1N5062

1N5059 thru 1N5062 General Purpose Silicon Rectifier Fast Recovery Features: D Controlled Avalanche Characteristics D Low Reverse Current D High Surge Current Loading Applications: D Rectification Diode, General Purpose Absolute Maximum Ratings: (TA = +25C unless otherwise specified) Maximum Reverse Voltage, VR 1N5059 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V 1N5060 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V 1N5061 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V 1N5062 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage, VRRM 1N5059 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V 1N5060 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V 1N5061 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V 1N5062 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V Peak Forward Surge Current (tp = 10ms, half−sinewave), IFSM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A Average Forward Current, IFAV RthJA = 45K/W, TA = +50C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A RthJA = 100K/W, TA = +75C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.8A Max. Pulse Energy in Avalanche Mode, Non−Repetitive (Inductive Load Switch OFF), ER I(BR)R = 1A, Inductive Load . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20mJ Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −55 to +175C Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −55 to +175C Thermal Resistance, Junction−to−Ambient, RthJA Lead Length = 10mm, TL = Constant . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45K/W On PC Board with Spacing 25mm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100K/W Electrical Characteristics: (TA = +25C unless otherwise specified) Parameter Symbol Min Typ Max Unit IF = 1A − − 1 V IF = 2.5A − − 1.15 V VR = VRRM − − 1 A TJ = +100C − − 10 A TJ = +150C − − 100 A 225 − 1600 V 1N5060 450 − 1600 V 1N5061 650 − 1600 V 1N5062 900 − 1600 V Forward Voltage VF Reverse Current IR Reverse Breakdown Voltage 1N5059 V(BR)R Test Conditions IR = 100A Reverse Recovery Time trr IF = 0.5A, IR = 1A, iR = 0.25A − − 4 s Diode Capacitance CD VR = 0, f = 1MHz − 40 − pF 1.000 (25.4) Min .042 (1.07) Max .300 (7.6) Max .180 (4.6) Max Color Band Denotes Cathode