0
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心
发布
  • 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动
1N6263

1N6263

  • 厂商:

    NJSEMI

  • 封装:

  • 描述:

    1N6263 - SCHOOTTKY BARRIER DIODES - New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
1N6263 数据手册
1N6263
1. 物料型号: - 型号为1N6263,这是一种肖特基势垒二极管。

2. 器件简介: - 该器件具有双插封结构,采用真空密封和冶金结合技术,能在-65°C至+200°C的温度范围内工作。

3. 引脚分配: - 引脚材料为铜包钢,引脚表面处理为锡镀层,引脚间距为3/8英寸,热阻抗最大值为250°C/W。

4. 参数特性: - 最小击穿电压为60伏,最大正向电压在10μA时为1.0伏,峰值正向浪涌电流为20安培(8.3毫秒叠加),最大反向漏电流为200纳安,最大电容为2.0皮法(在0伏下,频率为1.0兆赫)。

5. 功能详解: - 该二极管具有低功耗特性,25°C时功率耗散为250毫瓦,且在1.43毫瓦以上时随温度升高而降低。

6. 应用信息: - 由于其低功耗和高温工作能力,适用于需要高效率和可靠性的应用场合。

7. 封装信息: - 封装为DO-35外形,采用真空密封的玻璃外壳,重量约为0.014克,可任意位置安装。
1N6263 价格&库存

很抱歉,暂时无法提供与“1N6263”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货

免费人工找货