1N757

1N757

  • 厂商:

    NJSEMI

  • 封装:

  • 描述:

    1N757 - 500mW SILICON ZENER DIODES - New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

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  • 价格&库存
1N757 数据手册
1N757
物料型号: - 1N746至1N759和1N4370至1N4372是500mW硅齐纳二极管。

器件简介: - 这些是金属与硅片冶金结合的齐纳二极管,具有不同的齐纳电压范围。

引脚分配: - 齐纳二极管的带环端为阴极。

参数特性: - 齐纳电压范围:2.4V至12.0V - 机械特性:封装为Hermetically sealed glass case DO-35,“NSaeiso able”(可能为打印错误,应为“N-Solderable”) - 热阻:典型值200°C/W(从结到引线,距离0.375英寸处) - 重量:0.2克 - 最大额定值:结和存储温度:-65°C至+175°C,直流功率耗散:500mW,功率降额:高于50°C时4.0mW/°C - 正向电压:200mA时为1.5伏特

功能详解: - 齐纳二极管用于稳定电压,防止电压超过设定的齐纳电压。 - 齐纳测试电流和最大齐纳阻抗、最大反向电流、最大齐纳电流以及齐纳电压的温度系数等参数均在表格中给出。

应用信息: - 这些齐纳二极管适用于需要电压稳定和过压保护的电路。

封装信息: - 封装类型为DO-35,这是一种小型封装,适用于表面贴装或通孔安装。
1N757 价格&库存

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