PRHMB75A6

ＩＧＢＴ ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ−Ｃｈｏｐｐｅｒ □ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ ＣＩＲＣＵＩＴ ７５Ａ，６００Ｖ ＰＲＨＭＢ７５Ａ６ ＰＲＨＭＢ７５Ａ６ Dimension:［mm］ □ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ □ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＭＡＸＩＭＵＭ Ｉｔｅｍ コレクタ・エミッタ間電圧 Collector-Emitter Voltage ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＶCES ＶGES ＤＣ １ｍｓ 重量：220ｇ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ ６００ ±２０ ７５ １５０ ３２０ −４０∼＋１５０ −４０∼＋１２５ ２,５００ ２（２０.４） Ｕｎｉｔ Ｖ Ｖ Ａ Ｗ ℃ ℃ Ｖ(RMS) Ｎ・ｍ (kgf･cm) ゲート・エミッタ間電圧 Gate-Emitter Voltage コ コ 接 保 絶 レ レ ク ク 合 存 縁 タ タ 温 温 耐 電 損 流 失 度 度 Collector Current Collector Power Dissipation Junction Temperature Range Storage Temperature Range ＩC ＩCP ＰC Ｔj Ｔstg Ｖiso Ｆtor 圧(Terminal to Base AC,1minute) Module Base to Heatsink Busbar to Main Terminal Isolation Voltage 締め付けトルク Mounting Torque □ Collector-Emitter Cut-Off Current 電 気 的 特 性 ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ コレクタ遮断電流 ＩCES ＶCE = 600V, ＶGE = 0V ゲート漏れ電流 ＩGES ＶCE(sat) ＶGE(th) Ｃies ｔr ｔon ｔf ｔoff ＶGE = ±20V, ＶCE = 0V ＩC = 75A, ＶGE = 15V ＶCE = 5V, ＩC = 75mA ＶCES = 10V, ＶGE = 0V,ｆ= 1MHz ＶCC ＲL ＲG ＶGE = = = = 300V 4Ω 10Ω ±15V Ｍｉｎ. − − − ４.０ − − − − − Ｔｙｐ. − − ２.１ − 7,500 ０.１５ ０.２５ ０.２０ ０.４５ Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ １.０ １.０ ２.６ ８.０ − ０.３０ ０.４０ ０.３５ ０.７０ ｍＡ μＡ Ｖ Ｖ ｐＦ Gate-Emitter Leakage Current コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Collector-Emitter Saturation Voltage ゲートしきい値電圧 Gate-Emitter Threshold Voltage 入 力 容 量 Input Capacitance 上 昇 時 間 Rise Time ス イ ッ チ ン グ 時 間 ターンオン時間 Turn-on Time Switching Time 下 降 時 間 Fall Time ターンオフ時間 Turn-off Time μｓ □フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃） ＦＲＥＥ Ｉｔｅｍ Ｓｙｍｂｏｌ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ ＤＣ ＩF ７５ 順 電 流 Ａ Forward Current １ｍｓ ＩFM １５０ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 電 圧 回 復 時 間 Ｓｙｍｂｏｌ ＶF ｔrr Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＩF = 75A, ＶGE = 0V ＩF = 75A, ＶGE = -10V ｄi/ｄt = 75A/μs Ｍｉｎ. − − Ｔｙｐ. １.９ Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ２.４ Ｖ μｓ 順 逆 □ 熱 Peak Forward Voltage Reverse Recovery Time ０.１５ ０.２５ ＴＨＥＲＭＡＬ 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＩＧＢＴ 熱 抵 抗 Ｒth(j-c) Junction to Case Thermal Impedance Ｄｏｅ ｉｄ Ｍｉｎ. − − Ｔｙｐ. − − Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ０.３８ ℃／Ｗ ０.８０ ＰＲＨＭＢ７５Ａ６ ＰＲＨＭＢ７５Ａ６ Fig.2- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) TC=25 ℃ 150 Fig.1- Output Characteristics (Typical) VGE =20V 12V 15V 125 16 TC=25 ℃ IC=30A 150A Collector to Emitter Voltage V CE ( V) 14 10V 75A 12 10 8 6 4 2 0 Collector Current I C ( A) 100 75 9V 50 25 8V 7V 0 0 2 4 6 8 10 0 4 8 12 16 20 Collector to Emitter Voltage V CE ( V) Gate to Emitter Voltage V GE ( V) Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) 16 Fig.4- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 400 350 300 250 200 16 TC=125 ℃ IC=30A 150A Collector to Emitter Voltage V CE ( V) 75A 12 10 8 6 4 2 0 Collector to Emitter Voltage V CE ( V) 14 RL=4 Ω TC=25 ℃ 14 Gate to Emitter Voltage V GE (V) 12 10 8 VCE =300V 150 6 200V 100 50 0 0 75 150 225 300 100V 4 2 0 0 4 8 12 16 20 Gate to Emitter Voltage V GE ( V) Total Gate Charge Qg ( nC) Fig.5- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 50000 20000 10000 Fig.6- Collector Current vs. Switching Time (Typical) 1 0.9 0.8 Switching Time t ( μ s) Cies Coes Cres VGE =0V f=1MHZ TC=25 ℃ V CC=300V R G=10 Ω V GE = ± 15V TC=25 ℃ Capacitance C ( pF) 5000 2000 1000 500 200 100 50 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0 0 20 40 60 toff ton tf tr 80 Collector to Emitter Voltage V CE ( V) Collector Current IC ( A) ＰＲＨＭＢ７５Ａ６ ＰＲＨＭＢ７５Ａ６ Fig.8- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode (Typical) 150 Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical) 5 2 VCC=300V IC=75A VG= ± 15V TC=25 ℃ TC=25 ℃ TC=125 ℃ toff ton 125 Switching Time t ( μ s) Forward Current I F ( A) 1 tr 100 0.5 75 tf 0.2 50 0.1 25 0.05 1 10 100 0 0 1 2 3 4 Series Gate Impedance R G ( Ω) Forward Voltage V F ( V) Fig.9- Reverse Recovery Characteristics (Typical) 500 500 Fig.10- Reverse Bias Safe Operating Area (Typical) R G=10 Ω V GE = ± 15V TC≦ 125 ℃ Peak Reverse Recovery Current I RrM ( A) Reverse Recovery Time trr ( ns) IF=75A TC=25 ℃ 200 200 100 100 Collector Current I C ( A) 100 200 300 400 500 600 trr 50 20 10 5 2 1 0.5 0.2 50 20 10 I RrM 5 0 0.1 0 200 400 600 800 -di/dt ( A/μ s) Collector to Emitter Voltage V CE ( V) Fig.11- Transient Thermal Impedance 1 ( ℃ /W) 5x10 -1 2x10 -1 1x10 -1 5x10 -2 2x10 -2 1x10 -2 5x10 -3 FRD IGBT Transient Thermal Impedance Rth (J-C) TC=25 ℃ 2x10 -3 1x10 -3 -5 10 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 1 Shot Pulse 1 10 1 Time t ( s)