1N2829B

1N2829B

  • 厂商:

    NJSEMI

  • 封装:

  • 描述:

    1N2829B - SILICON 50 WATT ZENER DIODE - New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

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1N2829B 数据手册
1N2829B
1. 物料型号: - 型号范围:1N2804至1N2846B和1N4557B至1N4564B。

2. 器件简介: - 这些是硅齐纳二极管,设计用于军事环境,具有不同的齐纳电压等级,从3.9V到200V,并且有多种公差规格可选(±5%,±10%和±20%)。

3. 引脚分配: - 封装类型为工业标准的TO-3(改良型),齐纳二极管的阳极通过引脚连接到外壳,阴极连接到基座。

4. 参数特性: - 工作结温和存储温度范围为-66°C至+175°C。 - DC功率耗散为50瓦。 - 功率降额:超过75°C时每摄氏度降额0.5瓦。 - 10mA时的正向电压为1.5伏特。 - 电气特性表详细列出了不同型号的齐纳电压、测试电流、最大功耗、最大结温、典型反向电压温度系数和最大漏电流等参数。

5. 功能详解: - 这些齐纳二极管主要用于稳定电压,保护电路免受过电压损害。它们在电路中作为电压参考,吸收过多的电压,防止其他元件受损。

6. 应用信息: - 适用于需要电压稳定和过电压保护的军事和工业环境。

7. 封装信息: - 封装类型:TO-3,改良型,密封封装,引脚直径为0.052英寸。 - 表面处理:所有外部表面均具有防腐性能,可焊性良好。 - 热阻:结到基座的典型热阻为1.5°C/W。 - 极性:标准极性为阳极连接到外壳,阴极连接到基座。反向极性(阴极到外壳)在基座上用红点表示(后缀R)。
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