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创作活动
1N2836B

1N2836B

  • 厂商:

    NJSEMI

  • 封装:

  • 描述:

    1N2836B - SILICON 50 WATT ZENER DIODE - New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
1N2836B 数据手册
1N2836B
1. 物料型号: - 1N2804至1N2846B - 1N4557B至1N4564B

2. 器件简介: - 这些器件是硅整流二极管,具有3.9V至200V的齐纳电压,并且有±5%、±10%和±20%的容差版本。它们被设计用于军事环境。

3. 引脚分配: - 标准极性下,阳极连接到外壳,阴极指向内部。反向极性(阴极到外壳)会在基板上用红点表示(后缀R)。

4. 参数特性: - 工作结温和存储温度范围:-66°C至+175°C。 - DC功率耗散:50瓦。 - 功率降额:在75°C以上,每升高1°C,功率降低0.5W。 - 10A时的正向电压:1.5伏特。 - 在25°C下,提供了不同型号的电气特性,包括齐纳电压、测试电流、最大功耗、最大结温、典型反向电压温度系数、最大漏电流等。

5. 功能详解: - 这些二极管主要用于电压稳定和保护电路,防止电压超过特定水平。

6. 应用信息: - 适用于军事环境,具体应用包括电源、电压调节和过压保护。

7. 封装信息: - 封装类型:工业标准TO-3(修改版),真空密封,0.052英寸直径引脚。 - 表面处理:所有外部表面耐腐蚀且可焊。 - 热阻:典型值为1.5°C/W(结到基板)。 - 重量:15克。 - 安装硬件:详见第2-9页。
1N2836B 价格&库存

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