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创作活动
2SA1943

2SA1943

  • 厂商:

    NJSEMI

  • 封装:

  • 描述:

    2SA1943 - TOSHIBA TRANSISTOR SILICON PNP TRIPLE DIFFUSED TYPE - New Jersey Semi-Conductor Products, ...

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SA1943 数据手册
2SA1943
1. 物料型号: - 型号为2SA1943,是东芝公司生产的PNP型硅三极管。

2. 器件简介: - 2SA1943是一款用于功率放大器应用的三极管,与2SC5200互补,推荐用于100W高保真音频频率放大器输出阶段。

3. 引脚分配: - 引脚1:基极(BASE) - 引脚2:集电极(COLLECTOR,带散热器) - 引脚3:发射极(EMITTER)

4. 参数特性: - 最大额定值(Ta=25°C): - 集-基电压(VCBO):-230V - 集-射电压(VCEO):-230V - 发-基电压(VEBO):-5V - 集电极电流(IC):-15A - 基极电流(IB):-1.5A - 集电极功耗(PC,Tc=25°C):150W - 结温(Tj):150°C - 存储温度范围(T stg):-55~150°C

5. 功能详解: - 电气特性(Ta=25°C): - 集电极截止电流(ICBO):在VCB=-230V,Ig=0条件下,-5.0μA - 发射极截止电流(IEBO):在VEB=-5V,Ic=0条件下,-5.0μA - 集-射击穿电压(V(BR)CEO):在Ic=-50mA,IB=0条件下,-230V - DC电流增益(hFE(1)):在VCE=-5V,Ic=-1A条件下,55~160 - hFE(2):在VCE=-5V,Ic=-7A条件下,35~60 - 集-射饱和电压(VCE(sat)):在Ic=-8A,IB=-0.8A条件下,-1.5~-3.0V - 基-发射电压(VBE):在VCE=-5V,IC=-7A条件下,-1.0~-1.5V - 转换频率(fT):在VCE=-5V,IC=-1A条件下,30MHz - 集电极输出电容(Cob):在VCB=-10V,IE=0,f=1MHz条件下,360pF

6. 应用信息: - 适用于100W高保真音频频率放大器输出阶段。

7. 封装信息: - 封装型号为2-21F1A,符合JEDEC和EIAJ标准。
2SA1943 价格&库存

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