig.4- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 400 350 16 TC=125 ℃ I C=20A 100A Collector to Emitter Voltage V CE ( V) 14 RL=5 Ω TC=25 ℃ 14 Collector to Emitter Voltage V CE ( V) 50A 12 10 8 6 4 2 0 Gate to Emitter Voltage V GE (V) 300 250 200 12 10 8 VCE =300V 150 6 200V 100 50 0 100V 4 2 0 0 4 8 12 16 20 0 50 100 150 200 Gate to Emitter Voltage V GE ( V) Total Gate Charge Qg (nC) Fig.5- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 20000 10000 5000 1 Fig.6- Collector Current vs. Switching Time (Typical) 0.9 0.8 Cies Coes Cres VGE =0V f=1MH Z TC=25 ℃ VCC=300V R G=15 Ω VGE = ± 15V TC=25 ℃ Switching Time t ( μ s) Capacitance C ( pF) 2000 1000 500 200 100 50 20 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 toff ton tf tr 0 20 40 60 80 100 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 0 Collector to Emitter Voltage V CE ( V) Collector Current IC ( A) ＰＲＨＭＢ５０Ａ６ ＰＲＨＭＢ５０Ａ６ Fig.8- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode (Typical) 100 Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical) 5 2 VCC=300V IC=50A VG= ± 15V TC=25 ℃ TC=25 ℃ 90 80 TC=125 ℃ Switching Time t ( μ s) Forward Current I F ( A) toff ton tr 70 60 50 40 30 20 1 0.5 tf 0.2 0.1 10 0.05 2 5 10 20 50 100 200 500 0 0 1 2 3 4 Series Gate Impedance R G ( Ω ) Forward Voltage V F ( V) Fig.9- Reverse Recovery Characteristics (Typical) 500 Fig.10- Reverse Bias Safe Operating Area (Typical) 500 200 100 Peak Reverse Recovery Current I RrM ( A) Reverse Recovery Time trr ( ns) IF=50A TC=25 ℃ trr 200 100 50 R G=15 Ω V GE = ± 15V TC≦ 125 ℃ Collector Current I C ( A) I RrM 0 100 200 300 400 50 20 10 5 2 1 0.5 0.2 0.1 20 10 5 2 0.05 0 200 400 600 800 -di/dt ( A/μ s) Collector to Emitter Voltage V CE ( V) Fig.11- Transient Thermal Impedance 2 ( ℃ /W) 1 5x10 -1 FRD IGBT (J-C) 2x10 -1 1x10 -1 5x10 -2 2x10 -2 1x10 -2 5x10 -3 Transient Thermal Impedance Rth TC=25 ℃ 2x10 -3 1x10 -3 -5 10 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 1 Shot Pulse 1 10 1 Time t ( s)