1N5530

厂商：
NJSEMI
封装：
描述：
1N5530 - 0.4W LOW VOLTAGE AVALANCHE DIODES - New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

数据手册：

1N5530 数据手册

1N5530

1. 物料型号： - 1N5518至1N5546，这些是0.4W低压雪崩二极管的型号，电压范围从3.3到33伏特。

2. 器件简介： - 这些器件是低压雪崩二极管，具有低齐纳噪声、低齐纳阻抗、低漏电流，并且采用密封玻璃封装。

3. 引脚分配： - 引脚材料为镀锡铜包钢，极性标识为带色环的一端为阴极。

4. 参数特性： - 包括工作温度范围（-65℃至+200℃）、存储温度范围（-65℃至+200℃）和热阻（200℃C/W，从结到引脚在0.375英寸处）。

5. 功能详解： - 这些二极管具有低齐纳噪声、低齐纳阻抗和低漏电流的特点，适用于需要这些特性的电路中。

6. 应用信息： - 虽然文档中没有直接提到具体的应用场景，但低压雪崩二极管通常用于电压稳定、信号钳位和保护电路等应用。

7. 封装信息： - 器件采用DO-35封装，这是一种小型的玻璃封装，具有较低的热阻。

1N5530 价格&库存

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